きたきぬたちょうの英語

シリコン基板１１にｐ^＋形領域１２および１３を形成した後、ｎ^^＋形のエピタキシャル成長層１４を形成する。例文帳に追加

After p+ type regions 12 and 13 are formed at a silicon substrate 11, an epitaxial growth layer 14 of n+ type is formed. - 特許庁

シリコン基板１上にＮ＋型のコレクタ埋め込み層２を形成し、Ｎ−型のエピタキシャル層３を成長させた後、Ｎ＋型のコレクタ層４を形成する。例文帳に追加

An N^+ type collector embedded layer 2 is formed on a silicon substrate 1 and after an N^- type epitaxial layer 3 is caused to grow, an N^+ type collector layer 4 is formed. - 特許庁

受光素子は、Ｐ^＋層２と、Ｐ^＋層上に形成されるＰ型エピタキシャル成長層３と、Ｐ型エピタキシャル成長層３上に形成されたＮ型エピタキシャル成長層４と、Ｎ型エピタキシャル成長層４上に形成されるＮ^＋拡散層５から構成されるＰＩＮ構造を有する。例文帳に追加

The light receiving element has a PIN structure having a p^+-layer 2, a p-type epitaxial growth layer 3 formed on the p^+-layer, an n-type epitaxial growth layer 4 formed on the p-type epitaxial growth layer 3, and an n^+-diffusion layer 5 formed on the n-type epitaxial growth layer 4. - 特許庁

ゲート電極16aにゲート電圧が印加されると、トレンチ14に沿ってｐ−エピタキシャル成長層12にチャネルが形成され、ｎ＋ドレーン層17からｐ−エピタキシャル成長層12に電子電流が流れる。例文帳に追加

When a gate voltage is applied to a gate electrode 16a, a channel is formed in a p-epitaxial growth layer 12 along a trench 14, and electric currents are allowed to flow from an n+ drain layer 17 to the p-epitaxial growth layer 12. - 特許庁

ゲート電極16aにゲート電圧が印加されると、トレンチ14に沿ってｐ−エピタキシャル成長層12にチャネルが形成され、ｎ＋ドレーン層17からｐ−エピタキシャル成長層12に電子電流が流れる。例文帳に追加

When a gate voltage is applied to a gate electrode 16a, a channel is formed in a p-epitaxial growth layer 12 along a trench 14, and electric currents are allowed to flow from an n+ drain layer 17 to the p-expitaxial growth layer 12. - 特許庁

ＧａＡｓ単結晶１０のｎ^＋ −ＧａＡｓ層８をエピタキシャル成長により成膜した後、引き続きＳｉ層１１を同一のエピタキシャル成長炉内においてエピタキシャル成長させ、しかる後アルミニウムの電極１２をオーミック電極としてＳｉ層１１上に形成する。例文帳に追加

Following to the epitaxial growth of an n^+-GaAs layer 8 of GaAs single crystal 10, an Si layer 11 is grown epitaxially in the same epitaxial growth furnace and then an aluminum electrode 12 is formed, as an ohmic electrode, on the Si layer 11. - 特許庁

本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

A GaN substrate 28 according to the present invention comprises a substrate 14 of GaN monocrystal, an intermediate layer 24 of AlGaN(0<x≤1) formed on the substrate 14 by epitaxial growth, and an upper layer 26 of GaN formed on the intermediate layer 24 by epitaxial growth. - 特許庁

本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

A GaN substrate 28 comprises a substrate 14 constituted of GaN single crystal, an intermediate layer constituted of AlGaN (0<x≤1) epitaxially grown on the substrate 14, and an upper layer 26 constituted of GaN epitaxially grown on the intermediate layer 24. - 特許庁