境膜冷却の英語

製膜装置１を、真空処理室２と、真空処理室２から送り込まれた基板Ｋを冷却しつつ大気圧環境に戻すアンロード室３（第一基板冷却装置）と、アンロード室３から後段の工程への基板Ｋの搬送作業が行われるクリーンブース４（第二基板冷却装置）とを有する構成とする。例文帳に追加

The film forming device 1 is constituted to have a vacuum treatment chamber 2, an unloading chamber 3 (first substrate cooling device) which returns a substrate K sent from the vacuum treatment chamber 2 to an atmospheric environment while cooling the substrate K, and a clean booth 4 (second substrate cooling device) in which the transporting work of the substrate K from the unloading chamber 3 to a poststage process is performed. - 特許庁

加熱・冷却サイクルを受けるような環境下におかれても、酸化皮膜の剥離がなく、腐食性のガスにより浸炭されることのない改質器用オーステナイト系合金および耐熱用鋼材ならびに改質器の提供。例文帳に追加

To provide an austenitic alloy for a reforming apparatus and a heat resistant steel which have no peeling in a oxide coating film, and are not carburized by corrosive gas even in an environment where a hating-cooling cycle is applied thereon, and a reforming apparatus thereof. - 特許庁

高い反射率を有すると共に、自動車用灯具などのように加熱と冷却を繰返し受ける環境下に曝して結露が生じても反射率が低下し難い、耐温水性に優れたＡｌ合金反射膜を提供する。例文帳に追加

To provide an Al alloy reflective film excellent in hot water resistance, wherein the film which has high reflectance and hardly decreases the reflectance even when dew condensation occurs during exposure to an environment subjected to repeated heating and cooling, such as an automobile lighting tool. - 特許庁

次いで溶融した半導体薄膜１０５が冷却し外部領域１０７と内部領域１０９の境界近傍に微小結晶粒Ｓが生成する。例文帳に追加

Next, the melted semiconductor thin film 105 is cooled, and micro crystal grains S are generated adjacent to a boundary between the external area 107 and the internal area 109. - 特許庁

減圧環境下にて基板Ｋに製膜を施す真空処理室と、真空処理室にて製膜処理が施された基板Ｋが送り込まれ、送り込まれた基板Ｋを冷却するアンロード室１１と、アンロード室１１から送り出された基板Ｋを搬送する搬送装置とから製膜装置を構成する。例文帳に追加

This film forming apparatus is constituted of a vacuum treating chamber for applying film forming on the substrate K under reduced pressure atmosphere, an unload chamber 11 where the substrate K having the film formed in the vacuum chamber is fed and the fed substrate K is cooled, and a transporting apparatus for transporting the substrate K sent from the unload chamber 11. - 特許庁

次に、下地１０１、マスク１１０および被パターニング膜１２１を含む積層体を加熱または冷却して、被パターニング膜１２１のうちの下地１０１の上に形成された部分とマスク１１０に付着した部分との境界位置に亀裂１２２を生じさせる。例文帳に追加

A laminate including the ground surface 101, the mask 110 and the film 121 to be patterned is heated or cooled to give rise to racking 122 at the boundary position of the segment of the film 121 to be patterned, which segment is formed on the ground surface 101 and the segment adhered to the mask 110. - 特許庁

このような構成によれば、流入空気が乱流促進形突出物の上端から分離され平板形胴体に再接触されることにより既存の温度境界層を薄膜化して摩擦係数を増加させるので、熱伝達率の促進により冷却効率がさらに向上される。例文帳に追加

Since such a structure separates flowing-in air from upper ends of the protrusions 230 to re-contact it with the tabular body 210 then thins a film of an existing temperature interface layer to increase a friction coefficient, a cooling efficiency is further improved owing to the promotion of the heat transfer. - 特許庁