VTDとは 意味・読み方・使い方

And, provided that the thermal Abbe's number of the diffraction optical element 4 is expressed by VTd and the linear expansion coefficient of materials of the element 4 is expressed by α, VTd=-1/(2α) is defined, then, the thermal aberration is corrected.例文帳に追加

そして、前記回折光学素子４の熱アッベ数Ｖ_Ｔｄを、当該回折光学素子の材料の線膨張率をαとした時に、Ｖ_Ｔｄ＝−１／（２α）と定義して熱収差補正を行う。 - 特許庁

To solve a problem wherein it is difficult to discriminate open circuit or short of signal transmission route and rotation direction signal VTD when the rotation direction signal VTD indicating the rotation direction of a brushless motor 12 is output to ECU 20 in a variable valve characteristic device varying valve characteristics of an engine valve by using the brushless motor 12.例文帳に追加

ブラシレスモータ１２を利用して機関バルブのバルブ特性を可変とするバルブ特性可変装置について、ＥＣＵ２０にブラシレスモータ１２の回転方向を表現する回転方向信号ＶＴＤを出力するに際し、同信号の伝播経路の断線及び短絡と回転方向信号ＶＴＤとの識別が困難なこと。 - 特許庁

A rotation direction signal generation part 58 outputs rotation direction signal VTD coincident with or reverse to logical values of the rotation speed signal VTS according to rotation direction of the brushless motor 12.例文帳に追加

回転方向信号生成部５８では、ブラシレスモータ１２の回転方向に応じて、回転速度信号ＶＴＳの論理値と一致又は逆となる回転方向信号ＶＴＤを出力する。 - 特許庁

A bias current setting circuit 25 decodes the VCO selection data, the VSB data and a digital conversion value VTD of a control voltage and outputs a predetermined bias setting value to a variable current source I1.例文帳に追加

バイアス電流設定回路２５は、ＶＣＯ選択データとＶＳＢデータと制御電圧のデジタル変換値ＶＴＤをデコードして、予め定めたバイアス設定値を可変電流源Ｉ１に出力する。 - 特許庁

To compensate for an output voltage error Vtd caused by a short-circuit preventing period of an output voltage of an inverter 1 without discriminating the polarity of the output current of the inverter 1.例文帳に追加

インバータ１の出力電流の極性を判別することなく、インバータ１の出力電圧の短絡防止期間に起因する出力電圧誤差分Ｖｔｄを補償する。 - 特許庁

A variable temperature and/or reactant dose atomic layer deposition (VTD-ALD) process modulates ALD reactor conditions (such as temperature and flow rate) during the growth of a film (such as a metallic film) on a wafer to produce different film properties and different film depths.例文帳に追加

温度および（または）反応物の投与量を調節可能な原子層堆積（ＶＴＤ−ＡＬＤ）プロセスは、異なるフイルム特性および異なるフイルムの奥行きを生成するために、ウェーハ上のフイルム（例えば金属）の成長段階において、ＡＬＤ反応装置の条件（例えば温度、流量など）を調節する。 - 特許庁