μ-waveとは 意味・読み方・使い方

The electromagnetic wave absorber is designed by using a complex specific dielectric coefficient (ε' and ε") and the complex relative permeability (μ' and μ") of a material constituting the electromagnetic wave absorption layer 4 and the dielectric layer 3 other than a pattern shape.例文帳に追加

パターン形状以外に電磁波吸収体４および誘電体層３を構成する材料の複素比誘電率（ε’、ε”）および複素比透磁率（μ’、μ”）を用いて設計し、とくに複素比透磁率（μ’、μ”）を有する材料を導電性パターン１２に近接させることで、電磁波吸収層４を薄くし、斜入射特性を改善させる。 - 特許庁

The plasma generator PU is provided with a microwave generator 10, a wave guide tube 20 which is connected with the microwave generator 10 and transmits the microwaves μ, and a plasma generating portion 30 arranged in the wave guide tube 20.例文帳に追加

プラズマ発生装置ＰＵは、マイクロ波μを発生するマイクロ波発生装置１０、このマイクロ波発生装置１０に接続され前記マイクロ波μを伝搬させる導波管２０、及び、該導波管２０に設けられたプラズマ発生部３０を備える。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave suppressor sheet capable of reducing unnecessary radiative electromagnetic wave from an electronic apparatus and having a large imaginary part permeability μ" and an excellent electric insulating property.例文帳に追加

電子機器からの不要輻射電磁波が低減可能で、虚数部透磁率μ″が大きいとともに優れた電気絶縁性を兼ね備えた電磁波抑制体シートを提供する。 - 特許庁

To provide a radio wave absorber having high imaginary magnetic permeability μ" in a frequency band of several hundreds MHz to several GHz and an excellent electromagnetic wave suppression effect in a high-frequency band.例文帳に追加

数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数帯域において虚数透磁率μ”が高く、高周波帯域での電磁波抑制効果に優れた電波吸収体を提供する。 - 特許庁

To provide a placing base for a microwave oven capable of heating a placed object very efficiently while preventing heating unevenness very easily and positively without taking time by allowing not only the direct incidence of μ-wave to the lower face of the placed object but also the incidence of μ-wave which entered a surface facing the lower face, to the lower face of the placed object.例文帳に追加

単に前記被載置物の下面に直接μ波が入射するだけでなく、この下面と対向する面に入射したμ波をも被載置物の下面に入射させることができ、手間をかけることなく極めて容易且つ確実に加熱ムラを防止して極めて効率良く前記被載置物の加熱を行うことができる極めて実用性に秀れた電子レンジ用載置台を提供するものである。 - 特許庁

METHOD OF SETTING μ WAVE POWER IN MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR BY USE OF PLASMA, EQUIPMENT FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SETTING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SETTING METHOD例文帳に追加

プラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法並びに当該設定方法を適用した半導体装置の製造装置及び上記設定方法を用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

As the insulator layer is thus provided, the coil antenna can have proper μ'-characteristics in a low medium wave band, even when it is bent during use.例文帳に追加

このように絶縁体層を設けたことから、コイルアンテナは、たとえ使用中に曲げられた場合であっても、低中波帯において良好なμ’特性を有することができる。 - 特許庁

To provide a μ wave power setting method and the like in the manufacture of a semiconductor by the use of plasma, wherein factors, such as the change with time, events or the like, causing fluctuations are eliminated.例文帳に追加

経時変化及びイベント等による変動要因をなくしたプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法を得る。 - 特許庁