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きたたでいちょう1ちょうの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 50



例文

また、前記電解液を用い長期信頼性に優れた電気化学デバイスを提供すること。例文帳に追加

The electrolyte for electrochemistry device contains annular ammonium salt expressed by a formula (1) as an electrolyte. - 特許庁

私の兄貴分、山崎拓さんが政調会長で、私とか木村義雄さんとか、当時、武部(勤)は私の1期下でしたが、自民党の財政金融、金問調(金融問題調査委員会)というのがありまして、そこにいて1時間ぐらい結構大きい声で暴れて、期日までに法律をきちんとまとめた経験がございました。例文帳に追加

Mr. Taku Yamasaki, a senior colleague of mine, was chairman of the council, and Mr. Yoshio Kimura and Tsutomu Takebe, who is one term my junior, and I were members of the LDP's investigation commission on financial issues. After one hour of heated discussion, we wrapped up a bill by the deadline.  - 金融庁

本発明による表示装置()は、表示パネル(2)と、環境センサ(6)と、入力階調データ(D_IN)を補正して補正後階調データ(Dγ)を生成する補正回路(3)と、補正後階調データ(Dγ)に応答して表示パネル(2)を駆動する駆動回路(6)とを備えている。例文帳に追加

The display device (1) includes a display panel (2), an environmental sensor (6), a correction circuit (13) to generate corrected gray-scale data (Dγ) by correcting input gray-scale data (D_IN) and a drive circuit (16) for driving the display panel (2) in response to the corrected gray-scale data (Dγ). - 特許庁

そして、一定温度に昇温された電気炉内で、上部部材6の融液溜め8に貯溜されている融液を成長室3内に注入した後、電気炉内を降温することによって半導体基板のエピタキシャル成長面に結晶を成長させる。例文帳に追加

The melt stored in the melt reservoir 8 of the upper member 6 is injected into the growth chambers 3 in an electric furnace heated up to a prescribed temperature and the temperature of the interior of the electric furnace is reduced to thereby grow the crystal on the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

例文

例えば、光ディスク0がデータ記録により反射率の増大する型であり、K>である場合には記録パワーPを増大調整する。例文帳に追加

For instance, when the optical disk 10 is such a type that reflectivity increases by data recording and K>1, the recording power P is adjusted to be increased. - 特許庁


例文

これを測定した「新データ」で「初期データ」を補正し、イエローの階調補正関数x=f^-1(y)を随時更新していく。例文帳に追加

The initial data are corrected by new data obtained by measuring the patterns, the tone correction coefficient x=f-1 (y) for yellow is updated whenever it is necessary. - 特許庁

発光装置0は、N個の電気光学素子Eを階調データD1〜DNに基づいて駆動する駆動回路20を具備する。例文帳に追加

A light emission device 1 is equipped with the drive circuit 20 which drives the N electrooptical elements E based on the gradation data D1 to DN. - 特許庁

活性層を含むメサ構造を埋め込む埋込層であって、活性層より上部に位置するn型電流ブロック層3を選択成長させる際に、n型不純物とII族p型不純物とを同時に含んだ雰囲気中で成長させる。例文帳に追加

A layer for burying a mesa structure including an active layer 1 is grown in an atmosphere simultaneously containing n- and II-family p-type impurities when an n-type current block layer 3 positioned at the upper part of the active layer 1 is selected for growing. - 特許庁

更に、混在網3から到来するヘッダ付きデータであれば、該データが固定長セルであるか可変長パケットであるか判別し、固定長セルでれば混在網のヘッダをセルヘッダに置き換えて固定長のセル網に送出し、可変長パケットであれば混在網のヘッダを削除してパケット網2へ送出する。例文帳に追加

Moreover, the transmitter 4 judges whether data with a header from the coexisting network 3 are the fixed length cell or the variable length packet, transmits the fixed length cell to the fixed length cell network 1 by replacing the header of the coexisting network with the cell header, and transmits the variable length packet to the packet network 2, by removing the header of the coexisting network. - 特許庁

例文

更に、制御回路は、この入力データの各ビットを夫々反転させることにより、極性反転した階調値を生成し、次のH期間では、こうして生成した階調値に対応した電圧を上記基準電圧を元に液晶パネル5に供給するように水平ドライバ3を制御する。例文帳に追加

Moreover, the control circuit 1 generates gradation values in which input data are inverted by inverting respective bits of the input data and controls the horizontal drivers 3 so as to supply voltages corresponding to the gradation values generated in such a manner to the panel 5 on the basis of the reference voltages in the next H period. - 特許庁

例文

本発明による半導体発光素子の製造方法は、GaAs(111)A基板1に発光層を含むGaN系半導体層の積層を成長した後、導電性の接着剤により前記積層表面に設けた電極面と導電性基板とを接着した後、GaAs(111)A基板1を除去する。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor light emitting device comprises the steps of, laminating GaN based semiconductor layers including light emitting layer on a GaAs (111) A substrate 1, fixing an electrode surface provided on the above-mentioned lamination surface and the conductive substrate with a conductive adhesive, and removing the GaAs (111) A substrate 1. - 特許庁

本発明による半導体発光素子の製造方法は、GaAs(111)A基板1に発光層を含むGaN系半導体層の積層を成長した後、導電性の接着剤により前記積層表面に設けた電極面と導電性基板とを接着した後、GaAs(111)A基板1を除去する。例文帳に追加

A manufacturing method of a semiconductor light-emitting element includes the steps of: growing a laminate of GaN based semiconductor layers including light emitting layer, on a GaAs (111) A substrate 1; fixing an electrode surface provided on a surface of the laminate and the conductive substrate with a conductive adhesive; and removing the GaAs (111) A substrate 1. - 特許庁

制御部と、太陽電池2と、蓄電池3と、植物個体6に取付けた電極4と、土壌中に配置した電極5を備えた植物成長促進装置によって、植物に微弱電流を供給する。例文帳に追加

The device for promoting plant growth comprises a controlling part 1, a solar battery 2, an accumulator battery 3, an electrode 4 attached to a plant body 6, and an electrode 5 set into the ground to supply weak electric current to the plant. - 特許庁

色の階調データを補正したデータで構成されている色毎の補正データテーブルを4種類記憶する記憶領域がRAM〜RAM4として設けられている。例文帳に追加

This image processor is provided with storage areas storing four kinds of correction data tables each in each color, each configured by data wherein the gradation data of the color are corrected, as a RAM 1 to a RAM 4. - 特許庁

固定資産管理システムは、各固定資産に係る情報を記憶した電子台帳23と、各固定資産の識別子を該固定資産の設置場所に添付した電子地図3を有する。例文帳に追加

A fixed property management system 1 is provided with an electronic ledger 23 in which information related with each fixed property is stored and an electronic map 31 in which the identifier of each fixed property is attached to the set place of the fixed property. - 特許庁

位置合わせを行った半導体チップと回路基板とにそれぞれ形成された電極パッド5a,5a上にメッキ処理によって突起電極を成長させ、電極パッド5a,5a間を接続する。例文帳に追加

A bump electrode is grown with the plating process on the electrode pads 5a, 15a, respectively, formed by the semiconductor chip 11 and the circuit substrate 1 having completed the alignment in order to connect the electrode pads 5a, 15a. - 特許庁

kHz前後の基本周波数で動作するインバータで駆動しても回転子に発生する損失が少ない、超高速の永久磁石式同期電動機及びそれを用いた空気圧縮機を提供する。例文帳に追加

To provide a permanent magnet synchronous motor and an air compressor therewith, attaining little loss generated at a rotor, even if it is driven by an inverter which operates at fundamental frequency of around 1 kHz. - 特許庁

Siを主成分とする半導体基板()と、前記半導体基板上に直接接合してエピタキシャル成長されたペロブスカイト誘電体を含むゲート絶縁膜(3)とを具備するMOS電界効果トランジスタである。例文帳に追加

An MOS field effect transistor comprises a semiconductor substrate (1), whose main component is Si and a gate insulating film (3) comprising a perovskite dielectrics, which is jointed directly on the semiconductor substrate for epitaxial growth. - 特許庁

電気光学効果を有する電気光学結晶と、電気光学結晶の内部に電界を発生させる、正極2と負極3とからなる電極対と、電気光学結晶の結晶の成長方向(x軸方向)と平行に圧力を印加する圧力印加手段2,3とを備えた。例文帳に追加

The electrooptic element is equipped with: electrooptic crystal 1 having electrooptic effect; an electrode pair of a plus electrode 2 and a minus electrode 3 producing an electric field in the electrooptic crystal 1; and pressure application means 11, 12 and 13 for applying pressure in parallel to the crystal growing direction (x-axis direction) of the electrooptic crystal 1. - 特許庁

予備充電駆動部62は、予備充電データ制御部65の制御の下に、データRGBの階調により異ならせた予備充電電流をデータ電流に先立ってデータラインD〜Dmに供給する。例文帳に追加

A precharge drive section 62 supplies the precharge current, varied by the gradation of data RGB under the control of a precharge data controller 65 to the data lines D 1, to Dm prior to the data current. - 特許庁

1. 200年8月7、8日に別府において、直嶋正行経済産業大臣及び荒井聰国家戦略担当・内閣府特命担当大臣(経済財政政策)議長の下で、APEC成長戦略ハイレベル会合(以下、「ハイレベル会合」)が開催された。例文帳に追加

1. The High-Level Policy Round Table (hereinafter, the “Round Table”) was held in Beppu, Japan from 7 to 8 August, 2010 under the chairmanship of H.E. Masayuki Naoshima, Minister of Economy, Trade and Industry, Japan and H.E. Satoshi Arai, Minister of State for National Policy and Minister of State for Economic and Fiscal Policy, Japan.  - 経済産業省

デ−タ伝送装置の圧縮データ単位選択部6はメモリ3に記憶した画像データの階調数に応じて圧縮する画像データの圧縮単位2を選択する。例文帳に追加

A compression data unit selection section 6 of a data transmitter 1 selects a compression unit 12 of image data to be compressed depending on number of gradations of image data 11 stored in a memory 3. - 特許庁

ディザ変換テーブルはディザ位置番号データと多値画像データをアドレス入力とし、指定されたアドレスに記憶されたデータを変換処理後の階調データとして出力する。例文帳に追加

The table 1 address-inputs dither position number data and multilevel picture data and outputs data stored in a designated address as gradation data that have been conversion-processed. - 特許庁

集電体の凸部2の上に柱状に成長させた電極活物質の薄膜3a〜3bを二段以上に積層させて多層構造としたことにより、充放電時のリチウムの吸蔵・放出によるシリコンの体積の膨張・収縮の影響が緩和され集電体から電極活物質の剥がれを抑制できる。例文帳に追加

Thereby, effect of expansion and contraction of the volume of silicon due to occlusion and discharge of lithium during charge and discharge is relieved and peeling of the electrode active material from the collector 1 can be suppressed. - 特許庁

本発明の圧電体素子は、基板と、その基板の上に形成した下部電極層2と、その下部電極層2の上に液相成長法により形成した圧電体層3と、その圧電体層3の上に形成した上部電極層4とを有する。例文帳に追加

This piezoelectric element includes: a substrate 1; a lower electrode layer 2 formed on the substrate 1; a piezoelectric layer 3 formed on the lower electrode layer 2 by a liquid deposition method; and an upper electrode layer 4 formed on the piezoelectric layer 3. - 特許庁

半絶縁性GaAs基板上にIII−V族化合物半導体をエピタキシャル成長させた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの基板に、酸素濃度が3.0×0^6/cm^3以下の基板を用いる。例文帳に追加

A substrate having an oxygen concentration not larger than 3.0 × 10^16/cm^3 is used as a substrate 1 of an epitaxial wafer for field effect transistors wherein a III-V group compound semiconductor is grown on the semi-insulating GaAs substrate 1. - 特許庁

繰り返し単位の95モル%以上が下記式()で示されるポリケトンで構成される繊維の紡績糸で構成された伝動ベルト用補強繊維コードであって、この紡績糸の平均繊維長が300〜2000mmであることを特徴とする伝動ベルト用補強繊維コード。例文帳に追加

The reinforcing fiber cord for a transmission belt has a spun yarn of a fiber having 95 mol% or more of a repeating units, composed of a polyketone represented by formula (1) and has an average fiber length of the spun yarn of 300-2,000 mm. - 特許庁

電圧供給回路240のノア回路24は階調データDxの各ビットが黒表示を示す「0」の場合に、これを検知して出力信号をアクティブにする。例文帳に追加

When each bit of gradation data Dx 1 is a "0" showing the black display, a NOR circuit 241 of a voltage supply circuit 240 detects the status and activates an output signal. - 特許庁

気相成長装置40には処理チャンバ、分析及び制御ユニット2、ガスパネル3a、ガスパネル3b、ヒータ電源4、圧力計測手段5、濃度計測手段6、及びパーティクル計測手段7が設けられる。例文帳に追加

A vapor growth device 40 is provided with a treatment chamber 1, an analysis and control unit 2, a gas panel 3a, a gas panel 3b, a heater power supply 4, a pressure measuring means 5, a concentration measuring means 6 and a particle measuring means 7. - 特許庁

K個の電圧値のうちのM(2≦M<K)個の電圧値で構成された第のグループの中から、表示すべき階調に応じた電圧値を選択するとともに、第のフィールドFLDにおいて、選択された電圧値相当のデータを画素に供給する。例文帳に追加

The voltage values meeting the gradation to be displayed are selected from the first group constituted of M(2≤M<K) pieces of the voltage values among K pieces of the voltage values and the data corresponding to the selected voltage values is supplied to pixels in a first field FLD 1. - 特許庁

たわみ進行波を発生させるレゾネータ4と、レゾネータ4上に形成された下部電極3と、下部電極3上にエピタキシャル成長により形成された圧電薄膜2と、圧電薄膜2上に形成された上部電極部および上部電極部とを有するように構成する。例文帳に追加

The piezoelectric thin-film vibrator comprises: a resonator 4 that generates a flexural progressive wave; a lower electrode 3 formed on the resonator 4; a piezoelectric thin film 2 formed on the lower electrode 3 by epitaxial growth; and an upper electrode part 1 and an upper electrode part 11 formed on the piezoelectric thin film 2. - 特許庁

その後、電極兼ねる基板ステージと電気的に接地された電極とがチャンバ内に平行に配置されたプラズマ化学気相成長装置を用い、シリコンウエハ上に石英膜5を堆積させることにより、凹部マーカ4に対応してマイクロレンズを形成させる。例文帳に追加

Thereafter, the microlens is formed corresponding to the concave-shaped marker 4 by depositing a quartz film 5 on the silicon wafer 1 by the use of a plasma chemical vapor growth device in which a substrate stage served as an electrode is arranged in parallel with an electrically ground electrode within a chamber. - 特許庁

また、仕切棒2a,2bは、いずれも同一の曲げ角度θ=60度で折り曲げられるため、曲げ加工機による曲げ角度θを再調整して複数の異なる曲げ角度θで棒状部材を折り曲げる手間が省け、駐輪装置を低コストで簡単に製造することができる。例文帳に追加

Further because the rods 2a and 2b are folded at the same angle θ=60 degrees, it is possible to omit the labor to fold the works with a plurality of bending angles θ while the bending angle θ of a bending machine is readjusted each time, and the parking device 1 can be manufactured simply at low cost. - 特許庁

各電磁波センサーユニット32は、電磁波を放射し、前記金属帯の幅方向端部で反射した電磁波を受信するアンテナを有する検出部38と、本体部37とを有し、検出部38は、金属帯の幅方向端部から所定長離隔した位置に固定的に設けられている。例文帳に追加

Respective electromagnetic wave sensor units 32 have detecting parts 38 which have antennas emitting electromagnetic waves and receiving the electromagnetic waves reflected at the end parts in the width direction of the metal strips, and body parts 37, wherein the detecting parts 38 are fixed at positions separated by specified lengths from the end parts in the width direction of the metal strip 1. - 特許庁

繰り返し単位の95モル%以上が下記式で示されるポリケトンで構成される繊維の紡績糸で構成された伝動ベルト心線用補強繊維コードであって、この紡績糸の平均繊維長が300〜2000mmである伝動ベルト心線用補強繊維コード。例文帳に追加

The reinforcing fiber cord for the transmission belt core wire is constituted of a spun yarn of a fiber having 95 mol% or more of a repeating unit formed of a polyketone represented by formula (1), and having an average fiber length of 300-2,000 mm. - 特許庁

マイコンに設けれらたDMA調停回路3は、CPU2A,2Bの内何れかつがCPU選択レジスタ2に選択データの書き込みを行うと、その書き込まれたデータに基づいて、CPU2A,2Bの何れかつとDMA4との間でデータ転送を行うための制御信号,BUSREQ,BUSACK が伝達されるように調停を行う。例文帳に追加

When either CPU 2A or 2B writes selection data to a CPU selection register 12, a DMA arbitration circuit 3 provided in the microcomputer 1 performs arbitration so as to transmit a control signal, BUSREQ, BUSACK for transferring data between either CPU 2A or 2B and DMA 4 based on the written data. - 特許庁

GaAsの半絶縁性基板の上に、バッフア層2、チャネル層3、スペーサ層4およびキャリア供給層5を成長させた電界効果トランジスタ用ウエハにおいて、炭素をドーピングしたGaInPによりバッファ層2を構成する。例文帳に追加

In a field-effect transistor wafer in which a buffer layer 2, a channel layer 3, a spacer layer 4, and a carrier supply layer 5 grow on a semi-insulation substrate 1 of GaAs, the buffer layer 2 is constituted of carbon- doped GaInP. - 特許庁

記録装置は、ホストからデータを受信するためのシリアルインタフェース回路2と、その受信したデータを受信バッファへ転送するDMA要求信号発生回路5とDMA調停回路&メモリコントローラ6を有している。例文帳に追加

A recorder 1 has a serial interface circuit 2 for receiving data from the host, and a DMA request signal generating circuit 5 and a DMA mediation circuit & memory controller 6 for transferring the received data to a receiving buffer. - 特許庁

(a)で示すように、絶縁性基板であるサファイア基板上に、n型電極引出しのためのバッファ層となるn型GaN層2を成長させ、さらに絶縁膜であるSiO_2薄膜4を蒸着して開口部5を形成する。例文帳に追加

An n-type GaN layer 2 is grown as the buffer layer for extracting an n-type electrode on a sapphire substrate 1 which is an insulating substrate, and SiO_2 thin films 4 which are insulating films are vapor-deposited to form opening portions 5 as shown in (a). - 特許庁

8℃乃至36℃の何れかの温度で培養した大腸菌細胞の抽出液と、タンパク質をコードする直鎖状鋳型DNAとを含む無細胞タンパク質合成系を用いて、少なくとも時間連続的な合成反応を行う。例文帳に追加

Continuous synthetic reaction is carried out at least for 1 hr by using a cell-free protein synthesis system containing an extract of Escherichia coli cell cultured at any temperature of 18°C to 36°C and a straight-chain template DNA encoding a protein. - 特許庁

また、デジタル原画像を記憶するメモリから出力ゲートdを介して輝度プロファイルを作成したいy軸と平行なライン上にある画素列を原画像の輝度の諧調数分だけ出力し、それらをy軸と平行に並べて中間画像を生成する。例文帳に追加

Further, pixel strings which are located on a line parallel to the y-axis and from which a luminance file is to be prepared are outputted by the number of the gradations of the luminance of the original image from the memory 1 storing digital original images via the output gate 1d and they are arranged in parallel with the y-axis to generate an intermediate image. - 特許庁

次に、これらのデータD_RG,D_GG,D_BGに基づいて各赤データD_R、緑データD_G、青データD_Bごとに階調を複数回変化させるデータ赤信号、データ緑信号、データ青信号を生成してカラー液晶ディスプレイのデータ電極に順次印加するようにフレーム・レート・コントロールを行う。例文帳に追加

According to those data DRG_1, DGG_1, and DBG_1, frame rate control is so performed that a data red signal, a data green signal, and a data blue signal changing the gradations by the red data DR, green data DG, and blue data DB are generated and applied to data electrodes of a color liquid crystal display 1 in order. - 特許庁

基板上に成長させたカーボンナノチューブ層にレーザー光 をその焦点距離および焦点径を調整して照射して同層に除去部を形成することにより、カーボンナノチューブからなる多数の同形の突出体を所定ピッチで形成することを特徴とするカーボンナノチューブを用いた電子放出素子の製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing the electron emission element using the carbon nanotube is that laser beams 1 are irradiated to a carbon nanotube layer grown on a substrate after focal distance and a focal diameter of the laser beams are adjusted to form removing parts in the carbon nanotube layer, and thereby, many projections having the same shape comprising the carbon nanotubes are formed at designated pitches. - 特許庁

滑り易い長骨4は、形状がダンベル型であり、中央部分が細く端部が膨らんだ形状であるので、移動テーブル上に長骨中央部分を挟み付ける樹脂ブロック5付きハンドル7で長骨を挟みつつ前進させ、バンドソー3にて縦割可能とする。例文帳に追加

Since the shape of the slippery long bone 4 is a dumbbell shape in which a center part is narrow and end parts are expanded, the long bone is moved forward while being clamped by the handle 7 with the resin block 5 for clamping the center part of the long bone on a moving table 1 and is longitudinally cut with the band saw 3. - 特許庁

本発明の表面弾性波素子は、シリコン基板と、該シリコン基板上に、金属を含む酸化物を少なくとも一層以上エピタキシャル成長させて形成されたバッファ層3と、該バッファ層3上に形成されたニオブ酸カリウムからなる圧電体層4と、該圧電体層4上に形成された酸化シリコン層5と、該酸化シリコン層5上に形成された電極層6とを備えた構成とされている。例文帳に追加

The surface acoustic wave element is provided with a silicon substrate 1, a buffer layer 3 formed by epitaxial growth of at least one layer of oxide containing a metal on the silicon substrate 1, a piezoelectric layer 4 consisting of potassium niobate and formed on the buffer layer 3, a silicon oxide layer 5 formed on the piezoelectric layer 4, and an electrode layer 6 formed on the silicon oxide layer 5. - 特許庁

連続した曲面状部を有するガラスバルブと、このバルブ内に配設した光源4と、上記バルブ表面上に気相成長方向をこの表面からの垂線に対し30度以内の角度θで形成した多層光干渉膜5とを備えている管球およびこの管球を有する反射鏡付管球である。例文帳に追加

The bulb tube and the bulb with a reflection mirror are provided with a glass bulb 1 with continuous curved surface parts, a light source 4 arranged inside the bulb 1, and a multi-layer light-interfering film 5 with vapor phase epitaxy formed on the surface of the bulb to a direction within an angle θof not more than 30° against the vertical line from the surface. - 特許庁

暗号技術検討会(「検討会」)は、電子政府推奨暗号リストに掲載された暗号技術の監視、関連する調査研究、及び、暗号技術の危殆化や暗号プロトコル等その他暗号技術の評価・利用等に関する事項について、総合的な観点から検討を行う。また、電子政府等のセキュリティの確保のため、政府のセキュリティ関係機関等との連携、調整を図る。例文帳に追加

The CRYPTREC Advisory Committee (the Committee) is responsible for the following: (1) monitoring of recommended cryptographic techniques, (2) related investigation and research, (3) comprehensive study on matters regarding evaluation/use of cryptographic techniques (such as vulnerability of cryptographic techniques and cryptographic algorithms), and (4) close liaison with security-related governmental organizations to maintain the security of e-Government.  - 経済産業省

アノード電極及びカソード電極が形成された電解質膜を有する燃料電池2と、アノード電極とカソード電極のうち少なくとも一方の湿潤状態を調整可能な湿潤状態調整手段(制御装置5、燃料ガス加湿器30及び酸化ガス加湿器40)を備える燃料電池システムである。例文帳に追加

The fuel cell system 1 is provided with a fuel cell 2 having the electrolyte membrane formed with an anode electrode and a cathode electrode, and a wet state adjustment means (a control device 5, a fuel gas humidifier 30, and an oxidizing gas humidifier 40) capable of adjusting a wet state of at least either of the anode electrode and the cathode electrode. - 特許庁

導電性支持体上に、感光層及び表面保護層を順次積層した電子写真感光体の製造方法において、前記表面保護層を感光層の温度を80℃〜50℃で、且つ、真空度0^−Pa〜0^−6Paでプラズマ気相成長法により形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method of the electrophotographic photoreceptor prepared by laminating the organic photosensitive layer and the surface protective layer on the conductive base in this order, the surface protective layer is deposited according to a plasma vapor deposition method at a temperature of the photosensitive layer of 80 to 150°C and a degree of vacuum of 10^-1 to 10^-6 Pa. - 特許庁

例文

ただし、私は本職は医者でございますから、29年前から、社会保険を初め医療・福祉・年金・介護というのは、私のライフワークでもございましたから、調べていただければ分かりますけれども、昔、私は自由民主党の社会保険庁解体議員連盟の会長をした人間でございまして、少し古い話を申し上げますと、これは昭和22~23年ごろ、小沢辰男さんという非常に自民党の社労の有力な方ですが、彼が厚生省の課長をしておりまして、もう1人、斎藤邦吉さんという方が労働省の課長をしておられた(、その)2人が課長をしたときに、いわゆる公務員の地方事務官(制度)の問題で、簡単に言いますと、社会保険庁の公務員というのはどうしようかと、戦後すぐ、GHQの下で非常にもめたのです。例文帳に追加

I am a doctor by profession, so since 29 years ago, I have been working all along on matters related to social insurance, medical care, welfare, pensions, and nursing care. I used to serve as chairman of an association of lawmakers aiming to dismantle the SIA at the Liberal Democratic Party (LDP). Looking back at the old days, around 1947-1948, Mr. Tatsuo Ozawa, who would later become an influential LDP lawmaker in matters related to social and labor issues, was serving as a director at the Ministry of Health and Welfare, and Mr. Kunikichi Saito was serving as a director at the Ministry of Labour. Around that time, in the years immediately after the end of the war, under the occupation of GHQ, there was much controversy over the system of assigning civil servants local government jobs, in short, over the treatment of SIA civil servants.  - 金融庁

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