The n-side lead-out electrode includes an n-side metal wiring layer and an n-side metal pillar provided on the n-side metal wiring layer.例文帳に追加

ｎ側引き出し電極は、ｎ側金属配線層とｎ側金属配線層上に設けられたｎ側金属ピラーとを有する。 - 特許庁

The n-side metal pillar is prepared on the n-side wiring layer.例文帳に追加

ｎ側金属ピラーは、ｎ側配線層上に設けられている。 - 特許庁

Interconnection in the logical cells and interconnection between the logical cells are constituted only of upper n interconnect layer (n<m).例文帳に追加

論理セル内の配線および論理セル間の配線を、上位ｎ層の配線層（ｎ＜ｍ）のみを用いて構成する。 - 特許庁

A wiring layer 11 is connected to the n^- region 1.例文帳に追加

配線層１１は、ｎ^-領域１に接続されている。 - 特許庁

A printed wiring board has n kinds of power sources, and is provided with a plurality of power source wiring including the first power source wiring of a first voltage V1 to n-th power source wiring of n-th voltage Vn, and ground wiring making pairs with the power source wiring.例文帳に追加

プリント配線基板は、ｎ種類の電源を有し、第１の電圧Ｖ１を有する第１の電源配線から、第ｎの電圧Ｖｎを有する第ｎの電源配線までを含む複数の電源配線と、電源配線と対をなすグランド配線とが設けられている。 - 特許庁

A first inductor 310 is provided in the n-th wiring layer of the multilayer wiring layer 400.例文帳に追加

第１インダクタ３１０は、多層配線層４００の第ｎ配線層に設けられている。 - 特許庁

The wiring board 1 includes an array of n wiring patterns 31-3n arranged at an interval.例文帳に追加

配線基板１は、間隔を隔てて配置されたｎ本の配線パターン３１〜３ｎのアレイを有している。 - 特許庁

The p-side wiring portion and the n-side wiring portion are provided on the inorganic insulating film.例文帳に追加

ｐ側配線部及びｎ側配線部は無機絶縁膜上に設けられている。 - 特許庁

At arrangement of a via which reaches a fourth wiring layer 14 from a real terminal 21 of a first wiring layer 11, the number of layers N of a wiring layer comprising a wiring track in the direction orthogonal to that of the fourth wiring layer 14 is acquired between the first and fourth wiring layers 11 and 14.例文帳に追加

配線設計方法では、第１配線層１１の実端子２１から第４配線層１４に達するビアを配置するにあたって、第１及び第４配線層１１、１４間で、第４配線層１４における配線トラックと直交する方向の配線トラックを有する配線層の層数Ｎを求める。 - 特許庁

When the first conductive type is the N-type, the wirings 30, 40, 50 respectively indicate an anode wiring, a Schottky contact anode wiring and a gate wiring.例文帳に追加

第１の導電型がＮ型の場合、３０はアノード配線、４０はショットキー接触アノード配線、５０はゲート配線である。 - 特許庁

The N lengths of wiring patterns respectively include a connection region for electrically connecting to wiring patterns in a wiring group in another layer.例文帳に追加

Ｎ本の配線パターンの各々は別の層の配線郡内の配線パターンと電気的に接続するための接続領域を含む。 - 特許庁

This arrangement wiring method includes an N times process that puts wiring 3a that can easily generate crosstalk on a wiring grid 1b with N times intervals (N≥2), and a normal process that puts wiring 3b other than the wiring 3a that can easily generate crosstalk on a wiring grid 1a with normal intervals.例文帳に追加

クロストークを生じやすい配線３ａを、Ｎ倍間隔（Ｎ≧２）の配線グリッド１ｂ上に置くＮ倍過程と、クロストークを生じやすい配線３ａ以外の他の配線３ｂを通常間隔の配線グリッド１ａ上に置く通常過程とを経る。 - 特許庁

An end of the p-side wiring portion at the n-side wiring portion side and an end of the n-side wiring portion at the p-side wiring portion side are on the organic insulating film.例文帳に追加

ｐ側配線部におけるｎ側配線部側の端部、およびｎ側配線部におけるｐ側配線部側の端部が、有機絶縁膜上に乗り上がっている。 - 特許庁

In the signal interconnection forming layer 13 of (N+1)th layer, dummy wiring 44 thinner than the signal interconnections 17-20 is formed in flush with the upper surface of the signal interconnections 17-20 of (N+1)th layer.例文帳に追加

Ｎ＋１層目の信号配線形成層１３には、Ｎ＋１層目の信号配線１７〜２０と上面において面一、かつ、信号配線１７〜２０よりも厚みが薄いダミー配線４４を形成する。 - 特許庁

If the number of layers N is an even number, the wiring track of the fourth wiring layer 14 corresponding to the real terminal 21 or that which is the N-th or smaller, while being even numbered from that wiring track is taken as an optimum candidate track.例文帳に追加

層数Ｎが偶数であれば、実端子２１に対応する第４配線層１４の配線トラック又は該配線トラックからＮ本以内で且つ偶数番目の配線トラックを最適候補トラックとする。 - 特許庁

The n-channel transistor TPA precharges the wiring LT0 to the voltage Vs, connects the source to the voltage Vs and the drain to the wiring LT0.例文帳に追加

nチャンネルトランジスタTPAは、配線LT0を電圧Vsにプリチャージし、ソースが電圧Vsに、ドレインが配線LT0に接続されている。 - 特許庁

N channel input optical wiring 12 is formed in one face of a wiring board 17; and N channel output optical wiring 13 is formed in the other face thereof.例文帳に追加

基板１７の一方の面にＮチャンネル入力光配線１２を形成し、他方の面にＮチャンネル出力光配線１３を形成する。 - 特許庁

Then, a switch 12 connects a source line S_n+1 to wiring 5 for setting a potential V_p or wiring 6 for setting a potential V_n.例文帳に追加

このとき、スイッチ１２は、ソースラインＳ_ｎ＋１をＶ_ｐ設定用配線５またはＶ_ｎ設定用配線６に接続させる。 - 特許庁

A caption DP1 indicates the dummy patterns placed on an N-th wiring layer, and a caption DP2 depicts the dummy patterns located on an (N+1)-th wiring layer.例文帳に追加

ＤＰ１はＮ配線層に配置されたダミーパターンであり、ＤＰ２は（Ｎ＋１）配線層に配置されたダミーパターンである。 - 特許庁

The wiring group has a structure where connection is switched so that wiring on the starting end side of J-th (J is the integer satisfying K<J≤N) wiring position is routed to wiring of the terminating end side of (J-K)th wiring position in a wiring layer above an arrangement region of the buffer circuit.例文帳に追加

配線群は、バッファ回路の配置領域の上層の配線層において、第Ｊ（Ｊは、Ｋ＜Ｊ≦Ｎを満たす整数）の配線位置の始端側の配線が第Ｊ−Ｋの配線位置の終端側の配線に接続替えされて配線される構造を有する。 - 特許庁

The inductor element comprises a wiring board 1 and an array of n wires 21-2n.例文帳に追加

配線基板１と、ｎ本のワイヤ２１〜２ｎのアレイとを含む。 - 特許庁

The wiring L1, L2 are connected to the N-type diffused layer 4.例文帳に追加

そのＮ型拡散層４に配線Ｌ１，Ｌ２が接続されている。 - 特許庁

Further, the gate electrode 9 is wired on the N-type diffusion layer 7.例文帳に追加

更に、ゲート電極９は、Ｎ型の拡散層７上に配線されている。 - 特許庁

The N+ diffusion layer 210 is connected to power source wiring 208.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層２１０は、電源配線２０８と接続される。 - 特許庁

An n-th wiring layer 12 is made on the interlayer film layer 24.例文帳に追加

層間膜層２４の上層に第Ｎ層の配線層１２を形成する。 - 特許庁

The plurality of wirings include a wiring group in which 2^N (N is an integer of 4 or more) or more wirings having a positive coefficient of correlation of an LER (Line Edge Roughness) on both side faces are lined continuously.例文帳に追加

そして、これら複数の配線は、両側面のＬＥＲ（Line Edge Roughness）の相関係数が正である配線が、連続して２^N本（Ｎは４以上の整数）以上並んだ配線群を含む。 - 特許庁

A main circuit wiring 4 comprises a P-side wiring 41 for connection between the P terminal of a rectifier 3 and the P-terminal of an inverter 6, and an N-side wiring 42 for connection between the N-terminal of the rectifier 3 and the N terminal of the inverter 6.例文帳に追加

主回路配線４は、順変換器３のＰ端子と逆変換器６のＰ端子とを接続するＰ側配線４１、および、順変換器３のＮ端子と逆変換器６のＮ端子とを接続するＮ側配線４２からなる。 - 特許庁

The mounting substrate 20 comprises a device mounting region 201, first n lines 202, and second n lines 203, and the first and second n lines are arranged alternately.例文帳に追加

この搭載基板２０は、デバイス搭載領域２０１と、ｎ個の第１の配線２０２と、ｎ個の第２の配線２０３とを備え、ｎ個の第１及び第２の配線は交互に配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device, a capacitive element 150 is provided over (M-N) or (M-N+1) interconnection layers, where M is the number of interconnection layers, each having an interconnection constituting the logic circuit, N is the number of interconnection layers, each having an interconnection constituting the memory circuit, M and N are natural numbers, and M>N.例文帳に追加

半導体装置においては、ロジック回路を構成する配線を有する配線層の層数をＭとし、メモリ回路を構成する配線を有する配線層の層数をＮとしたとき（ＭおよびＮは自然数であって、Ｍ＞Ｎ）、（Ｍ−Ｎ）層あるいは（Ｍ−Ｎ＋１）層の配線層にわたって、容量素子１５０が設けられている。 - 特許庁

The area of which the n-side metal wiring layer contacts with the n-side metal pillar is larger than that of which the n-side metal wiring layer contacts with the n-side electrode.例文帳に追加

ｎ側金属配線層とｎ側金属ピラーとが接触する面積は、ｎ側金属配線層とｎ側電極とが接触する面積より大である。 - 特許庁

In a CMOS circuit formed on a substrate 101, sub gate wiring (first wiring) 102a and main gate wiring (second gate wiring) 107a are provided in an N-channel type TFT.例文帳に追加

基板１０１上に形成されたＣＭＯＳ回路において、Ｎチャネル型ＴＦＴにサブゲート配線（第１配線）１０２aとメインゲート配線（第２ゲート配線）１０７aを設ける。 - 特許庁

In a CMOS circuit formed on a substrate 100, a sub gate wiring 102a (a first wiring) and a main gate wiring 107a (a second wiring) are provided on an N-channel TFT.例文帳に追加

基板１００上に形成されたＣＭＯＳ回路において、Ｎチャネル型ＴＦＴにサブゲート配線（第１配線）１０２aとメインゲート配線（第２ゲート配線）１０７aを設ける。 - 特許庁

In a CMOS circuit formed on a substrate 100, N channel type TFT is provided with a subgate wiring (a first wiring) 102a and a main gate wiring (a second gate wiring) 113a.例文帳に追加

基板１００上に形成されたＣＭＯＳ回路において、Ｎチャネル型ＴＦＴにサブゲート配線（第１配線）１０２aとメインゲート配線（第２ゲート配線）１１３aを設ける。 - 特許庁

The N lengths of wiring patterns include a wiring pattern N1 and two or more wiring patterns Ni (i≥2) disposed in one direction differing from the longer direction of the wiring pattern N1.例文帳に追加

Ｎ本の配線パターンは、配線パターンＮ１と、配線パターンＮ１の長手方向と異なる一方向に配置された二つ以上の配線パターンＮｉ（ｉ≧２）を含む。 - 特許庁

An n^+-diffusion layer 8 is arranged in a p-well 4 near a portion wherein wiring directions of the GND wiring 3 and the substrate bias VDD 2 wiring 5 intersect, and electrically connected to the GND wiring 3 via a contact.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層８が、ＧＮＤ配線３と基板バイアスＶＤＤ２配線５の配線方向が交差する部分の近傍におけるＰウェル４内に配され、ＧＮＤ配線３とコンタクトを介して電気的に接続される。 - 特許庁

In the wiring layer of the n-th layer of the logical circuit unit 81, the wirings La2 to La5 among the wirings (La1 to La7) provided substantially in parallel are bus wirings (Fig. (b)).例文帳に追加

論理回路部８１の第ｎ層目の配線層において、実質的に平行に設けられている配線（Ｌａ１〜Ｌａ７）のうち、配線Ｌａ２〜Ｌａ５は、バス配線である（図１（ｂ））。 - 特許庁

The p^+-diffusion layer 7 is used as a wiring path related to the VDD wiring 1, and the n^+-diffusion layer 8 is used as a wiring path related to the GND wiring 3.例文帳に追加

Ｐ＋拡散層７をＶＤＤ配線１に係る配線経路として用い、Ｎ＋拡散層８をＧＮＤ配線３に係る配線経路として用いる。 - 特許庁

The P-side wiring 41 is branched into two P-side wires 41a and 41b between a smoothing capacitor 5 and the inverter 6, and the two P-side wires 41a and 41b sandwich the N-side wiring 42 between them.例文帳に追加

平滑コンデンサ５と逆変換器６との間では、Ｐ側配線４１は２つのＰ側配線４１ａ，４１ｂに分岐しており、２つのＰ側配線４１ａ，４１ｂはＮ側配線４２を間に挟んでいる。 - 特許庁

A multilayer circuit board comprises a plurality of wiring layers of N layers (N≥2), formed of a first wiring layer 1 and a second wiring layer 2, and a through-hole layer 3 therebetween.例文帳に追加

第１配線層１と第２配線層２とから形成されるＮ層（Ｎ≧２）の複数配線層と、それらの間のスルーホール層３とから構成されている。 - 特許庁

The n-side wiring layer has a second n-side wiring layer which is provided in a shape along the wiring surface of the first insulating layer and the third surface, and has an L-sectioned part.例文帳に追加

ｎ側配線層は、第１の絶縁層の配線面および第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｎ側配線層を有する。 - 特許庁

N pieces of wiring lines 105, 106 to which N phases (N is a positive integer of 2 or more) of signals are supplied are located on the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１上にＮ相（ただしＮは２以上の正の整数）の信号が供給されるＮ本の配線１０５,１０６が設けられる。 - 特許庁

The n-side wiring layer is provided on the insulating film, and is connected to the n-side electrode via the n-side contact.例文帳に追加

ｎ側配線層は、絶縁膜上に設けられ、ｎ側コンタクト部を介してｎ側電極と接続されている。 - 特許庁

The n-side wiring layer is prepared in the insulating film, and connected to the n-side electrode through the n-side contact part.例文帳に追加

ｎ側配線層は、絶縁膜内に設けられ、ｎ側コンタクト部を介してｎ側電極と接続されている。 - 特許庁

Thus, the N-type well 25 will always be at the same potential as the N-type diffusion layer 26, without having to connect metal wiring 45 to the N-type well 25.例文帳に追加

このため、Ｎウエル２５に金属配線４５を接続しなくても、Ｎウエル２５はＮ拡散層２６と常に同電位となる。 - 特許庁