たいめいちょう１ちょうめの英語

超音波内視鏡１の湾曲ノブを止めた状態では、湾曲部７は殆ど撓むことがない。例文帳に追加

Under a state wherein a curved knob of the ultrasonic endoscope 1 is stopped, the curved part 7 hardly warps. - 特許庁

また、整腸作用を有する細菌の体内活性を維持し、整腸作用を増強させるために、当該細菌と食物繊維を共存させることが公知であるから、整腸作用を有する YY菌 1×106～1×108個を、同じく整腸作用を有する食物繊維 1～30gと組み合わせて 1つの整腸剤とすることは当業者が容易になし得たことである。例文帳に追加

Furthermore it is publicly known to make the bacterium and the dietary fiber co-exist, in order to maintain the activity of the bacterium having the intestine regulating function and to fortify the intestine regulating function, it would have been easily arrived at by a person skilled in the art to formulate medicine for intestinal disorder by combining 1 x 106 to 1 x 108 cells of the YY bacteria having the intestine regulating function with 1 to 30g of the dietary fiber also having the intestine regulating function.発音を聞く  - 特許庁

ボート１（液相成長用治具）は、半導体基板２の主表面に成長溶液５を接触させ半導体基板２の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体１ａが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加

A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁

エピタキシャル層２が十分厚く成長して、トレンチ底部がｎ型半導体基板１の表面より高くなれば成長を終了する。例文帳に追加

When the epitaxial layer 2 is grown to be sufficiently thick, and a trench bottom part becomes higher than the surface of the substrate 1, the growth is ended. - 特許庁

サファイア基板１の最表面にシリコン層２を成長し、その上に窒化物半導体層３を成長する。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride semiconductor is so carried out that a silicon layer 2 is formed on the outermost surface of the sapphire substrate 1, and then a nitride semiconductor layer 3 is grown thereon. - 特許庁

(1) ハンガリー特許庁の決定に対しては，審判請求，再聴聞及び監督的手続並びに公訴官の異議申立は認められない。例文帳に追加

(1) Against the decisions of the Hungarian Patent Office appeals, rehearing and supervisory procedures and protests of the prosecutor shall not be admissible. - 特許庁

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

固定長詰め込み手段１２は、ｎフレームからなる１ＧＯＰにおいて、不特定長な可変長符号データを、記録媒体１６上に予め設けられた固定記録領域に詰め込む。例文帳に追加

In a video-recording apparatus, a fixed-length filling means 12 for filling variable-length coded data with non-specified length into a fixed recording area preset on a recording medium 16 in 1 GOP composed of n frames. - 特許庁