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あらいぐすりの英語
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「あらいぐすり」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 50件
すすぎ行程では、洗い行程で洗われた洗濯物を規定水量の水ですすぐ。例文帳に追加
In the rinsing step, the laundry washed in the washing step are rinsed with a specified amount of the water. - 特許庁
柄1と洗い具(スポンジ状)2の接合部を球形と球形にくりぬいたものとの接合により、接合角度が自由になる。例文帳に追加
By joining a spherical shape and a part hollowed in a spherical shape at the joining part of the handle 1 and a washing tool (sponge shape) 2, a joining angle is made free. - 特許庁
クリーニングする際に、被洗物に取り付けて、被洗物の識別のために用いることができる、耐折強度に優れ、折り割れを防止することができるクリーニングタグ用紙を提供する。例文帳に追加
To provide a tagging paper for cleaning being useable for identification of a material to be cleaned by attaching it to the material to be cleaned when cleaned, excellent in folding endurance and enabling prevention of folding crack. - 特許庁
ボリュームビジュアライゼーションは、体積的なデータを表現し、操作し、レンダリングすることに関わる可視化手法の一つである。例文帳に追加
Volume visualization is a visualization method concerned with the representation, manipulation, and rendering of volumetric data.発音を聞く - コンピューター用語辞典
異方性エッチングすることにより、アライメントマークの段差21の側壁にのみ珪素系膜22を形成する。例文帳に追加
Performing anisotropic etching forms a silicon-based film 22 only in a side wall of a step 21 of the alignment mark. - 特許庁
次に、第1の窒化ガリウム層6の一部をアライメントマーク4に達しない深さまでエッチングする。例文帳に追加
A part of the first nitride gallium layer 6 is etched down to such a depth as not to reach the alignment mark 4. - 特許庁
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「あらいぐすり」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 50件
略単結晶半導体膜をパターニングする際には、第一アライメント・マーク21の位置を基準とする。例文帳に追加
Upon patterning the substantially single crystal semiconductor film, the position of the first alignment mark 21 is utilized as the reference of patterning. - 特許庁
コンタクト部14及びアライメントマーク部16では、タングステンシリサイド膜10が除去されている。例文帳に追加
In this case, the tungsten silicide film 10 has been eliminated at the contact part 14 and the alignment mark part 16. - 特許庁
半導体基板10上の最上層のアルミニウム配線30をトリミング用のアライメントパターンとして利用する半導体装置のアライメント方法において、上記アルミニウム配線30の表面の反射防止膜30aの膜厚を200Å〜400Åとする。例文帳に追加
In the alignment method of a semiconductor device utilizing aluminium interconnect lines 30 on the uppermost layer of a semiconductor substrate 10 as an alignment pattern for trimming, thickness of an antireflection film 30a on the surface of the aluminium interconnect lines 30 is set in the range of 200-400 Å. - 特許庁
フォトマスク用アライメントマークを用いてハーフトーン膜にパターニングされたアライメント用溝部を電子ビームによりスキャンした後、スキャン跡を除去するように電子ビーム露光を用いて遮光膜をパターニングすることにより位相シフトマスクを形成する。例文帳に追加
The phase shift mask is formed by scanning an alignment groove with an electron beam, the groove patterned in a halftone film by using an alignment mark for a photomask, and then patterning a light shielding film by exposure to an electron beam to remove the scanning track. - 特許庁
フォトマスク71のアライメントマーク74aとアライメントマーク15とを位置合し、導電材料51の1つの主面に形成したレジスト膜(感光性フィルム56)を露光してエッチングマスクを形成し、そのエッチングマスクを用いて導電材料51をエッチングする。例文帳に追加
An alignment mark 74a of a photo mask 71 and the alignment mark 15 are aligned, a resist film (a photosensitive film 56) formed on the one main surface of the conductive material 51 is exposed to form an etching mask, and the conductive material 51 is etched using the etching mask. - 特許庁
本発明は、複数のデバイスが作り込まれるとともに位置決め用のアライメントマークが形成されたデバイス基板を、アライメントマークを基準に位置決めしてダイシングするダイシング方法等に関し、デバイス基板を粘着テープを用いずに確実に固定するとともに、アライメントマークを基準にした位置決めを可能とし、さらに歩留まりを向上させる。例文帳に追加
To fix a device substrate reliably without using any pressure-sensitive adhesive tapes; to enable positioning with an alignment mark as a reference; and to improve yields, in a dicing method or the like for positioning the device substrate where a plurality of devices are fabricated and the alignment mark for positioning is formed, with the alignment mark as a reference for dicing. - 特許庁
高価なウェハ搬送装置を使用せず、簡単な操作により、スループットを低下させることなく、プリアライメントが不能となったウェハをハンドリングする方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of handling a wafer that its prealignment is impossible in a simple operation without using an expensive conveyer while the throughput is not decreased. - 特許庁
極端ダイポール照明設定と、またリソグラフィ処理中の他のパターニングステップ中に使用することができるあまり極端でない設定と、改善された互換性を有するアライメントマークの構造。例文帳に追加
To provide an arrangement of an alignment mark that has improved compatibility with extreme dipolar illumination settings and also with less extreme settings to be used in the other patterning step during lithography processing. - 特許庁
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