えそじま３ちょうめの英語

ｃ面サファイア基板１上に成長させたＧａＮ層２上に、成長マスクとしてストライプ形状を有するＳｉＯ_2 膜３を形成する。例文帳に追加

An SiO2 film 3 having a stripe shape as a growing mask is formed on a GaN layer 2 grown on a c-face sapphire substrate 1. - 特許庁

続いてＳｉＯ_2 膜４上およびＧａＮ層３上にアンドープのＧａＮ層６を再成長させた後、ＧａＮ層６の表面を研磨する。例文帳に追加

Then, after an undoped GaN layer 6 is grown again on the SiO2 film 4 and GaN layer 3, the surface of the GaN layer is polished. - 特許庁

レール２Ａ側から順次に１枚目及び２枚目の天井パネル３，３を設置した後、張出片１２がそれらに跨るように保持具１０をレール２にビス留めして取り付ける。例文帳に追加

The first and second ceiling panels 3 and 3 are mounted successively from the rail 2A side, and the holder 10 is fixed by screws and installed to the rails 2 so that the projecting pieces 12 across these ceiling panels 3 and 3. - 特許庁

また、絶縁性樹脂層３の表面に貼り付けたダイシングテープ４を伸張させることによって絶縁性樹脂層３を切断する。例文帳に追加

Further, an insulating resin layer 3 is cut by extending the dicing tape 4 stuck on the surface of the insulating resin layer 3. - 特許庁

また、緩衝材層１２は、空気を包含する性質の素材からなり、表面から裏面への流れ抵抗値が４０Ｎｓｍ^-3以上、８００Ｎｓｍ^-3以下に調整されている。例文帳に追加

Further, the shock-absorbing material layer 12 comprises a material having property containing air and a flowing resistance value from the front surface to the back surface is adjusted to 40 Nsm^-3 to 800 Nsm^-3. - 特許庁

膨張黒鉛テープをひねり加工した膨張黒鉛基材２の外表面側に、線径０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍの補強線材３が膨張黒鉛基材２の外表面にスパイラル状に露出した膨張黒鉛テープ端縁４に沿ってその内側に埋入するよう巻回されている。例文帳に追加

A reinforcing wire material 3 having 0.05-0.2 mm of wire diameter is wound around the outer surface of an expanding graphite base material 2, which is formed by twisting an expanding graphite tape, so that the reinforcing wire material 3 is embedded inside along an expanding graphite tape edge 4 spirally exposed in the outer surface of the expanding graphite base material 2. - 特許庁

本発明の光記録媒体は、記録層上に超解像膜３を備えた光記録媒体１において、前記超解像膜３が再生光の波長におけるモル吸光係数が１０００Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ以上であり、位相緩和時間が０．５ｆｓｅｃ以上である色素を含有する色素膜であることを特徴とする。例文帳に追加

In the optical recording medium 1 having a superresolution film 3 formed on a recording layer, the superresolution film 3 is a dye film containing a dye having ≥1,000 L/mol cm mol absorbance at the wavelength of the reproducing light and ≥0.5 fsec phase relaxation time. - 特許庁

（特に当面3年間で、累計約40兆円～60兆円の需要と140万人～200万人の雇用の創出を実現16。）例文帳に追加

(In the coming three years, particularly, the government will seek to create \\40 to \\60 trillion in demand and 1.4 to 2 million jobs.16) - 経済産業省