「ULSI」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ULSI COMPRISING BINARY-NOTATION-SYSTEM ELEMENT FOR RETURNING ELEMENTARY PARTICLE OR ATOM TO PAST例文帳に追加

素粒子又は原子過去戻し２進法方式素子から成るＵＬＳＩ - 特許庁

ELECTROLESS COPPER PLATING LIQUID, ELECTROLESS COPPER PLATING METHOD, AND ULSI COPPER WIRING FORMATION METHOD例文帳に追加

無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法及びＵＬＳＩ銅配線形成方法 - 特許庁

The method can be applied suitably to the formation of an interlayer insulating film or protective film in a semiconductor element, such as ULSI which demands high integration density and multilayer structure.例文帳に追加

本発明の方法は、高密度、多層化が要求されるＵＬＳＩ等の半導体素子の層間絶縁膜や保護膜の形成に好適である。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductive Ta-based thin film as a barrier film for copper wiring coping with the tendency of fining ULSI (ultra-large scale integrated circuit).例文帳に追加

ＵＬＳＩの微細化に伴って、銅配線用バリア膜として、薄い導電性Ｔａ系膜形成方法を提供する。 - 特許庁

MATERIAL AND METHOD FOR DEPOSITING CONDUCTIVE BARRIER FILM, WIRED FILM DEPOSITING METHOD, AND ULSI例文帳に追加

導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにＵＬＳＩ - 特許庁

CONDUCTIVE BARRIER FILM FORMING MATERIAL, CONDUCTIVE BARRIER FILM FORMING METHOD, WIRING FILM FORMING METHOD, AS WELL AS ULSI例文帳に追加

導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにＵＬＳＩ - 特許庁

ELECTRICALLY CONDUCTIVE Ta FILM FORMING MATERIAL, FORMATION OF ELECTRICALLY CONDUCTIVE Ta FILM, FORMATION OF WIRING FILM AND ULSI例文帳に追加

導電性Ｔａ系膜形成材料、導電性Ｔａ系膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにＵＬＳＩ - 特許庁

To provide a method of forming a ferroelectric film capacitor in which a sufficient yield for adapted to ULSI chips can be secured.例文帳に追加

本発明の目的はＵＬＳＩに応用できるほどの歩留りを確保できる強誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To prevent a deterioration of a metal and a metal oxide of a gate electrode or a gate insulating film due to a high temperature process, in manufacturing a field effect transistor (Schottky barrier MOSFET) utilizing a Schottky tunnel junction useful for an ULSI.例文帳に追加

ULSIに有用なショットキー・トンネル接合を利用した電界効果型トランジスタ（ショットキー障壁型MOS FET ）の製造において、ゲート電極やゲート絶縁膜の金属及び金属酸化物が高温プロセスにより劣化するのを防止する。 - 特許庁

A multi-clock design style is necessary for integrated circuits(IC) with a high degree of integration such as a very large-scale integration or an ultra large-scale integration (VLSI or ULSI) used for a complicated ASIC (application specific integrated circuit), an SOC(systems on a chip) in a number of cases on grounds of functions and/or performance.例文帳に追加

高い集積度を持つ集積回路（IC）、例えば、複雑なASIC（Application Specific Integrated Circuits：特定用途集積回路）あるいはSOC（Systems on a Chip）に対して用いられる大規模あるいは超大規模集積回路（VLSIあるいはULSI）は、多くの場合、機能および／あるいは性能上の理由からマルチクロック設計スタイルを必要とする。 - 特許庁

To obtain a highly integrated high-performance element by simplifying the manufacturing process of the element, using an ultra thin hafnium oxide (HfO_2) or ZrO_2 film formed in sol-gel method for the gate insulating film of a transistor which serves as a base in the element and improving the characteristics of the insulating film.例文帳に追加

高集積化が著しいシリコン（Si）素子（ULSI）において、ベースとなるトランジスタのゲート絶縁膜にゾルゲル法で作製した酸化ハフニウム（HfO_2）やZrO_2超薄膜を使用し、製造プロセスを簡略化し、かつ絶縁膜特性の向上により、高性能の高集積化素子（ULSI）を実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic device such as VLSI/ULSI which can display a high effective gettering ability for heavy metals to improve the nondefective ratio.例文帳に追加

ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ等の電子デバイス製造プロセスにおいて、重金属に対して効果の高いゲッタリング能力を発揮し、良品率を向上させることができる電子デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a device and a method for cleaning a substrate, by which the substrate such as a semiconductor material, ULSI and a wafer can be cleaned with high cleaning effectiveness.例文帳に追加

半導体材料・ＵＬＳＩ・ウェーハなどの基板を洗浄する装置およびその方法において、洗浄効果の高い基板洗浄装置およびその方法を提供すること。 - 特許庁

To provide Cu-based wiring which exhibits high performance (low electric resistivity) and high reliability (high EM resistance) for a semiconductor device such as an Si semiconductor device represented by, for example, a ULSI (ultra large-scale integrated circuit).例文帳に追加

例えばＵＬＳＩ（超大規模集積回路）等に代表されるＳｉ半導体デバイス等の半導体装置において、高性能（低電気抵抗率）かつ高信頼性（高ＥＭ耐性）を示すＣｕ系配線を提供する。 - 特許庁

Methods for producing air-gap-containing metal-insulator interconnect structures for VLSI and ULSI devices using a photo-patternable low k material as well as the air gap-containing metal-insulator interconnect structure that is formed are disclosed.例文帳に追加

ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩ用の空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を、光パターン化可能低ｋ材料を用いて作成する方法、及び形成した空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を開示する。 - 特許庁

To provide a method of forming in-layer and interlayer air bridge structures, in a large scale integrated circuit (VLSI) device, a very large scale integrated circuit (ULSI) device, and a high-performance package.例文帳に追加

大規模集積回路（ＶＬＳＩ）と超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）デバイスおよび高性能パッケージにおいて層内および層間のエアー・ブリッジ構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a formation method of copper seed layer in ULSI metallization which is simple at a low cost, suitable for a substrate having a via with a large aspect ratio and can prevent problems generated by a reactive by- products.例文帳に追加

低コストで簡単であり、大きなアスペクト比をもつビアを有する基板に適し、反応副産物により発生する問題を防止できるＵＬＳＩメタライゼーションにおける銅シード層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The ULSI is manufactured out of elements utilizing a binary notation wherein the time when elementary particles or atoms are returned to past is set to 1 and the time interval when elementary particles or atoms are not returned to past is set to 0.例文帳に追加

素粒子または原子を過去に戻した時を１として戻さなかった時の間隔を０とする２進法を利用した素子でＵＬＳＩを造る。 - 特許庁

To provide a heat transmission body capable of efficiently guiding heat generated by an electronic device to a radiator by being interposed between the radiator and various kinds of electronic devices using a semiconductor element, a heater element, a light emitting element such as a diode, a transistor, an IC, CPU, MPU, LSI, VLSI, ULSI.例文帳に追加

ダイオードやトランジスター、ＩＣ、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩ等の半導体素子や発熱素子や発光素子等が用いられた各種電子デバイスと放熱体との間に介在させることにより、電子デバイスが発する熱を高効率で放熱体に誘導することができる熱伝達体を提供すること。 - 特許庁