あくろめがりーの英語

少なくても３８マイクロメートルのメジアン粒子直径ＤＯＰ（５０、３）および少なくても８０マイクロメートルの均等粒子円のメジアン粒子直径ＥＱＰＣ（５０、３）を有する粒子状ポリサッカライド誘導体を添加する前に、加水分解硬化性組成物が粒子状ポリサッカライド誘導体を含んでいない。例文帳に追加

The hydrolytically curable composition is free of any particulate polysaccharide derivatives before adding the particulate polysaccharide derivative having a median particle diameter DOP (50, 3) of at least 38 micrometers and a median particle diameter of the equivalent particle circle EQPC (50, 3) of at least 80 micrometers. - 特許庁

酸化ガリウム粉末、リン化マンガン粉末および二酸化マンガン粉末の混合物を、流量100〜400sccmのアンモニアガスを流しながら、1353〜1423Kの温度に0.5〜1時間加熱して、直径100〜500ナノメートル、長さ数十マイクロメートルのマンガンがドープされた窒化ガリウムナノワイヤーを製造する。例文帳に追加

The manganese-doped gallium nitride nano-wire having 100-500 nm diameter and several tens micrometer length is manufactured by heating a mixture of gallium oxide powder, manganese phosphide powder and manganese dioxide powder at 1,353-1,423K temperatures for 0.5-1 hr while passing ammonia gas at 100-400 sccm flow rate. - 特許庁

耐食性が良好で且つ六価クロムの溶出を極力低減することで人体及び環境に対して悪影響の少ない三価クロメート鍍金システムを得る。例文帳に追加

To obtain a trivalent chromate plating system which is good in corrosion resistance and does not exert advance influence on a human body and environment by minimizing the elution of hexavalent chromium. - 特許庁

その後、摂氏１０５０度の基板温度を摂氏１０５０度、炉内圧力を３０キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型ＧａＮバッフア層３を基板１に成長する。例文帳に追加

Thereafter, trimethylgallium, ammnonia and silane are introduced, while the substrate temperature of 1,050°C and pressure in the furnace are maintained at 1,050°C and 30 kPa, respectively, and a GaN buffer layer 3 of 1 micrometer thickness is grown on the substrate 1. - 特許庁

その後、摂氏１０５０度の基板温度を摂氏１０５０度、炉内圧力を３０キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型ＧａＮバッフア層３を基板１に成長する。例文帳に追加

Then, while the substrate temperature of 1,050°C is held at 1,050°C and the internal pressure in the furnace is held at 30 kPa as they are, a trimethyl gallium, an ammonia and a silane are introduced, and an n-type GaN buffer layer 3, having a thickness of 1 μm, is grown on the substrate 1. - 特許庁

１　製造工程中に混入する金属以外の粒子（径が一〇〇マイクロメートルを超えるものに限る。）の数が粒子一、〇〇〇、〇〇〇、〇〇〇個当たり三個未満のニッケル合金であって、アルミニウム及びニッケルを含む三種類以上の元素からなるもの例文帳に追加

i. Nickel alloys with a number of particles other than metals mixed during the manufacturing process of less than 3 per 1,000,000,000 particles (limited to those with a diameter exceeding 100 micrometers) and made of elements of 3 types or more including aluminum and nickel発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

酸化ガリウム粉末と硫化亜鉛粉末と活性炭粉末との混合物を不活性ガス気流中で、１３００〜１６００℃で１〜２時間加熱することにより、外径が２００〜９００ｎｍであり、チューブ壁の厚さが６０〜３００ｎｍである硫化ガリウムサブマイクロメートルチューブを製造することができる。例文帳に追加

A mixture of gallium oxide powder, zinc sulfide powder and activated carbon powder is heated at 1,300 to 1,600°C for 1 to 2 hr in an inert gas stream, thus a gallium sulfide submicrometer tube whose outer diameter is 200 to 900 nm, and the thickness of the tube wall is 60 to 300 nm can be produced. - 特許庁

基材層、接着層１、アルミニウム、化成処理層、接着層２、ヒートシール層からなり、ヒートシール層が少なくともエチレンコンテントが５〜１０重量％であるエチレンリッチなランダムポリプロピレンとホモポリプロピレンとのブレンド樹脂層であり、化成処理がリン酸クロメート処理である。例文帳に追加

This wrapping material is constituted of a base material layer, an adhesive layer 1, aluminum, a chemical conversion treated layer, an adhesive layer 2 and a heat sealed layer, the heat sealed layer is a blended resin layer of ethylene rich random polypropylene and homo-polypropylene of ethylene contents of at least 5-10 weight %, and chemical conversion treatment is chromate phosphate treatment. - 特許庁