ポテンシャルの井戸の英語

ｐＨの大きさに応じて深さが変化するポテンシャル井戸２９を有し、このポテンシャル井戸２９に注入された電荷３１をそのときのポテンシャル井戸２９の大きさに応じた電荷に変換する複数の微小なｐＨセンサ６を半導体基板１７の表面に二次元的に配置するとともに、前記電荷を転送するＣＣＤ電荷転送部１２を前記複数のｐＨセンサ６に対応するように設けている。例文帳に追加

A plurality of fine pH sensors having potential wells 29 changed in depth corresponding to the magnitude of pH and converting the charge injected in the potential wells 29 into the charges corresponding to the sizes of the potential wells 29 at that time are two-dimensionally arranged on the surface of a semiconductor substrate 17 and CCD charge transfer parts 12 are provided corresponding to a plurality of the pH sensors. - 特許庁

化学的な量の大きさに対応して深さを変化するように構成されたポテンシャル井戸６を複数個二次元的に配置し、これらのポテンシャル井戸６に電荷を注入して、前記化学的な量をこのポテンシャル井戸の大きさに応じた電荷に変換するように構成された化学ＣＣＤ１のセンサ面６ａ上に分子認識層２１を形成した。例文帳に追加

A plurality of potential wells 6 formed so that their depths vary with the magnitude of a chemical quantity are two-dimensionally arranged, electric charge is injected into the potential wells 6 so that the chemical quantity is converted to an electric charge corresponding to the size of the potential well, and a molecule recognition layer 21 is formed on a sensor surface 6a of a chemical CCD 1. - 特許庁

第２の撮像動作が完了した後は、それぞれのポテンシャル井戸を独立したまま転送出力する。例文帳に追加

After the 2nd image pickup operation is finished, the chares are transferred and outputted while making the respective potential wells independent. - 特許庁

また、活性層８１と可飽和吸収層８３との間に、ポテンシャル井戸構造を有するキャリアトラップ層８２を形成する。例文帳に追加

Further, a carrier trap layer 82 having a potential well structure is formed between an active layer 81 and the saturable absorption layer 83. - 特許庁

これにより、ＩｎＧａＡｓチャネル層のポテンシャル井戸深さが深くなり高電流密度化に有利である。例文帳に追加

By this setup, it is advantageous for an increase in the current density of the MOSFET that the potential well of the InGaAs channel layer is increased in depth. - 特許庁

これにより電荷伝送体６４に形成した複数のポテンシャル井戸９６の各々に隣接２画素５０，５０分の光電変換素子６０の電荷９５をまとめて拘束し駆動パルス列群の相変化に応じてそれら各ポテンシャル井戸９６を移動させる。例文帳に追加

Thus electric charge 95 in photoelectric transducers 60 for two pixels adjacent to potential wells 96 formed in the electric charge transmission body 64 collectively constrained, and the potential wells 96 are moved in accordance with the phase change of the driving pulse train group. - 特許庁

各ポテンシャル井戸１１ａ，１１ｂに電子とホールとが集積されている状態で分配電極１２ａ，１２ｂに印加する分配電圧の極性を入れ換えると、ポテンシャル井戸１１ａ，１１ｂの間で電子とホールとが交換され、電子とホールとが再結合される。例文帳に追加

When the polarities of the distributed voltages applied to the distributed electrodes 12a, 12b are reversed while electrons and holes are integrated at respective potential wells 11a, 11b, the electrons and holes are exchanged between respective potential wells 11a, 11b, and the electrons and holes are recombined. - 特許庁

多重量子井戸構造を活性層に有する光半導体装置において，量子井戸の閉じ込めポテンシャルが深く，量子井戸数が多い場合においても，量子井戸面に垂直方向にキャリヤを高速移動可能とすることを目的とする。例文帳に追加

To enable high speed translocation of carriers in a direction perpendicular to a quantum well surface even when shut potential of a quantum well is deep and quantum well number is large, in an optical semiconductor device which has multiple quantum well structure in an active layer. - 特許庁