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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英固有名詞辞典 > めいせいちょう5ちょうめの解説 

めいせいちょう5ちょうめの英語

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日英固有名詞辞典での「めいせいちょう5ちょうめ」の英訳

めいせいちょう5ちょうめ

地名

英語 Meiseicho 5-chome

丁目


「めいせいちょう5ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 48



例文

文政丁銀文政豆板銀(文政3年(1820年)5月、36%)例文帳に追加

Bunsei Chogin Bunsei Mameitagin (June 1820, 36%)発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

調絹は長さ5丈1尺・広さ2尺2寸で1疋(1反)となし、正丁6名分の調とする。例文帳に追加

One hiki (also called one tan) was the basic unit of Chokinu, measuring 15.3 meters long by 66 cm wide, which was equivalent to the Cho paid by six members of Seitei.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

調布は長さ5丈2尺・広さ2尺4寸で1端(1反)となし、正丁2名分の調とする。例文帳に追加

On the other hand, one tan was the basic unit of Chofu, measuring 15.6 meters long by 72 cm wide, which was equivalent to the Cho paid by two members of Seitei.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

その後、AlN層を成長させると、一体化したメイン基板が形成される。例文帳に追加

Thereafter, when an AlN layer is grown, an integrated main substrate 5 is formed. - 特許庁

本発明に係るInGaN層の製造方法は、700℃〜790℃の成長温度、30Å/分〜93Å/分の成長速度及び1.76×10^−モル/分〜3.3×10^−モル/分のトリメチルインジウムの流量の条件下でInGaN層を成長させる。例文帳に追加

In the method for producing the InGaN layer, under conditions that a growing temperature is 700°C to 790°C, a growing speed is 30 Å/min to 93 Å/min, and a flow rate of trimethyl indium is 1.76×10^-5 mol/min to 3.53×10^-5 mol/min, the InGaN layer is grown. - 特許庁

 行政庁は、第百六条第二項の規定により組合等の解散を命じたときは、遅滞なく、解散の登記を嘱託しなければならない。例文帳に追加

(5) When an administrative agency has ordered the dissolution of a cooperative, etc. pursuant to the provisions of Article 106, paragraph (2), it shall commission the registration of the dissolution without delay.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

例文

本発明のツェナーダイオード用ウェハーは、不純物がドーナツ状に分布したウェハー1上にエピタキシャル層4を成長させている。例文帳に追加

The wafer 5 for a Zener diode is formed by growing an epitaxial layer 4 on a wafer 1 wherein impurities are distributed as a doughnut. - 特許庁

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「めいせいちょう5ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 48



例文

GaAs基板1上に半導体層2を成長させ、半導体層2を耐熱性紫外光剥離テープを介して透明支持体4に貼り付ける。例文帳に追加

A semiconductor layer 2 is grown on a GaAs substrate 1 and the semiconductor layer 2 is stuck to a transparent support 4 by means of a heat-resisting ultraviolet-light peeling tape 5. - 特許庁

本発明に基づく加熱調理装置1は、調理容器3と、調理容器3内に投入された流動性調理食材を加熱するための加熱装置と、流動性調理食材及び流動性調理食材から生じた流動性湧出食材が、調理容器3からオーバーフローした際に流入するように設けられたオーバーフロー容器7と、を備えている。例文帳に追加

The cooking apparatus 1 is provided with a cooking container 3, a heating device 5 for heating the fluid cooking food material fed inside the cooking container 3, and an overflow container 7 provided so as to make the fluid cooking food material and the fluid flown out food material generated from the fluid cooking food material flow in at the time of overflowing from the cooking container 3. - 特許庁

2004年以降EUに加盟した中・東欧諸国は、その経済規模こそ、欧州経済の実質GDPに占める割合で約5%(2007年)と小さいが、その成長率は中・東欧諸国12か国平均で6.3%と、EU15の2倍以上の高成長を遂げている(第1-2-38図)。例文帳に追加

For the very reason of their economic magnitude, the Central and Eastern European countries that have joined the EU since 2004 account for only a small proportion (5%, 2007) of the real GDP in Europe. However, the 12 Central and Eastern European countries have achieved rapid growth at a rate of 6.3%, which is more than double the EU15 (see Table 1-2-38). - 経済産業省

本発明中の4,7-ジメトキシ-5-メチル-1,3-ベンゾジオキソールは乳癌、肝癌、前立腺癌腫瘍細胞の生長抑制に応用可能で、同時に乳癌、肝癌、前立腺癌腫瘍細胞の生長を抑制する医薬組成物中に応用することができる。例文帳に追加

The 4, 7-dimethoxy-5-methyl-1, 3-benzodioxole in the invention is applicable to the inhibition of the growth of cancer tumor cells of breast cancer, liver cancer and prostate cancer; and also applicable into medicinal compositions for inhibiting the growth of cancer tumor cells of breast cancer, liver cancer and prostate cancer. - 特許庁

次に、図1(b)で示すように、絶縁膜となる透明なSiO_2薄膜3を蒸着し、ナノコラムを成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でNi薄膜2が露出するまで貫通孔4を穿設しておく。例文帳に追加

Subsequently, as shown in the figure 1(b), a transparent SiO_2 thin film 3 as an insulating film is evaporated, and a through hole 4 is drilled on evaporation positions where the nano-columns 5 are grown at a diameter and a distance for growing the nano-columns until the Ni thin film 2 is exposed. - 特許庁

次に、図1(b)で示すように、絶縁膜となる透明なSiO_2薄膜3を蒸着し、ナノコラムを成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でAlN膜2が露出するまで貫通孔4を穿設しておく。例文帳に追加

Next, as shown in Fig.1(b), a transparent SiO_2 thin film 3, used as an insulating film, is vapor-deposited at the position where a nanocolumn 5 should be grown up; a through hole 4 is drilled until AlN film 2 is exposed at a diameter and intervals at which it is grown up. - 特許庁

本発明の化学気相成長装置は、処理用ガスを用いて基板11表面に薄膜13を形成する化学気相成長装置であって、反応室1と、ガス供給管4と、ガス供給バルブと、ガス廃棄管6と、ガス廃棄バルブ7と、ガス流量計9とを備えている。例文帳に追加

The chemical vapor deposition equipment in which a film 13 is formed on the surface of a substrate 11 by using a treatment gas, is provided with the reaction chamber 1, a gas supply pipe 4, a gas supply valve 5, a gas disposal pipe 6, a gas disposal valve 7, and a gas flowmeter 9. - 特許庁

例文

議アジア経済は、通貨・金融危機からの深刻な状況から急回復を遂げ、2000年にはアジア途上国全体では7.1%の成長を記録しましたが、2001年には世界経済の不透明感等により、%程度の成長に減速する見通しとなっております。例文帳に追加

Recovery of Asian economies from the painful aftermath of the currency and financial crisis has been dramatic. In 2000, as a result, the developing economies in Asia as a whole posted a 7.1% growth. The pace of growth, however, is expected to slow down this year to a level of 5%, reflecting the uncertain prospects of the world economy.発音を聞く  - 財務省

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1
Meiseicho 5-chome 日英固有名詞辞典

2
明生町5丁目 日英固有名詞辞典

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