「wide gap semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

WIDE-GAP SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ワイドギャップ半導体装置 - 特許庁

This wide-gap semiconductor device is obtained by coating an external surface of the wide-gap semiconductor element with a synthetic polymer compound.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体素子の外面を、合成高分子化合物で被覆する。 - 特許庁

PRECISE ETCHING OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR例文帳に追加

精密なワイドバンドギャップ半導体のエッチング - 特許庁

WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体装置とその製造方法 - 特許庁

The p-type wide gap semiconductor has the wide gap near the forbidden band width of the first semiconductor, and also functions as a p-type wide gap semiconductor through injection of holes due to the second semiconductor.例文帳に追加

このp型ワイドギャップ半導体は、第１半導体の禁制帯幅に近いワイドギャップを持ち、且つ、第２半導体により正孔が注入されることにより、１個のp型ワイドギャップ半導体として機能する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF ELECTRODE METAL FILM FOR WIDE-GAP SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ワイドギャップ半導体用電極金属膜の作製方法 - 特許庁

VACUUM LEAD-FREE SOLDERING METHOD OF WIDE-GAP SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加

ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー真空半田付け方法 - 特許庁

ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUND WITH WIDE BAND GAP例文帳に追加

バンドギャップが広いことを特徴とする有機半導体化合物 - 特許庁

To provide a p-type wide gap semiconductor having a new structure.例文帳に追加

新規な構成を有するp型ワイドギャップ半導体を提供する。 - 特許庁

LEAD-FREE SOLDERING METHOD OF WIDE-GAP SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加

ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー半田付け方法 - 特許庁

The wide-band gap semiconductor is formed of n-type 3C-SiC or GaN.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体は、ｎ型３Ｃ−ＳｉＣ又はＧａＮである。 - 特許庁

HIGH-BREAKDOWN WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE OF AND POWER DEVICE例文帳に追加

高耐圧ワイドギャップ半導体装置及び電力装置 - 特許庁

To obtain a wide-gap semiconductor device of high dielectric strength, by improving insulating properties of a wide-gap semiconductor element in the wide-gap semiconductor device, such as SiC, which is used at a high temperature of ≥ 150°C.例文帳に追加

１５０℃以上の高温で使用するＳｉＣなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得る。 - 特許庁

INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE USING WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体を用いた絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

The converter comprises a wide-gap semiconductor device, particularly a side gap bipolar semiconductor device, and the instantaneous large power operation capability of the wide gap bipolar semiconductor device and the instantaneous large power supply capability of the secondary battery are utilized.例文帳に追加

コンバータをワイドギャップ半導体素子、特にワイドギャップバイポーラ半導体素子で構成し、ワイドギャップバイポーラ半導体素子の瞬時大電力稼働能力と２次電池の瞬時大電力供給能力を活用する。 - 特許庁

To provide a lead-free soldering method of a wide-gap semiconductor chip, which can achieve a satisfactory junction state in soldering using lead-free solder in the electrode structure of the wide-gap semiconductor chip, and to provide the wide-gap semiconductor chip by the lead-free soldering.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体チップの電極構造において鉛フリー半田を用いた半田付けを行った場合の接合状態を良好なものとできる、ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー半田付け方法、および鉛フリー半田付けによるワイドギャップ半導体チップを提供する。 - 特許庁

The substrate and the wide-band gap semiconductor compose a Schottky junction, using Ni.例文帳に追加

Ｎｉを使用して基板とワイドバンドギャップ半導体とのショットキー接合を行っている。 - 特許庁

INJECTING COLD CATHODE HAVING NEGATIVE ELECTRON AFFINITY BASED ON WIDE GAP SEMICONDUCTOR STRUCTURE例文帳に追加

ワイドギャップの半導体構造に基づく負の電子親和力を備えた注入冷陰極 - 特許庁

In the motor controller (10), the switch element (14) is a wide band gap semiconductor element.例文帳に追加

モータ制御装置（10）は、スイッチ素子（14）がワイドバンドギャップ半導体素子である。 - 特許庁

As the wide band gap semiconductor, SiC, GaN or diamond can be used.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体としては、ＳｉＣ、ＧａＮ、またはダイヤモンドを用いることができる。 - 特許庁

On the metal film 7, a diode element 13 including an n-type wide gap semiconductor layer is provided.例文帳に追加

金属膜７上に、ｎ型ワイドギャップ半導体層を含むダイオード素子１３を備える。 - 特許庁

On the metal substrate 125, a bipolar switching element 20 including a wide-gap semiconductor layer is provided.例文帳に追加

金属基板１２５上に、ワイドギャップ半導体層からなるバイポーラスイッチング素子２０を備える。 - 特許庁

To detect the position of a wide gap semiconductor substrate with high accuracy by using visible light.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体基板の位置検出を、可視光を用いて高精度に行う。 - 特許庁

WIDE GAP SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ワイドギャップ半導体基板およびワイドギャップ半導体装置の製造方法 - 特許庁

POWER CONVERSION DEVICE AND DRIVING METHOD FOR WIDE-GAP BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

電力変換装置およびワイドギャップバイポーラ半導体素子の駆動方法 - 特許庁

To evaluate, at room temperature, the level of a deep trap existing in a wide band gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体に存在する深いトラップ準位を室温におて評価する。 - 特許庁

To reduce an ohmic contact resistance in a wide band gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体における、オーミックコンタクト抵抗を低減することを目的とする。 - 特許庁

To attain a method for measuring the band gap electronic physicality of a wide-gap semiconductor using optical excitation.例文帳に追加

光励起を利用したワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法を実現する。 - 特許庁

The light-emitting layer section 1 of this light-emitting element is constituted of the wide-gap oxide semiconductor, having a band-gap energy of ≥2.5 eV.例文帳に追加

発光層部１をバンドギャップエネルギーが２．５ｅＶ以上であるワイドギャップ型酸化物半導体にて構成する。 - 特許庁

A field-effect transistor using a wide-gap semiconductor such as an oxide semiconductor in a semiconductor layer in which a channel is to be formed is applied to a switching element used for a switched capacitor circuit.例文帳に追加

特に、スイッチング素子のリーク電流に起因する不具合が抑制された半導体回路を提供する。 - 特許庁

At least two wide-gap semiconductor layers 1, 2 and 3, having mutually different conductivities, are laminated so that a wide-gap bipolar semiconductor element, having a built-in voltage in the forward characteristics.例文帳に追加

順方向特性にビルトイン電圧を有するワイドギャップバイポーラ半導体素子を形成するように、互いに異なる導電型を有する少なくとも２層のワイドギャップ半導体層１、２、３を積層する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device employing the semiconductor switching element of a wide gap semiconductor that eliminates the need for a snubber capacitor having been externally mounted and connected in parallel with a flywheeling diode of the wide gap semiconductor in anti-parallel connection to the semiconductor switching element.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体の半導体スイッチング素子を用いた半導体装置において，半導体スイッチング素子に逆並列接続されるワイドギャップ半導体のフリーホイーリングダイオードに外付けで並列に接続されるスナバコンデンサをなくすこと。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is manufactured at a low cost while securing high yield by using a wide band gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体を用い、高い歩留まりを確保しつつ、低コストで製造することができる半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can suppress the occurrence of a backward leak current and uses a wide band-gap semiconductor.例文帳に追加

逆方向リーク電流の発生を抑制することのできる、ワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a p-type semiconductor crystal, which has high activation factor in a wide-gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体において高い活性化率を有するp型半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser in which a wide gap semiconductor is used as a laser by a current injection, and an operation in practical efficiency can be expected.例文帳に追加

電流注入でワイドギャップ半導体をレーザとして実用的な効率での動作が期待できる半導体レーザを提供すること。 - 特許庁

An element composed of a wide band gap semiconductor has an on-resistance lower than that of an element composed of an Si semiconductor.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体からなる素子は、Ｓｉ半導体からなる素子よりもオン抵抗が小さい。 - 特許庁

An alignment mark for positioning a substrate is embedded previously in a wide gap semiconductor substrate by growing a wide gap semiconductor layer (e.g. a GaN layer 19) epitaxially on the principal surface of a narrow gap semiconductor substrate where an alignment mark 4 is engraved at a prescribed position on the principal surface of the narrow gap semiconductor substrate (e.g. an Si substrate 2).例文帳に追加

一実施形態によれば、ナローギャップ半導体基板（例えばＳｉ基板２）の主面の所定の位置に彫り込み型のアライメントマーク４が形成されたナローギャップ半導体基板のその主面上にワイドギャップ半導体層（例えばＧａＮ層１９）をエピタキシャル成長したことにより、基板位置決め用のアライメントマークが予め埋め込まれているワイドギャップ半導体基板を提供する。 - 特許庁

To form a semiconductor material at a low cost, which has a smooth surface, high density and large strength, and as for a band gap, can correspond to a wide-range wavelength between a wide gap due to silicon nanocrystals and a narrow gap due to silicide nanocrystals.例文帳に追加

平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。 - 特許庁

PASSIVATION OF WIDE BAND-GAP BASED SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HYDROGEN-FREE SPUTTERED NITRIDES例文帳に追加

水素を含まないスパッタリングされた窒化物を有するワイドバンドギャップベースの半導体デバイスの不動態化 - 特許庁

To provide a gate turnoff thyristor of a wide gap semiconductor having a mesa type emitter layer which can increase a controllable current.例文帳に追加

メサ型のエミッタ層を有するワイドギャップ半導体のゲートターンオフサイリスタにおいて、可制御電流を大きくできるものを提供すること。 - 特許庁

The power transistors (QH, QL) are formed by a wide band gap semiconductor, and body diodes (DH, DL) are used as a feedback diode.例文帳に追加

パワートランジスタ（ＱＨ、ＱＬ）はワイドバンドギャップ半導体から成り、そのボディダイオード（ＤＨ、ＤＬ）が帰還ダイオードとして利用される。 - 特許庁

Since the carrier block layer 2 uses the wide gap semiconductor to the sub-collector layer 3, it forms a barrier to electrons.例文帳に追加

キャリアブロック層２はサブコレクタ層３に対するワイドギャップ半導体を用いているため、電子に対して障壁を形成している。 - 特許庁

To eliminate a snubber capacitor externally connected in parallel to freewheeling diode of wide gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体のフリーホイーリングダイオードに外付けで並列に接続されるスナバコンデンサをなくすこと。 - 特許庁

When the wide band gap semiconductor layer is made of silicon carbide, nickel is used as a contact layer.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体材層がシリコンカーバイトの場合コンタクト層としてニッケルを使用する。 - 特許庁