きんぞくばりぜつえんきばんの英語

絶縁膜、バリア金属膜及び導体膜を有する基板を、同一金属用研磨液で連続的に研磨することが可能であり、配線部と絶縁膜凸部の平坦性が良好で、かつ、スクラッチを低減することが可能な研磨方法及びそれに用いる金属用研磨液を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing method which can continuously polish a substrate having an insulating film, a barrier metal film and a conductor film with the same polishing solution for metal, can obtain good flatness of a wiring portion and an insulating film convex portion, and can reduce scratches, and to provide a polishing solution for metal used therefor. - 特許庁

半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に半導体基板側から順に積層された導電性ポリシリコン膜、第１金属シリサイド膜、バリアー膜、及び金属膜から形成されるポリメタルゲート電極と、を備える半導体素子である。例文帳に追加

This is a semiconductor device having a gate insulating film formed on a semiconductor substrate, a conductive polysilicon film laminated on the gate insulating film in order from the semiconductor substrate's side, a first metal silicide film, a barrier film, and a polymetal gate electrode formed from a metal film. - 特許庁

半導体基板１の所望の領域を露出させた接続孔２２内にチタン膜１０１を形成し、この領域に熱処理によりチタンシリサイド膜１０２を形成した後に、ＴｉＮ膜（バリアメタル膜）１０４を形成し、高融点金属１０５を接続孔内に充填する。例文帳に追加

A titanium film 101 is formed in a contact hole 22 exposing a desired part of a semiconductor substrate 1 and after a titanium silicide film 102 is formed in that region by heat treatment, a TiN film (barrier metal film) 104 is formed and the contact hole is filled with a high melting point metal 105. - 特許庁

金属基板１には、リード付き素子９を落とし込み実装のための穴部がプレス加工に形成され、その際、該穴部の周囲にはベース部材である金属板のバリがリード10に向けて突出しており、この金属バリを覆うように絶縁層２を印刷により形成した。例文帳に追加

A hole is punched in a metal board 1 for mounting a lead contained device 9 by dropping, at that time, a burr of a metal plate as a base member projects to a lead 10 around the hole, and an insulated layer 2 is formed by printing to cover this metal burr. - 特許庁

使用する基板は、ガラス板又はセラミックス板であるか、若しくは膜厚０.０１〜１μｍの密着防止用のバリア層で被覆されたシリコンウエハー又は金属板が好ましく、バリア層としてはＡｌ、Ｃｒ、Ｓｉ、及びＴｉから選ばれた少なくとも１種の酸化物又は窒化物が好ましい。例文帳に追加

Preferably, a glass plate or a ceramic plate, or a silicon wafer or metal plate covered with a barrier layer for preventing adhesion, having a film thickness of 0.01-1 μm is used as the substrate, and at least one kind of oxide or nitride selected from Al, Cr, Si, and Ti is preferable as the barrier layer. - 特許庁

絶縁膜、バリア金属膜及び導体膜を有する基板を、同一金属用研磨液で連続的に導体膜の残膜とバリア金属膜とを研磨することが可能であり、配線部と絶縁膜凸部の平坦性が良好で、かつ、スクラッチを低減することが可能な半導体デバイスの研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of polishing a semiconductor device by which the remaining film of a conductor film and a barrier metal film can be continuously polished by the same metal polishing liquid in a substrate comprised of an insulation film, a barrier metal film and a conductor film, flatness is enough for a wiring part and a convex of the insulation film and scrtch can be reduced. - 特許庁

粉塵付着やチッピング片の付着によるボンディング性の低下、金属バリによるパターン間ショートや層間絶縁低下など、品質上の間題を解消したガラス繊維とエポキシ樹脂からなる基材を使用する、半導体素子や電子部品の搭載密度の高い半導体装置用基板を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate for a semiconductor device for which problems of quality such as the decline of a bonding property due to dust sticking and sticking of chipping pieces and inter-layer short-circuits and inter-layer insulation decline due to metal burrs are dissolved, a base material composed of glass fibers and an epoxy resin is used and the loading density of a semiconductor element and electronic parts is high. - 特許庁