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ULSIとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 超々LSI; 極超大規模集積回路
「ULSI」を含む例文一覧
該当件数 : 24件
PATTERNABLE LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL AND ITS USE IN ULSI INTERCONNECTION例文帳に追加
パターナブル低誘電率材料およびULSI相互接続でのその使用 - 特許庁
FORMATION METHOD OF COPPER SEED LAYER IN ULSI METALLIZATION例文帳に追加
ULSIメタライゼーションにおける銅シード層の形成方法 - 特許庁
TANTALUM MEMBRANE-FORMING MATERIAL, FORMATION OF TANTALUM MEMBRANE, AND ULSI例文帳に追加
Ta系膜形成材料及びTa系膜形成方法並びにULSI - 特許庁
MATERIAL FOR Ta-BASED FILM FORMATION, Ta-BASED FILM FORMATION METHOD AND ULSI例文帳に追加
Ta系膜形成材料、Ta系膜形成方法、及びULSI - 特許庁
ULSI COMPRISING BINARY-NOTATION-SYSTEM ELEMENT FOR RETURNING ELEMENTARY PARTICLE OR ATOM TO PAST例文帳に追加
素粒子又は原子過去戻し2進法方式素子から成るULSI - 特許庁
ELECTROLESS COPPER PLATING LIQUID, ELECTROLESS COPPER PLATING METHOD, AND ULSI COPPER WIRING FORMATION METHOD例文帳に追加
無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法及びULSI銅配線形成方法 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「ULSI」の意味 |
ULSI
「ULSI」を含む例文一覧
該当件数 : 24件
The method can be applied suitably to the formation of an interlayer insulating film or protective film in a semiconductor element, such as ULSI which demands high integration density and multilayer structure.例文帳に追加
本発明の方法は、高密度、多層化が要求されるULSI等の半導体素子の層間絶縁膜や保護膜の形成に好適である。 - 特許庁
To provide a method for forming a conductive Ta-based thin film as a barrier film for copper wiring coping with the tendency of fining ULSI (ultra-large scale integrated circuit).例文帳に追加
ULSIの微細化に伴って、銅配線用バリア膜として、薄い導電性Ta系膜形成方法を提供する。 - 特許庁
MATERIAL AND METHOD FOR DEPOSITING CONDUCTIVE BARRIER FILM, WIRED FILM DEPOSITING METHOD, AND ULSI例文帳に追加
導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにULSI - 特許庁
CONDUCTIVE BARRIER FILM FORMING MATERIAL, CONDUCTIVE BARRIER FILM FORMING METHOD, WIRING FILM FORMING METHOD, AS WELL AS ULSI例文帳に追加
導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにULSI - 特許庁
ELECTRICALLY CONDUCTIVE Ta FILM FORMING MATERIAL, FORMATION OF ELECTRICALLY CONDUCTIVE Ta FILM, FORMATION OF WIRING FILM AND ULSI例文帳に追加
導電性Ta系膜形成材料、導電性Ta系膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにULSI - 特許庁
To provide a method of forming a ferroelectric film capacitor in which a sufficient yield for adapted to ULSI chips can be secured.例文帳に追加
本発明の目的はULSIに応用できるほどの歩留りを確保できる強誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供することにある。 - 特許庁
To prevent a deterioration of a metal and a metal oxide of a gate electrode or a gate insulating film due to a high temperature process, in manufacturing a field effect transistor (Schottky barrier MOSFET) utilizing a Schottky tunnel junction useful for an ULSI.例文帳に追加
ULSIに有用なショットキー・トンネル接合を利用した電界効果型トランジスタ(ショットキー障壁型MOS FET )の製造において、ゲート電極やゲート絶縁膜の金属及び金属酸化物が高温プロセスにより劣化するのを防止する。 - 特許庁
A multi-clock design style is necessary for integrated circuits(IC) with a high degree of integration such as a very large-scale integration or an ultra large-scale integration (VLSI or ULSI) used for a complicated ASIC (application specific integrated circuit), an SOC(systems on a chip) in a number of cases on grounds of functions and/or performance.例文帳に追加
高い集積度を持つ集積回路(IC)、例えば、複雑なASIC(Application Specific Integrated Circuits:特定用途集積回路)あるいはSOC(Systems on a Chip)に対して用いられる大規模あるいは超大規模集積回路(VLSIあるいはULSI)は、多くの場合、機能および/あるいは性能上の理由からマルチクロック設計スタイルを必要とする。 - 特許庁
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