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意味・対訳 歪み緩和; 歪み解放


JST科学技術用語日英対訳辞書での「strain relaxation」の意味

strain relaxation


「strain relaxation」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 38



例文

Since the relaxation of physical and mental strain and the exhibition of the eye fatigue relaxation image are simultaneously executed, the eye fatigue is more effectively relaxed.例文帳に追加

心身の緊張を緩和させることと眼疲労緩和画像を提示することとが同時に行われるので、より効果的に眼疲労が緩和される。 - 特許庁

To fabricate a high speed CMOS device having an SiGe layer subjected to strain relaxation with high efficiency.例文帳に追加

歪緩和されたSiGe層を有する高速のCMOSデバイスを、効率よく製造することができる。 - 特許庁

To simultaneously overcome such a problem as film damage by oxygen negative ion irradiation specific to the time of oxide sputtering and such a problem as relaxation of strain in film formation and removal of strain in a method for forming an epitaxial strain lattice film of oxide.例文帳に追加

酸化物のエピタキシャル歪格子膜の成膜方法に関し、酸化物のスパッタ時特有の酸素負イオン照射による膜の損傷という問題と、成膜時に歪が緩和して歪まなくなるという問題を同時に克服する。 - 特許庁

On a GaAs layer 3, an InAs quantum-dot 4 having the larger lattice constant is formed by utilizing the strain relaxation.例文帳に追加

GaAs層3上に、これよりも格子定数の大きいInAs量子ドット4を歪み緩和を利用して形成する。 - 特許庁

A first multilayered structure 10 of a strained Si layer 14 and tensile strain SiGe alloy layer 16 constitute on a relaxation SiGe alloy layer 12.例文帳に追加

緩和SiGe合金層12上に歪みSi層14及び引っ張り歪みSiGe合金層16の第一多層化構造10を構成する。 - 特許庁

Subsequently, Si is grown on the surface of the lattice relaxation layer 12 through epitaxial growth to form a strain Si layer 14 (S16).例文帳に追加

そして、前記格子緩和層12の表面に対しSiをエピタキシャル成長させることにより、歪Si層14を形成する(S16)。 - 特許庁

例文

Each test obtains a series of relaxation test data by maintaining a predefined fixed strain of each sample (604).例文帳に追加

それぞれの試験では、各試料の予め定義した一定の歪みを維持することによって、一連のリラクセーション試験データを得る(604)。 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「strain relaxation」の意味

strain relaxation


クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「strain relaxation」の意味

strain relaxation


「strain relaxation」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 38



例文

To suppress relaxation of strain of an active layer even when a strained semiconductor element is formed on a fine active layer.例文帳に追加

微細な活性層上にひずみ半導体素子を形成しても、活性層のひずみの緩和を抑制することを可能にする。 - 特許庁

InAs dot formed by using strain relaxation on a GaAs layer is buried in a GaAs film 4 to a thickness not more than a thickness of dot thickness.例文帳に追加

GaAs層上に歪み緩和を利用して形成したInAsドットをGaAs膜でドットの厚さ以下の厚さまで埋め込む。 - 特許庁

Further, relaxation in the inner strain of the article is suppressed by releasing the article from the die immediately after pressing or by increasing the cooling rate.例文帳に追加

さらに、プレス直後に離型させるか、冷却速度をなるべく早くし、成形品の内部ひずみの緩和量を抑える。 - 特許庁

To provide a rubber composition for a sealing material which excels in stress relaxation properties and permanent compressive strain characteristics, and has high sealing performance.例文帳に追加

応力緩和性及び永久圧縮歪み特性に優れ、シール性能の高いシール材用ゴム組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer film structure in which relaxation of strain of a germanium tin mixed crystal layer is promoted and a tensile-strained germanium layer with a larger in-plane tensile strain can be formed.例文帳に追加

ゲルマニウム錫混晶層の歪緩和を促進し、より大きな面内伸張歪を持つ伸張歪ゲルマニウム層を形成することができる多層膜構造体を提供する。 - 特許庁

The relaxation of the Ritsuryo system also forced Daigaku-ryo to lose its kangakuden, which was changed into Shoen (manors in medieval Japan), and put a strain on its finances, despite rescue measures targeting Daigaku-ryo, such as the offering of suiko (government loans, often seed rice, made to peasants in Japan from the 7th through 12th centuries), because they were not sufficient.発音を聞く 例文帳に追加

更に律令制の弛緩は勧学田の荘園化による喪失を招き、これに対して大学寮向けの出挙制度の整備などの措置が取られたものの十分とは言えず、大学寮財政を圧迫する事になる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A strain relaxation silicon germanium layer 12 with through-dislocation 14 is epitaxially grown on a silicon substrate 11, and then a metallic layer 13 is formed to manufacture a multilayer film intermediate structure 10.例文帳に追加

シリコン基板11上に、貫通転位14を有する歪緩和シリコンゲルマニウム層12をエピタキシャル成長させ、次いで金属層13を形成して多層膜中間構造体10を作製する。 - 特許庁

例文

The resin composition for the toner is30 to10^3 Pa in relaxation modulus G (0.1) 0.1 second after a shear strain of 450% is applied thereto under a condition of 190°C.例文帳に追加

190℃の条件下で450%の剪断ひずみを与えたときに、前記剪断ひずみを与えてから0.1秒後の緩和弾性率G(0.1)が30Pa以上10^3Pa以下であるトナー用樹脂組成物。 - 特許庁

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