n-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR, ELECTRIC CONDUCTIVITY CONVERTING METHOD OF DIAMOND SEMICONDUCTOR, AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド半導体とダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法ならびに電子デバイス - 特許庁

DIAMOND P-N JUNCTION DIODE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ダイヤモンドｐｎ接合ダイオードおよびその作製方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE USING n-TYPE DIAMOND例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンドを用いた半導体デバイス - 特許庁

n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド及びその製造方法 - 特許庁

n-TYPE DIAMOND ELECTRON EMISSIVE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイス - 特許庁

LOW RESISTANCE n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND例文帳に追加

低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンド - 特許庁

N-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド半導体及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR SYNTHESIZING n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND THIN FILM例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド薄膜の合成法 - 特許庁

SYNTHESIZING METHOD OF LOW RESISTANCE n-TYPE DIAMOND例文帳に追加

低抵抗ｎ型ダイヤモンドの合成法 - 特許庁

The n-type semiconductor diamond 1 is formed on a substrate 3 which is a diamond {110} single crystal substrate, and provided with a first non-doped diamond layer 7 and an n-type diamond layer 5.例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド１は、ダイヤモンド｛１１０｝単結晶基板である基板３上に形成されており、第１のノンドープダイヤモンド層７及びｎ型ダイヤモンド層５を備えている。 - 特許庁

An undoped diamond film 12 formed by CVD is laminated on a diamond substrate 11, and an n type diamond layer 13 is formed on a surface of diamond film 12.例文帳に追加

ダイヤモンド基板１１上にＣＶＤにより形成されたアンドープダイヤモンド膜１２が積層され、ダイヤモンド膜１２の表面にｎ型ダイヤモンド層１３が形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a low resistance n-type semiconductor diamond containing lithium and nitrogen and the n-type semiconductor diamond.例文帳に追加

リチウムと窒素を含有した低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドの製造方法及びｎ型半導体ダイヤモンドを提供する。 - 特許庁

LOW-RESISTANCE n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドおよびその製造方法 - 特許庁

Further, a process forming the n-type diamond layer on the surface of the substrate and a process containing a transition metal element from a surface layer side of the n-type diamond layer to the surface layer part of the n-type diamond layer are included.例文帳に追加

また、基体の表面上にｎ型ダイヤモンド層を形成する工程と、前記ｎ型ダイヤモンド層の表層部に、該ｎ型ダイヤモンド層の表層側から遷移金属元素を含有させる工程と、を含むこと。 - 特許庁

The n-type diamond layer 5 contains n-type dopant, and carrier diffuses to the first non-doped diamond layer 7 by carrier concentration gradient with the first non-doped diamond layer 7, so that the resistance of the n-type semiconductor diamond 1 can be reduced.例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド層５はｎ型不純物を含んでおり、第１のノンドープダイヤモンド層７とのキャリア濃度勾配によって第１のノンドープダイヤモンド層７へキャリアが拡散することにより、ｎ型半導体ダイヤモンド１の抵抗を低くできる。 - 特許庁

To provide a low resistance n-type semiconductor diamond doped with lithium and phosphorous in association with the diamond doped with lithium.例文帳に追加

リチウムをドープしたダイヤモンドに関し、リチウムとリンをドープした低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドを提供する。 - 特許庁

To provide a low-resistance n-type semiconductor diamond doped with lithium and nitrogen, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

リチウムをドープしたダイヤモンドに関し、リチウムと窒素をドープした低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A p-type diamond thin film formed by a CVD method from a carbon source is subjected to an inert gas, thereby converting it into an n-type diamond semiconductor.例文帳に追加

炭素源からのＣＶＤ法により形成されたｐ型ダイヤモンド薄膜を不活性ガスに曝すことでｎ型ダイヤモンド半導体に変換する。 - 特許庁

To provide a method for synthesizing a diamond free from defects, especially a diamond having surely improved n-type semiconductor characteristics by a CVD process.例文帳に追加

ＣＶＤ法による欠陥のないダイヤモンド、とりわけ、ｎ型半導体特性の確実に向上したダイヤモンドの合成方法を提供する。 - 特許庁

An emitter electrode 1 uses a p-type diamond semiconductor, and a collector electrode 2 uses an n-type diamond semiconductor.例文帳に追加

エミッタ電極１にｐ型ダイヤモンド半導体を用いると共に、コレクタ電極２にｎ型ダイヤモンド半導体を用いている。 - 特許庁

To provide an impurity doped diamond in which B, P, S, N and O are doped at high efficiency in high concentration.例文帳に追加

Ｂ、Ｐ、Ｓ、Ｎ、Ｏが高効率でダイヤモンドに高濃度でドーピングされた不純物ドープダイヤモンドを提供する。 - 特許庁

The diamond electron emitting element comprises a diamond substrate 1, a diamond n-type semiconductor layer 2 formed on the diamond substrate 1, a diamond p-type semiconductor layer 3 formed on the diamond n-type semiconductor layer 2, ohmic electrodes 4, 5 respectively formed on surfaces 2a, 3a of the diamond n-type semiconductor layer 2 and the diamond p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ダイヤモンド下地基板１と、該ダイヤモンド下地基板１上に形成したダイヤモンドｎ型半導体膜２の層と、該ダイヤモンドｎ型半導体膜層上に形成したダイヤモンドｐ型半導体膜３の層と、前記ダイヤモンドｎ型半導体膜２の層及び前記ダイヤモンドｐ型半導体膜３の層のそれぞれの表面２ａ，３ａに形成したオーミック電極４，５とにより、ダイヤモンド電子放出素子を構成した。 - 特許庁

To provide an n-type diamond semiconductor having low resistant n-type electric conductivity and an electric conductivity converting method of the diamond semiconductor which can easily obtain the diamond semiconductor having required electric conductivity.例文帳に追加

低抵抗のｎ型電気伝導性を有するｎ型ダイヤモンド半導体および容易に必要な電気伝導性を有するダイヤモンド半導体を得ることのできる、ダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diamond semiconductor for obtaining a high-quality P-type/N-type diamond semiconductor which can not be obtained by a conventional method by preventing the etching of a diamond surface caused by the high-temperature/high-pressure annealing of an ion-implanted diamond.例文帳に追加

イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。 - 特許庁

An n type semiconductor diamond having excellent characteristics is simply produced by the method.例文帳に追加

この方法により特性の良好なn型半導体ダイヤモンドの製造が簡便になる。 - 特許庁

The n-type diamond layer 5 is formed selectively on the first crystalline plane 10.例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド層５は、第１の結晶面１０上に選択的に形成されている。 - 特許庁

To produce n-type semiconductor diamond as an electronic emitting material at a low cost.例文帳に追加

電子エミッタ材料としてｎ形半導体ダイヤモンドを安価に製造する。 - 特許庁

An N-type diamond semiconductor crystal layer 4, doped with sulfur which serves as donor atoms, is formed through a CVD method on a P-type diamond semiconductor crystal 2 which is formed of high-pressure synthetic diamond doped with boron or natural IIb diamond to form a P-N junction 6.例文帳に追加

ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド又は天然のＩＩｂ型ダイヤモンドから形成されたｐ型ダイヤモンド半導体結晶２上に、例えばプラズマＣＶＤ法によってドナー原子となるイオウをドープしたｎ型ダイヤモンド半導体結晶層４を成長させてｐｎ接合６を形成したものである。 - 特許庁

The method for producing the diamond material to the surface of which a thioalkylthiol group is bonded is characterized by bonding the thioalkylthiol to the surface of the diamond material by reacting a cyclic disulfide expressed by general formula (1) (wherein, n is an integer of 1-8) with the diamond material under UV-ray irradiation.例文帳に追加

紫外線照射下、ダイヤモンド材料と一般式（１）で表される環状ジスルフィドを反応させチオアルキルチオールをダイヤモンド材料の表面に結合させることを特徴とするチオアルキルチオール基が表面に結合したダイヤモンド材料の製造方法。 - 特許庁

Electron affinity on a surface 3a of an n-type diamond layer 3 is reduced in this electron emission element 1 because a work function of n-type diamond is small as compared with, for instance, silicon.例文帳に追加

電子放出素子１では、例えばシリコンに比べｎ型ダイヤモンドの仕事関数は小さいため、ｎ型ダイヤモンド層３の表面３ａにおける電子親和力は小さくなっている。 - 特許庁

The thermionic cathode is equipped with an n-type diamond layer as an electron emission substance on a surface of a substrate, and the n-type diamond layer includes a layer containing a transition metal element on its surface layer part.例文帳に追加

基体の表面上に電子放出物質としてｎ型ダイヤモンド層を備え、該ｎ型ダイヤモンド層がその表層部に遷移金属元素を含有する層を有することを特徴とする。 - 特許庁

Thereby, when a high potential higher than that of the n-type diamond layer 3 is applied to a gate electrode 4, electrons present at an energy level of the lower end of a conduction band of the n-type diamond layer 3 easily reaches the surface 3a.例文帳に追加

これにより、ゲート電極４にｎ型ダイヤモンド層３より高い電位が与えられると、ｎ型ダイヤモンド層３の伝導帯下端のエネルギー準位に存在する電子が表面３ａに容易に達する。 - 特許庁

To provide a superior n-type diamond electron emitting element and an electronic device capable of being constructed thin and flat, having a smaller threshold voltage for electron emission, and allowing effective use of the negative electron affinity force of diamond.例文帳に追加

薄型化及び平板化が可能で電子放出のしきい値電圧が小さく、ダイヤモンドの負の電子親和力を効果的に利用することのできる優れたｎ型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide an n-type semiconductor film of diamond that can be practically used for an electronic element by improving the efficiency of doping a diamond semiconductor film with a group V element.例文帳に追加

ダイヤモンド半導体膜へのＶ族元素のドーピング効率を向上させて、電子素子への実用に供することが可能なダイヤモンドのｎ型半導体膜を提供する。 - 特許庁

To provide a diamond semiconductor device oriented to a (100) face with an n-type single crystal diamond semiconductor film, oriented to the (100) face into which phosphorous atoms have been doped.例文帳に追加

本発明は、リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を備えた（１００）面方位を有するダイヤモンド半導体デバイスを提供することを課題とする。 - 特許庁

An n type semiconductor diamond having more excellent characteristics can be produced by maintaining a substrate temperature at ≥800°C.例文帳に追加

また基板温度を８００℃以上に保持することでさらに特性の良好なn型半導体ダイヤモンドの製造が可能になる。 - 特許庁

To provide a film of a semiconductor single crystal of n-type (100) face-oriented diamond doped with a phosphorous atom, and a process for producing the film.例文帳に追加

リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A transistor 1, the semiconductor device, comprises: an n^+-SiC layer 40 composed of a silicon carbide; and a p^--diamond layer 50 composed of diamond that is formed on the n^+-SiC layer 40 to constitute a heterojunction between the p^--diamond layer 50 and the n^+-SiC layer.例文帳に追加

半導体装置であるトランジスタ１は、炭化珪素からなるｎ^＋−ＳｉＣ層４０と、ｎ^＋−ＳｉＣ層４０との間でヘテロ接合を構成するようにｎ^＋−ＳｉＣ層４０上に形成されたダイヤモンドからなるｐ^−−ダイヤモンド層５０とを備えている。 - 特許庁

This electron emission device 10 includes a metal electrode 12, an electron injection layer 14, and an electron emission layer 16 made from n-type diamond.例文帳に追加

電子放出デバイス１０は、金属電極１２と、電子注入層１４と、ｎ型ダイヤモンドからなる電子放出層１６とを有する。 - 特許庁

To realize a p-n junction by using ion implantation so as to use a diamond semiconductor as an electronic device.例文帳に追加

イオン注入法を用いてｐｎ接合を実現し、ダイヤモンド半導体を電子デバイスとして活用できるようにする。 - 特許庁

FILM OF SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL OF N-TYPE (100) FACE-ORIENTED DIAMOND DOPED WITH PHOSPHORUS ATOM AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法 - 特許庁

A diamond crystal layer 1 having p-type or n-type conductivity is grown by a CVD device etc.例文帳に追加

ｐ型またはｎ型の伝導性を有するダイヤモンド結晶層１をＣＶＤ装置などで成長させる。 - 特許庁

To provide an n-type semiconductor diamond of low resistance which can be formed by comparatively few processes, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

抵抗が低く、且つ比較的少ない工程によって形成することが可能なｎ型半導体ダイヤモンド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By using the single crystal diamond, the mechanical performance, stability and electrical properties of an N/MEMS device can be improved.例文帳に追加

単結晶ダイヤモンドを使用することによって、Ｎ／ＭＥＭＳデバイスの機械性能、安定性および電気特性を改良することができる。 - 特許庁