「ポテンシャルの井戸」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ゼロ・バイアスの場合（ＦＩＧ．２ｂ．）は、ゲート誘電体に隣接するＰＮ接合（ダイオード）は、浮遊ゲートによって創出されたポテンシャル井戸と同じ形態で電荷を保存することができるポテンシャル井戸を創出する。例文帳に追加

The case of zero bias (FIG. 2b) shows that a PN junction (diode) adjacent to the gate dielectric creates a potential well that can store charges, in a manner similar to that in the potential well created by the floating gate. - 特許庁

井戸層の伝導帯のポテンシャルエネルギーとバリア層の伝導帯のポテンシャルエネルギーとの差である伝導帯のエネルギー障壁差が、井戸層の価電子帯のポテンシャルエネルギーとバリア層の価電子帯のポテンシャルエネルギーとの差である価電子帯のエネルギー障壁差より小さい。例文帳に追加

A conduction band energy barrier difference, a difference between potential energy of a conduction band of the well layer and potential energy of a conduction band of the barrier layer, is smaller than an energy barrier difference of a valence band, a difference between potential energy of a valence band of the well layer and potential energy of a valence band of the barrier layer. - 特許庁

ｐＨの大きさに応じて深さが変化するポテンシャル井戸２９を有し、このポテンシャル井戸２９に注入された電荷３１をそのときのポテンシャル井戸２９の大きさに応じた電荷に変換する複数の微小なｐＨセンサ６を半導体基板１７の表面に二次元的に配置するとともに、前記電荷を転送するＣＣＤ電荷転送部１２を前記複数のｐＨセンサ６に対応するように設けている。例文帳に追加

A plurality of fine pH sensors having potential wells 29 changed in depth corresponding to the magnitude of pH and converting the charge injected in the potential wells 29 into the charges corresponding to the sizes of the potential wells 29 at that time are two-dimensionally arranged on the surface of a semiconductor substrate 17 and CCD charge transfer parts 12 are provided corresponding to a plurality of the pH sensors. - 特許庁

化学的な量の大きさに対応して深さを変化するように構成されたポテンシャル井戸６を複数個二次元的に配置し、これらのポテンシャル井戸６に電荷を注入して、前記化学的な量をこのポテンシャル井戸の大きさに応じた電荷に変換するように構成された化学ＣＣＤ１のセンサ面６ａ上に分子認識層２１を形成した。例文帳に追加

A plurality of potential wells 6 formed so that their depths vary with the magnitude of a chemical quantity are two-dimensionally arranged, electric charge is injected into the potential wells 6 so that the chemical quantity is converted to an electric charge corresponding to the size of the potential well, and a molecule recognition layer 21 is formed on a sensor surface 6a of a chemical CCD 1. - 特許庁

第２の撮像動作が完了した後は、それぞれのポテンシャル井戸を独立したまま転送出力する。例文帳に追加

After the 2nd image pickup operation is finished, the chares are transferred and outputted while making the respective potential wells independent. - 特許庁

また、活性層８１と可飽和吸収層８３との間に、ポテンシャル井戸構造を有するキャリアトラップ層８２を形成する。例文帳に追加

Further, a carrier trap layer 82 having a potential well structure is formed between an active layer 81 and the saturable absorption layer 83. - 特許庁

これにより、ＩｎＧａＡｓチャネル層のポテンシャル井戸深さが深くなり高電流密度化に有利である。例文帳に追加

By this setup, it is advantageous for an increase in the current density of the MOSFET that the potential well of the InGaAs channel layer is increased in depth. - 特許庁

これにより電荷伝送体６４に形成した複数のポテンシャル井戸９６の各々に隣接２画素５０，５０分の光電変換素子６０の電荷９５をまとめて拘束し駆動パルス列群の相変化に応じてそれら各ポテンシャル井戸９６を移動させる。例文帳に追加

Thus electric charge 95 in photoelectric transducers 60 for two pixels adjacent to potential wells 96 formed in the electric charge transmission body 64 collectively constrained, and the potential wells 96 are moved in accordance with the phase change of the driving pulse train group. - 特許庁

各ポテンシャル井戸１１ａ，１１ｂに電子とホールとが集積されている状態で分配電極１２ａ，１２ｂに印加する分配電圧の極性を入れ換えると、ポテンシャル井戸１１ａ，１１ｂの間で電子とホールとが交換され、電子とホールとが再結合される。例文帳に追加

When the polarities of the distributed voltages applied to the distributed electrodes 12a, 12b are reversed while electrons and holes are integrated at respective potential wells 11a, 11b, the electrons and holes are exchanged between respective potential wells 11a, 11b, and the electrons and holes are recombined. - 特許庁

多重量子井戸構造を活性層に有する光半導体装置において，量子井戸の閉じ込めポテンシャルが深く，量子井戸数が多い場合においても，量子井戸面に垂直方向にキャリヤを高速移動可能とすることを目的とする。例文帳に追加

To enable high speed translocation of carriers in a direction perpendicular to a quantum well surface even when shut potential of a quantum well is deep and quantum well number is large, in an optical semiconductor device which has multiple quantum well structure in an active layer. - 特許庁

カスケードレーザ素子は、ポテンシャル障壁41、143、151と量子井戸142、144とを備えた多重量子井戸を含む多層膜構造と、多層膜構造に電界を印加するための電界印加手段を有する。例文帳に追加

A cascade laser device is provided with: a multi-layer film structure including a multiple quantum well including potential barriers 41, 143 and 151 and quantum wells 142 and 144 and an electric field application means for applying an electric field to the multi-layer film structure. - 特許庁

複数の領域２２ａ、２２ｂ、２２ｃに区分され、読出ゲート２３に近い領域ほどそのポテンシャル井戸が深くなるポテンシャル傾斜構造を有するフォトダイオード２２を用いた光電変換素子２１により構成されたラインセンサ２０。例文帳に追加

The line sensor 20 comprises a photoelectric transducer element 21 using a diode 22 which is divided into a plurality of regions 22a, 22b, and 22c and has a tilted potential structure wherein the closer the regions are to the reading gate 23, the deeper the potential well becomes. - 特許庁

電極（１４，１６）は、それらの間に略超対数の形の場をもたらすように形造られており、それによってイオンは分析のための場のポテンシャル井戸内に捕捉される。例文帳に追加

The electrodes (14, 16) are shaped so as to provide a field of nearly hyper-logarithmic form between them, and thereby the ions can be captured within a potential well of the field for analysis. - 特許庁

多重量子井戸の障壁層中に，電子・正孔のうち片方のキャリヤ（通常は正孔）のみを閉じ込めるポテンシャルを有するｔｙｐｅ−ＩＩ型量子ドットを，埋め込み成長する。例文帳に追加

A type-II version quantum dot which has potential to shut only carrier (usually holes) of one out of electrons/holes is subjected to padding and growth in a barrier layer of a multiple quantum well. - 特許庁

印加電圧制御部は、電極１０への制御電圧の印加により素子形成層１３に形成されるポテンシャル井戸１１を制御して素子形成層１３の電荷１２の移動を制御する。例文帳に追加

The applied voltage control part controls movement of the electric charge 12 in the element formation layer 13 by controlling the potential well 11 formed in the element formation layer 13 with application of the control voltage to the electrode 10. - 特許庁

したがって、感度制御電極１３への制御電圧の印加の有無により、感光部２に形成されるポテンシャル井戸の開口面積を変化させることができる。例文帳に追加

Therefore, the opening area of the potential well formed in the photosensitive portion 2, can be changed depending on the existence of application of the control voltage to the sensitivity control electrode 13. - 特許庁

固体撮像素子の受光部を６相駆動とし、第１の撮像動作で、第２、第５の転送クロックφ2、φ5を立ち上げて、それぞれに対応する転送電極の下にポテンシャル井戸を形成する。例文帳に追加

A 6-phase drive is adopted for a light receiving section of a solid-state image pickup element, 2nd and 5th transfer clocks ϕ2, ϕ5 are arisen in a 1st image pickup operation to form a potential well under corresponding transfer electrodes. - 特許庁

第２の撮像動作で、第２、第５の転送クロックφ2、φ5を再度立ち上げて、それぞれに対応する転送電極の下にポテンシャル井戸を形成する。例文帳に追加

In a 2nd image pickup operation, the 2nd and 5th transfer clocks ϕ2, ϕ5 are arisen again, and a potential well is formed under a transfer electrode corresponding to them. - 特許庁

その後、障壁制御電極１４ｃの電圧を制御して、ポテンシャル井戸を電荷分離部と電荷蓄積部とに２分し、電荷分離部の電荷を廃棄し、さらに、電荷蓄積部から電荷分離部に電荷を転送する。例文帳に追加

Then the voltage of the barrier control electrode 14c is controlled to halve the potential well into an electric-charge-separating section and an electric-charge-storing section, electric charges of the electric-charge-separating section are discarded, and electric charges are transferred from the electric-charge storing section to the electric-charge-separating section. - 特許庁

ＩｎＧａＰをショットキー層に用いる場合におけるＩｎＧａＡｓチャネル層のポテンシャル井戸深さを深くして、ＭＯＳＦＥＴの高電流密度化を図る。例文帳に追加

To increase the potential well of an InGaAs channel layer in depth to improve a MOSFET in current density when InGaP is used for a Schottky layer. - 特許庁

基板クロックφbを立ち下げると共に、第１相及び第２相のクロックφv1、φv2を立ち上げて、チャネル領域にポテンシャル井戸を形成し、情報電荷の蓄積を開始する。例文帳に追加

The substrate clock ϕb is started, the 1st and 2nd phase clocks ϕv1 and ϕv2 are also started, a potential well is formed in the channel area, and the storage of the information charge is started. - 特許庁

薬物および電解質の存在を必要としない他の分子用の複数井戸型送達デバイスを提供すること、ならびに薬物と導電性リザーバキャップを必要としないか、または電気ポテンシャルの付与を指向しない他の分子とを能動放出する複数井戸型送達デバイスを提供すること。例文帳に追加

To provide a multi-well type delivery device for different molecules, not requiring the existence of chemical substance and electrolyte, and to provide a multi-well type delivery device, not requiring chemical substance and a conductive reservoir cap, or actively releasing different molecules, not directing application of electric potential. - 特許庁

そして、目標関数の感度を導出し（ステップＳ２３）、また二重井戸型ポテンシャルｆ（φ）を導出して、反応拡散方程式を有限体積法により解く（ステップＳ２４）。例文帳に追加

A sensitivity of the target function is drawn out (step S23), a double well type potential f(ϕ) is drawn out, and reaction diffusion equation is solved by a finite volume method (step S24). - 特許庁

分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧が印加されてウェル１２にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。例文帳に追加

While a potential well is formed in a well 12 by applying positive voltages to the separating electrode 14a, the storage electrode 14b, and the barrier control electrode 14c, light is received to integrate electric charges by the light irradiation. - 特許庁

分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧を印加してウェル１２にポテンシャル井戸を形成した状態で受光し、光照射による電子を集積する。例文帳に追加

While a potential well is formed in a well 12 by applying positive voltages to the separating electrode 14a, the storage electrode 14b, and the barrier control electrode 14c, light is received to integrate electric charges by the light irradiation. - 特許庁

本発明の光検知装置におけるＭＱＷ構造は、ｎ−ＧａＡｓ層２１上に量子井戸ポテンシャルを有するＧａＡｓ層２２と量子井戸に対するポテンシャルの障壁を有するＡｌＧａＡｓ層２３とを交互に複数積層成長させ、最上層にＩｎバンプ１５との良好な接続を確保するためのｎ−ＧａＡｓ層２４が形成されてなり、各ＡｌＧａＡｓ層２３には、ＧａＡｓ層２２から見たＧａＡｓ基板１１側の界面に選択的にｎ^+型不純物２５、一般的にＳｉが選択的にドーピングされている。例文帳に追加

The optical sensor has an MQW structure formed such that a plurality of GaAs layers 22 having quantum well potentials and a plurality of AlGaAs layers 23 having potential barriers against quantum wells are alternately grown on an n-GaAs layer 21 and an n-GaAs layer 24 for ensuring a good connection to In bumps 15 is formed as an uppermost layer. - 特許庁

一方、非電荷蓄積期間には、１組の転送電極２４のうち遮光膜２７で覆われた１つの転送電極２４−３をＯＮ状態にしてその転送電極２４−３下のチャネル領域にポテンシャル井戸３１を形成し、電荷蓄積期間で蓄積された情報電荷をそのまま保持する。例文帳に追加

During non-charge storage period, one transfer electrode 24-3 covered with a light shielding film 27 out of the set of transfer electrodes 24 is turned on, a potential well 31 is formed in a channel region beneath that transfer electrode 24-3 and generated information charges stored during charge storage period are held as they are. - 特許庁

電荷蓄積期間には、１組の転送電極２４のうち３つの転送電極２４−２〜２４−４をＯＮ状態にしてその転送電極２４−２〜２４−４下のチャネル領域にポテンシャル井戸３０を形成し、発生した情報電荷を蓄積する。例文帳に追加

During charge storage period, three transfer electrodes 24-2 to 24-4 out of a set of transfer electrodes 24 are turned on, a potential well 30 is formed in a channel region beneath the transfer electrodes 24-2 to 24-4 and generated information charges are stored. - 特許庁

駆動装置は、クロック信号を発生させるクロック生成部と、電極１０のうち隣接する電極１０に制御電圧を印加するタイミングを制御することにより素子形成層１３の表面に沿った面内でのポテンシャル井戸１１の面積を変化させる印加電圧制御部とを備える。例文帳に追加

A drive device comprises: a clock generation part to generate a clock signal; and an applied voltage control part to change an area of a potential well 11 in the plane along the surface of an element formation layer 13 by controlling the timing to apply control voltage to an adjacent electrode 10 among the electrodes 10. - 特許庁

投光用の近赤外光の入射に応答して半導体深部で発生したキャリアを、光入射面とは逆側のキャリア発生位置近傍に設けられたポテンシャル井戸に引き込めば、高速で正確な測距が可能となる。例文帳に追加

When carriers generated at the deep portion of the semiconductor in response to incidence of near-infrared light for light projection are drawn into a potential well set at the vicinity of the carrier generating position opposite to the light incidence surface, fast and accurate distance measurement can be performed. - 特許庁

両分配電極１２ａ，１２ｂに逆極性の分配電圧を印加すると、主機能層１１で受光光量に応じて生成された電子およびホールが各分配電極１２ａ，１２ｂに対応して形成されたポテンシャル井戸１１ａ，１１ｂに振り分けて集積される。例文帳に追加

When distributed voltages with opposite polarities are applied to both the distributed electrodes 12a, 12b, electrons and holes generated according to the quantity of received light on the main functional layer 11 are distributed to potential wells 11a, 11b formed corresponding to respective distributed electrodes 12a, 12b for integration. - 特許庁

超格子構造４は、負誘電体媒質と正誘電体媒質を交互に積層した、量子井戸構造または量子細線構造または量子ドット構造となっており、各々の最小寸法が電子のド・ブロイ波長程度で、負誘電体媒質と正誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっている。例文帳に追加

The supperlattice structure 4 is a quantum well structure, a quantum fine line structure or a quantum dot structure obtained by alternately laminating a negative dielectric medium and the positive dielectric medium, respective minimum dimensions are almost a de Broglie wavelength, and potential energy to electrons of the negative dielectric medium and the positive dielectric medium is different. - 特許庁

半導体基板の表面上に配置される複数の転送電極２４を備え、半導体基板に入射される光に応答して発生した情報電荷を、転送電極２４の作用により形成されるポテンシャル井戸に蓄積する固体撮像素子であって、転送電極２４の近傍下に埋め込み形成されたフォトダイオード２６を有する固体撮像素子。例文帳に追加

A photodiode 26 is embedded under and near the transfer electrode 24. - 特許庁

具体的には、読み出した信号電荷を水平転送する際に３つのパケットが同じポテンシャル井戸を形成するように水平駆動信号をタイミング信号発生部22aで生成し、供給することによって、読出し周波数を変えることなく、２相駆動を行わせながら、６相駆動と同等の読み出しを行うことができる。例文帳に追加

Specifically, in the case of transferring horizontally the read signal charges, a timing signal generating section 22a generates and supplies a horizontal drive signal so that three packets form the same potential well to attain reading equivalent to 6-phase drive in spite of biphase driving without the need for changing a read frequency. - 特許庁