あきは１ちょうめの英語

特許出願が1発明の主題であってその本質的な特徴が明らかにされ又は特定されているものに係る場合。ただし，それにより1又は複数の本質的な特徴が置き換えられ又は省かれるときはこの限りでない。例文帳に追加

a patent application concerns one subject of invention the essential features of which are developed or specified unless this results in the replacement or omission of one or several essential features発音を聞く  - 特許庁

標章審判委員会は，委員を兼任する1名の委員長，委員を兼任する1名の副委員長及び必要とされる分野における複数の専門家及び上級審査官から構成される。例文帳に追加

The Mark Appeal Commission comprises a chairman who is also acting as a member, a deputy chairman who is also acting as a member, members comprising some experts in the necessary field, and senior examiners.発音を聞く  - 特許庁

(1)にいう延長請求は，当該登録標章の保護期間が満了する前12月以内に，標章所有者又はその代理人により書面で行われる。例文帳に追加

The request for extension as referred to in paragraph (1) shall be filed in writing by the owner or his proxy within a period of 12 (twelve) months before the expiry of the protection period of said registered mark.発音を聞く  - 特許庁

第1条 (2)にいう標章登録出願の様式及び第7条 (2)にいう登録標章の保護期間の延長申請の様式の形態及び内容の変更は，大臣が定める。例文帳に追加

The change in form and contents of the Mark registration application form as referred to in Article 1 paragraph (2), and the application form for extension of the registered mark protection period as referred to in Article 7 paragraph (2), shall be determined by the Minister.発音を聞く  - 特許庁

Ａ面サファイア基板１上に、１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層を成長することによって、これにクラックが発生せず、平坦性と結晶性に優れたＣ面ＡｌＮ層が得られる。例文帳に追加

The C-surface AlN layer over 1 μm is grown on the A-surface sapphire substrate 1, so that no crack occurs thereon, thus the C-surface AlN layer being excellent in flatness and crystallinity can be obtained. - 特許庁

モニタ部１は、空きメモリ量その他のシステムダウンの予兆となるようなパラメータを一定周期ごとにモニタしている。例文帳に追加

The monitor part 1 monitors free memory capacity and other parameters indicating the signs of system down at a fixed period. - 特許庁

(1) 欧州特許を部分的又は全面的に取り消すか又は欧州特許を修正された文言で維持する欧州特許庁の決定は，スロバキア共和国において，第46条による庁の決定と同じ効力を有する。例文帳に追加

(1) A decision of the European Patent Office on full or partial revocation of a European patent or on maintenance of a European patent in a modified wording shall have the same effect in the Slovak Republic as a decision of the Office pursuant to Section 46. - 特許庁

縦型ＦＥＴ１では、ＧａＮ基板１０上に、六方晶のＧａＮ、ＡｌＧａＮを、｛ 0 0 0 1｝面を成長面として、エピタキシャル成長させており、ｎ型ＧａＮキャップ層１８における鉛直な面Ｓ１は、｛ 1-1 0 0｝面（ｍ面）となる。例文帳に追加

In vertical type FET1, hexagonal GaN and AlGaN are epitaxially grown on the GaN substrate 10 with a {0001} surface as a growth surface, and a vertical surface S1 in an n-type GaN cap layer 18 is to be {1-100} surface (m surface). - 特許庁