きたたでいちょう１ちょうの英語

活性層１を含むメサ構造を埋め込む埋込層であって、活性層１より上部に位置するｎ型電流ブロック層３を選択成長させる際に、ｎ型不純物とＩＩ族ｐ型不純物とを同時に含んだ雰囲気中で成長させる。例文帳に追加

A layer for burying a mesa structure including an active layer 1 is grown in an atmosphere simultaneously containing n- and II-family p-type impurities when an n-type current block layer 3 positioned at the upper part of the active layer 1 is selected for growing. - 特許庁

更に、混在網３から到来するヘッダ付きデータであれば、該データが固定長セルであるか可変長パケットであるか判別し、固定長セルでれば混在網のヘッダをセルヘッダに置き換えて固定長のセル網１に送出し、可変長パケットであれば混在網のヘッダを削除してパケット網２へ送出する。例文帳に追加

Moreover, the transmitter 4 judges whether data with a header from the coexisting network 3 are the fixed length cell or the variable length packet, transmits the fixed length cell to the fixed length cell network 1 by replacing the header of the coexisting network with the cell header, and transmits the variable length packet to the packet network 2, by removing the header of the coexisting network. - 特許庁

更に、制御回路１は、この入力データの各ビットを夫々反転させることにより、極性反転した階調値を生成し、次の１Ｈ期間では、こうして生成した階調値に対応した電圧を上記基準電圧を元に液晶パネル５に供給するように水平ドライバ３を制御する。例文帳に追加

Moreover, the control circuit 1 generates gradation values in which input data are inverted by inverting respective bits of the input data and controls the horizontal drivers 3 so as to supply voltages corresponding to the gradation values generated in such a manner to the panel 5 on the basis of the reference voltages in the next H period. - 特許庁

本発明による半導体発光素子の製造方法は、GaAs（111）Ａ基板1に発光層を含むGaN系半導体層の積層を成長した後、導電性の接着剤により前記積層表面に設けた電極面と導電性基板とを接着した後、GaAs（111）Ａ基板1を除去する。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor light emitting device comprises the steps of, laminating GaN based semiconductor layers including light emitting layer on a GaAs (111) A substrate 1, fixing an electrode surface provided on the above-mentioned lamination surface and the conductive substrate with a conductive adhesive, and removing the GaAs (111) A substrate 1. - 特許庁

本発明による半導体発光素子の製造方法は、GaAs（111）Ａ基板1に発光層を含むGaN系半導体層の積層を成長した後、導電性の接着剤により前記積層表面に設けた電極面と導電性基板とを接着した後、GaAs（111）Ａ基板1を除去する。例文帳に追加

A manufacturing method of a semiconductor light-emitting element includes the steps of: growing a laminate of GaN based semiconductor layers including light emitting layer, on a GaAs (111) A substrate 1; fixing an electrode surface provided on a surface of the laminate and the conductive substrate with a conductive adhesive; and removing the GaAs (111) A substrate 1. - 特許庁

制御部１と、太陽電池２と、蓄電池３と、植物個体６に取付けた電極４と、土壌中に配置した電極５を備えた植物成長促進装置によって、植物に微弱電流を供給する。例文帳に追加

The device for promoting plant growth comprises a controlling part 1, a solar battery 2, an accumulator battery 3, an electrode 4 attached to a plant body 6, and an electrode 5 set into the ground to supply weak electric current to the plant. - 特許庁

色の階調データを補正したデータで構成されている色毎の補正データテーブルを４種類記憶する記憶領域がＲＡＭ１〜ＲＡＭ４として設けられている。例文帳に追加

This image processor is provided with storage areas storing four kinds of correction data tables each in each color, each configured by data wherein the gradation data of the color are corrected, as a RAM 1 to a RAM 4. - 特許庁

固定資産管理システム１は、各固定資産に係る情報を記憶した電子台帳２３と、各固定資産の識別子を該固定資産の設置場所に添付した電子地図３１を有する。例文帳に追加

A fixed property management system 1 is provided with an electronic ledger 23 in which information related with each fixed property is stored and an electronic map 31 in which the identifier of each fixed property is attached to the set place of the fixed property. - 特許庁