高速中性子反応の英語

一つの半導体放射線検出器の放射線入射方向側上に熱中性子を核反応より荷電粒子に変換するコンバータ物質及び高速中性子により反跳陽子を発生するラジエータ物質を備えた中性子検出器とすることによって、中性子ポケット線量計として小型化でき、コストダウンできるものである。例文帳に追加

A neutron detector is provided with a converter substance 2 for converting a thermal neutron to a charged particle due to nuclear reaction and a radiator substance 3 for generating a bounding proton due to a high-speed neutron on a side in the radiation incidence direction of one semiconductor radiation detector, thus miniaturizing the detector as a neutron pocket dosimeter and reducing costs. - 特許庁

上記医薬用放射性イットリウムは、濃縮あるいは非濃縮の^９０Ｚｒ、^９１Ｚｒ、^９２Ｚｒ又は^９３Ｎｂを含む原料ターゲットに、加速器からの高速中性子を照射し、特定の反応を起させることにより生成する。例文帳に追加

The radioactive yttrium for medicines forms by forcing specific reaction by irradiating fast neutrons from an accelerator to raw material targets containing ^90Zr, ^91Zr, ^92Zr or ^93Nb of condensation or non-condensation. - 特許庁

原料ターゲットに加速器からの高速中性子を照射し、原料ターゲットの種類に応じて下記のいずれかの反応を起させ、放射性同位元素を製造する。例文帳に追加

A fast neutron is emitted from an accelerator to a raw material target, to produce any of reactions, as follow, in response to the kind of the raw material target, and the radioisotope (excluding Mo) is generated thereby. - 特許庁

ウランの核分裂反応に伴う高速中性子の照射によってジルコニウム合金中に析出している金属間化合物の鉄やニッケルが溶け出し、その結果増加する母材中の鉄、ニッケル濃度からジルコニウム合金の耐食性を判定することを特徴とする。例文帳に追加

In this determination method of corrosion resistance, iron or nickel in an intermetallic compound deposited in a zirconium alloy is eluted by irradiation of fast neutrons caused by a nuclear fission reaction of uranium, and corrosion resistance of the zirconium alloy is determined from a resultantly increasing concentration of iron or nickel in a base material. - 特許庁

炉心と反射体との間に存在していた冷却材を排除して、反射体の移動領域における炉心への中性子反射を低減し、核燃料の反応度を低く抑え、かつ炉心周囲の温度環境に対する耐性の高い高速炉を提供する。例文帳に追加

To provide a fast reactor which controls the reactivity of nuclear fuel to a low value, by eliminating the coolant that has been present between a core and reflectors, to reduce the neutron reflection to the core in the region where the reflectors move and also has high resistance with respect to the temperature environment around the core. - 特許庁

半導体装置は、原子番号が１から１３までの原子のうち少なくとも１つの原子を含む材料で形成されたリードフレーム７０と、このリードフレーム７０上に設けられ、高速中性子２０とシリコンとの核反応により発生する粒子３０の最大飛程よりも薄い膜厚を有するシリコン基板１１と、このシリコン基板１１の表面に形成された半導体素子１４とを具備する。例文帳に追加

The semiconductor device has: a lead frame 70 formed by using materials including at least one atom from those with atomic numbers 1 through 13; a silicon substrate 11 that is provided on this lead frame 70 and has a film thickness thinner than the largest range of a particle 30 caused by a nuclear reaction between the fast neutron 20 and silicon; and a semiconductor element 14 formed on the surface of the silicon substrate 11. - 特許庁

核融合反応によって発生した高速中性子によってウラン２３８、トリウム２３２などを核分裂させエネルギー発生の増幅を行う核融合核分裂ハイブリッド炉において核分裂の発生するブランケット内での核分裂反応数の空間分布を制御し核融合炉容器の内壁における温度上昇を低く抑え、また冷却機構へのエネルギー伝達効率を高めることが本発明の課題である。例文帳に追加

To keep a temperature rise low in an internal wall of a nuclear fusion reactor vessel by controlling space distribution of the number of fission reaction in a blanket where fission occurs, and to enhance energy transmission efficiency to a cooling mechanism in a nuclear fusion and fission hybrid reactor causing nuclear fusion of uranium 238, thorium 232, etc. by a fast neutron generated by nuclear fusion reaction to carry out amplification of energy generation. - 特許庁