MOVPEとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 エム‐オー‐ブイ‐ピー‐イー
「MOVPE」を含む例文一覧
該当件数 : 58件
COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER FOR MOVPE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER FOR MOVPE例文帳に追加
MOVPE用化合物半導体ウェハ、その製造方法及びMOVPE用化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法 - 特許庁
MOVPE GROWTH APPARATUS AND METHOD FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加
MOVPE成長装置及び化合物半導体結晶の成長方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR MOVPE AND COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER USING THE SAME例文帳に追加
MOVPE用化合物半導体基板及びこれを用いた化合物半導体ウェハの製造方法 - 特許庁
To prevent a back current of gas from a reaction furnace exhaust side to a reaction furnace in a MOVPE device.例文帳に追加
MOVPE装置における反応炉排気側から反応炉へのガスの逆流を防ぐこと。 - 特許庁
A p-GaN layer 5 as III-nitride-system compound or the like is formed on a sapphire substrate 1 with the MOVPE method, and a first metal layer 6 composed of Co/Au is formed on the layer 5.例文帳に追加
サファイア基板1上にMOVPE 法等によりIII 族窒化物系化合物半導体等であるp-GaN 層5を形成し、その上にCo/ Auからなる第1金属層6を形成する。 - 特許庁
To reduce element resistance in a homo-embedding type optical semiconductor device for creating an active layer and an embedding structure by performing the MOVPE selective growth method for two times.例文帳に追加
2回のMOVPE選択成長法をによって活性層と埋め込み構造を作製するホモ埋め込み型光半導体素子において、素子抵抗の低減を図る。 - 特許庁
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「MOVPE」を含む例文一覧
該当件数 : 58件
To provide a compound semiconductor wafer for MOVPE hard to cause slippage in a wafer plane, even if rapid temperature change is applied, and to provide its manufacturing method, and a manufacturing method of a compound semiconductor epitaxial wafer for MOVPE.例文帳に追加
急激な温度変化が与えられても、ウェハ面内にスリップが発生し難いMOVPE用化合物半導体ウェハ、その製造方法及びMOVPE用化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁
An n-type layer 103, the light emitting layer 104 and a p-type layer 105 in which III nitride compound semiconductor or the like is formed on a sapphire substrate 101 are sequentially formed by an MOVPE method or the like.例文帳に追加
MOVPE 法等により、サファイア基板101上にIII 族窒化物系化合物半導体等であるn型層103、発光層104、p型層105を順次形成する。 - 特許庁
In S301, a silicon substrate 201 is carbonized using a carbon source whose decomposition temperature is within to the operation substrate temperature range of a metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) device, to form a silicon carbide layer 202, in the MOVPE device.例文帳に追加
S301で、有機金属気相成長(MOVPE)装置において、このMOVPE装置の動作基板温度範囲に分解温度が属する炭素源を用いてシリコン基板201を炭化し、炭化珪素層202を形成する。 - 特許庁
When the multilayer quantum well active layer 15 is grown by MOVPE method, triethyl gallium is employed as a gallium source.例文帳に追加
また、MOVPE法を用いて多重量子井戸活性層15を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。 - 特許庁
To provide a novel epitaxial growth method of increasing an epitaxial growth speed of a nitride group semiconductor by a MOVPE method.例文帳に追加
MOVPE法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供すること。 - 特許庁
A p-type CdTe monocrystal layer 12 is epitaxially grown by using an MOVPE method and formed on a CdTe monocrystal wafer 11.例文帳に追加
CdTe単結晶ウェーハ11上にp型CdTe単結晶層12をMOVPE法によりエピタキシャル成長させて形成する。 - 特許庁
A substrate produced by sequentially growing an undoped InGaAs layer, an n-type InP layer on an n-type InP substrate by MOVPE is employed.例文帳に追加
n型InP基板上に、順次、アンドープInGaAs層,n型InP層をMOVPE法により成長した基板を用いた。 - 特許庁
In S303, still in the MOVPE device, a nitride semiconductor layer 204 is stacked on the AlGaN buffer layer 203.例文帳に追加
そしてS303で、継続してこのMOVPE装置において、AlGaNバッファ層203上に窒化物半導体層204を積層する。 - 特許庁
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