すいそ ふろんてぃあの英語

ＳＯＩトランジスタのフローティングボディ効果を除去するＳＯＩ半導体装置及び製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an SOI semiconductor device for removing floating body effects of an SOI transistor, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

ＩＰ中継装置、通信システム及びそれらに用いるＴＣＰフロー制御方法例文帳に追加

IP REPEATER, COMMUNICATION SYSTEM, AND TCP FLOW CONTROL METHOD USED FOR THEM - 特許庁

半導体装置におけるメモリＢＩＳＴ時のパイプライン用フリップフロップと、スキャンの観測用フリップフロップまたは／およびスキャンの制御用フリップフロップとを共用化することで、フリップフロップ数を削減し、省面積化を図ることができる。例文帳に追加

By this share, the number of flip-flops is reduced for area saving. - 特許庁

ビットバッファのアンダーフロー及びオーバーフローを回避することが可能なオーディオ再生装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an audio reproducing device which can avoid the underflow and overflow of a bit buffer. - 特許庁

CMOSからなる撮像素子における、フローティングディフュージョンＦＤを形成する第１導電型半導体層である層ｎ２の転送ゲートＴＧの端部付近に、第２導電型半導体層である層ｐ１１を形成する。例文帳に追加

A layer p11 being a second conductivity type semiconductor layer is formed in the vicinity of an end of a transfer gate TG of a layer n2 being a first conductivity type semiconductor layer forming floating diffusion FD in an imaging element comprising a CMOS. - 特許庁

フローティングおよびゼロ電位の条件下ではボディ領域５が完全空乏化しないほどに、ＳＯＩ層３は厚く形成されている。例文帳に追加

Under conditions of a floating and zero potential, an SOI layer 3 is thickly formed to such a degree that a body region 5 is not completely depleted. - 特許庁

距離計測基点ａはバックティーグラウンドにおける基点であり、同ｂはフロントティーグラウンドにおける基点であり、同ｃはレディスティーグラウンドにおける基点である。例文帳に追加

The distance measurement point (a) represents the base point in a back teeing ground, the distance measurement point b represents the base point in a front teeing ground, and the distance measurement point c represents the base point in a ladies teeing ground. - 特許庁

終端領域にフローティング電極を形成する場合において、耐圧を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can improve the withstanding voltage in forming an floating electrode in a terminal area. - 特許庁