ふくぬま３ちょうめの英語

張力帯３に複数のブロック２を嵌合してなるベルトであって、張力帯３の少なくとも片面にカバー帆布６が被覆されている高負荷伝動ベルト１であり、カバー帆布６には摩擦係数低減材を含有させたことを特徴とする。例文帳に追加

The belt is constituted by fitting a plurality of the blocks 2 to the tension band 3 and the high load transmission belt 1 is characterized in that at least one side of the tension band 3 is covered with the cover canvas 6 and the cover canvas 6 contains the material for reducing the friction coefficient. - 特許庁

少なくとも被塗物の表面を直接的または間接的に被覆した光輝性顔料を含有するクリヤー塗膜層上に、鱗片状の無彩色顔料を含有するクリヤー塗膜を形成したことを特徴とする塗装物。例文帳に追加

In the coated article, the clear coated film containing scale-like achromatic colored pigment 5 is formed on the clear coated film containing brilliant pigment 3 directly or indirectly covering at least the surface of the coated article. - 特許庁

袋状のマット地（１）に単線又は複線の縫目（３）を入れた複数の小袋（２）を作り、小袋の中に真菰粉末（４）を詰めて密封するのを特徴とする。例文帳に追加

This rush mat is constituted by making a plurality of the small bags (2) formed with single or a plurality of seams (3) at a bag-like material 1 and packing the Indian rice powder (4) into the small bags, then hermetically sealing the bags. - 特許庁

本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer. - 特許庁

増幅用ファイバ２ａは、波長１４５０ｎｍ励起におけるラマン利得効率（GR/Aeff）が４（ｍ/Ｗ）以上であり、波長１４５０ｎｍ励起におけるラマン利得効率（GR/Aeff）に対する波長１５５０ｎｍにおける非線形パラメータγの比が３以下としている。例文帳に追加

The amplifying fiber 2a shows ≥4 (m/W) Raman gain efficiency (GR/Aeff) by the excitation at 1,450 nm wavelength and ≤3 ratio of a nonlinear parameter γ at 1,550 nm with respect to the Raman gain efficiency (GR/Aeff) by the excitation at 1,450 nm. - 特許庁

Ｎｉ下地膜４は、Ｎｉを含む微結晶めっき膜３の上にエピタキシャル成長することにより、微細な結晶を有する緻密膜となり、母材の拡散を抑えつつ膜厚が低減できる。例文帳に追加

The Ni base film 4 is converted to the dense film having fine crystals by epitaxial growing on the fine crystalline plated film 3 containing Ni to reduce the film thickness while suppressing the diffusion of a base material. - 特許庁

ＲＮＡ転写を停止させる物質を含む基質を用いて、ＲＮＡポリメラーゼによる鋳型ＤＮＡからのＲＮＡ転写反応を行い、得られる３’末端欠失ＲＮＡを翻訳することによりＣ末端欠損タンパク質を得ることを特徴とする、Ｃ末端欠損タンパク質の合成方法。例文帳に追加

A method for synthesizing a C-terminal deleted protein is provided, being characterized by comprising carrying out an RNA transcription reaction from a template DNA by an RNA polymerase using a substrate containing a substance functioning to terminate an RNA transcription and translating the resultant 3'-terminal deleted RNA to obtain the objective C-terminal deleted protein. - 特許庁

また非光線有効部３には、使用波長において不透明成分を含む樹脂から成る塗膜５が形成され、更にこの塗膜５上には、保護膜６が形成されている。例文帳に追加

A coating film 5 made of a resin containing a component opaque in the use wavelength is formed in a section 3 where a light beam is not effective, and a protective film 6 is formed on the coating film 5. - 特許庁