活計が立ち行かぬ例文帳に追加

I can not make both ends meet.発音を聞く  - 斎藤和英大辞典

ヌ　滑走路末端補助灯例文帳に追加

(j) wing bar lights発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

こんなわかりきった誤りを見落すとは君も抜かったね例文帳に追加

How stupid of you to overlook such an obvious mistake!発音を聞く  - 斎藤和英大辞典

はじめは、重いぬかった地面で、足をもつれさせる沼地に生えている植物のせいで、なかなか前に進めなかった。例文帳に追加

At the first outset, heavy, miry ground and a matted, marish vegetation greatly delayed our progress;発音を聞く  - Robert Louis Stevenson『宝島』

Ｉ型ＩＦＮ活性の抑制に効果的な薬剤等を提供すること。例文帳に追加

To provide a medical agent and the like effective for inhibiting a type I IFN activity. - 特許庁

例えば、ＧａＮ系半導体発光素子において、ＥｕドープＧａ_1-x Ｉｎ_x Ｎ活性層６を用いる。例文帳に追加

For example, a GaN-based semiconductor light emitting element uses an Eu-doped Ga1-xInxN active layer 6. - 特許庁

Ｎ×Ｎカップラ１９から出射される光をリフレクタ２０によって反射することにより、Ｎ×Ｎカップラ１９に双方向から光が入射されるため、合計で２×（Ｎ−１）個の光パルスが取り出される。例文帳に追加

The light emitted from the N×N coupler 19 is reflected by a reflector 20 and then the light is made incident on the N×N coupler 19 from both directions, so that 2×(N-1) light pulses in total are taken out. - 特許庁

ＯＰＮに代わり得るターゲット分子を用いた、効率的なＯＰＮ活性化抑制剤のスクリーニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an effective screening method for an OPN activation inhibitor using target a molecules capable of substituting an OPN. - 特許庁

段差基板では、凸部の上方のＧａＩｎＮ活性層２２のＩｎ濃度は、凸部両端部近傍上の領域が、平坦な基板面上に比べて減少する。例文帳に追加

On the substrate 12. - 特許庁

この周回する光は、光サーキュレータ１８によって一旦Ｎ×Ｎカップラ１９側に取り出される。例文帳に追加

This circulating light is taken out temporarily to the side of an N×N coupler 19 by an optical circulator 18. - 特許庁

ＩｎＧａＮ活性層中のＩｎの析出による発光効率の低下を抑制する窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor element which suppresses deterioration in light-emitting efficiency due to deposition of In in an InGaN active layer. - 特許庁

ＩｎＧａＮ活性層中のＩｎの偏析を防止し、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a nitride-based semiconductor element which can improve the crystallinity by preventing the segregation of In in an InGaN active layer. - 特許庁

好ましくは、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層の成長前に、ＧａＩｎＮ活性層の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度で成長させたｐ型ＡｌＧａＮキャップ層により下地表面を覆っておく。例文帳に追加

It is preferable that the surface of a base is covered with a p-type AlGaN cap layer which has been grown at the growth temperature nearly equal to that of the GaInN active layer or below before the p-type AlGaN clad layer is grown. - 特許庁

これらの上に、ｎ型ＧａＮ光導波層３ａ，３ｂ、ＩｎＧａＮ活性層４ａ，４ｂ、ｐ型ＧａＮ光導波層５ａ，５ｂ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７ａ，７ｂ、ｐ型コンタクト層８ａ，８ｂが順次形成される。例文帳に追加

Over them, n-type GaN light-guide layers 3a and 3b, InGaN active layers 4a and 4b, p-type GaN light-guide layers 5a and 5b, p-type AlGaN clad layers 7a and 7b, and p-type contact layers 8a and 8b, are sequentially formed. - 特許庁

波動歯車装置１では、可撓性外歯車３の主断面の半径撓み量を正偏位の撓み量κｍｎ（κ＞１）として、歯たけを増加させている。例文帳に追加

In this wave motion gear device 1, the tooth depth is increased by setting a radial deflection quantity of a main cross section of a flexible external gear 3 to a deflection quantity κmn (κ>1) of a positive deviation. - 特許庁

また、ＩｎＮ活性層と、ｐ型のＧａＮクラッド層との間に、ＩｎＮを主成分とする混晶を含む中間層を有してなることを特徴とする光電変換機能素子とする。例文帳に追加

Also, between the InN active layer and the p-type GaN clad layer, an intermediate layer is provided including the mixed crystal whose main component is InN. - 特許庁

ＺｎＯ膜３の上にｎ型ＧａＮクラッド層４、ｐ型ＧａＮ活性層５及びｐ型ＧａＮクラッド層６を設け、その上面にＳｉＯ_2膜７を形成する。例文帳に追加

On the ZnO film 3 an n-type GaN glad layer 4, a p-type GaN active layer 5 and a p-type GaN active layer 6 are provided and an SiO2 film 7 is formed on the top face thereof. - 特許庁

本発明のスクリーニング方法は、ヒトＯＰＮやトロンビンなどのターゲットタンパク質を使用することなく、簡便な操作によってヒトＯＰＮ活性化抑制剤をスクリ−ニングすることができる。例文帳に追加

This screening method enables screening of a human OPN activation inhibitor with an easy operation without using a target protein, such as the human OPN and thrombin. - 特許庁

ｐ型のＧａＮクラッド層、ＩｎＮ活性層、ｎ型のＩｎＮを主成分とする混晶を含むクラッド層の順に積層されてなる光電変換機能素子とする。例文帳に追加

The photoelectric conversion function element is composed by laminating a p-type GaN clad layer, an InN active layer, and a clad layer including the mixed crystal whose main component is n-type InN in the order. - 特許庁

サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。例文帳に追加

P-type InGaAlN layer 2, InGaAlN active layer 3, and n-type InGaAlN layer 4 where compositions are expressed by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1) are formed on a sapphire substrate 1. - 特許庁

サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。例文帳に追加

A p-type InGaAlN layer 2, an InGaAlN active layer 3 and an n-type InGaAlN layer 4, of which composition is expressed by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1), are formed on a sapphire substrate 1. - 特許庁

サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。例文帳に追加

A p-type InGaAlN layer 2, an InGaAlN active layer 3 and an n-type InGaAlN layer 4, in which composition is represented by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN(0≤x≤1 and 0≤y≤1), are formed on a sapphire substrate 1. - 特許庁

さらに、窒化アルミニウムインジウム（Ａｌ_x Ｉｎ_1-x Ｎ）クラッド層の成長温度が低いことにより、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）活性発光層を保護し、最終的に発光効率を高める。例文帳に追加

Further, the low growth-temperature of the aluminum indium nitride (Al_xIn_1-xN) clad layer protects an indium gallium nitride (InGaN) active luminous layer to eventually increase the luminous efficiency. - 特許庁

窒化物半導体レーザ装置は、ＧａＮ基板の上に形成されたｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層と、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層の上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮクラッド層と、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の上に形成されたＩｎＧａＮ活性層と、ＩｎＧａＮ活性層の上に形成され、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有するｐ型ＡｌＧａＮ層とを備える。例文帳に追加

The nitride semiconductor laser device includes an n-type InAlGaN light absorbing layer formed on a GaN substrate, an n-type AlGaN cladding layer formed on the n-type InAlGaN light absorbing layer, an InGaN active layer formed on the n-type AlGaN cladding layer, and a p-type AlGaN layer formed on the InGaN active layer and having a smaller refractive index than the n-type AlGaN cladding layer. - 特許庁

基板上に、ｎ型ＧａＮ層１、ＩｎＧａＮ活性層２、ｐ型ＧａＮ層３を有するウルツ構造の半導体結晶４がｃ軸成長されて成る半導体発光素子において、前記の各層１，２，３による半導体結晶４を、基板からナノサイズのシート状に立設する。例文帳に追加

In this semiconductor light emitting element formed by subjecting a semiconductor crystal 4 of a wurtzite structure having, on a substrate, an n-type GaN layer 1, an InGaN layer 2 and a p-type GaN layer 3 to c-axis growth, the semiconductor crystal 4 having the respective layers 1, 2, 3 is erected in a nanosize sheet-like form from the substrate. - 特許庁

ｃ面を主面とするサファイア基板１０１上に、アンドープＧａＮ層１０２、半導体からなる半導体反射ミラー１０３、ｎ型ＧａＮ層１０４、ＩｎＧａＮ活性層１０５、ｐ型ＧａＮ層１０６、誘電体膜からなる誘電体反射ミラー１０７を順次形成する。例文帳に追加

An undoped GaN layer 102, the semiconductor reflecting mirror 103 composed of a semiconductor, an n-type GaN layer 104, an InGaN active layer 105, a p-type GaN layer 106, and a dielectric reflecting mirror 107 composed of a dielectric film, are formed on a sapphire substrate 101 using a surface (c) as a main surface successively. - 特許庁

レーザ共振器１は、基板上にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２、ｎ型ＧａＮ光導波層１３、ＩｎＧａＮ活性層１４、ｐ型ＧａＮ光導波層１５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１６を順次積層することにより構成する。例文帳に追加

The resonator 1 is constituted by successively laminating an n-type AlGaN clad layer 2, an n-type GaN optical waveguide layer 13, an InGaN active layer 14, a p-type GaN optical guide layer 15, and a p-type AlGaN clad layer 16 upon a substrate. - 特許庁

その反射鏡３８は、活性層３２の中心から概ね（ｋλ／２＋λ／４）／ｎの位置（λ：活性層３２から出射される光の波長、ｎ：活性層３２と反射鏡３８の間の領域の平均の屈折率、ｋ：整数）に形成されている。例文帳に追加

The reflecting mirror 38 is formed at a position of roughly (kλ/2+λ/4)/n from the center of the active layer 32 (λ: the wavelength of lights emitted from the active layer 32, n: the mean refractivity of an area between the active layer 32 and the reflecting mirror 38, k: integer). - 特許庁

ｎ型Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯクラッド層５と、その上に形成されたＩｎ_yＧａ_1-yＮ活性層１１と、その上に形成されたｐ型Ｍｇ_zＺｎ_1-zＯクラッド層１５と、ｎ型Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯクラッド層５に対して電気的にコンタクトを形成する第１の電極２３と、ｐ型Ｍｇ_zＺｎ_1-zＯクラッド層１５に対して電気的にコンタクトを形成する第２の電極２５とを含む。例文帳に追加

This element includes an n type MgxZn1-xO clad layer 5, an InyGa1-yN active layer 11 formed thereupon, a p type MgzZn1-zO clad layer 15 formed thereupon, a 1st electrode 23 which electrically forms a contact for the clad layer 5, and a 2nd electrode 25 which electrically forms a contact for the clad layer 15. - 特許庁

本発明はリチウム２次電池用負極活物質及び、これを含むリチウム２次電池に関し、前記リチウム２次電池用負極活物質は、ＳｉまたはＳｎ活性金属微細粒子及び、前記活性金属微細粒子周囲を囲みながら、活性金属微細粒子と反応しない２元系以上の金属マトリックスを含む。例文帳に追加

With regard to the anode active material for the lithium secondary battery and the lithium secondary battery, the anode active material for the lithium secondary battery contains Si or Sn active metal fine particles and a metal matrix of a plurality of element groups, which while encircling the circumference of the active metal fine particles will not react with the active metal fine particles. - 特許庁