加速エネルギーが設定値に対して正しく調整されているかについて、能率的に注入エネルギーを評価することが出来る有効なイオン注入エネルギーのモニター方法およびイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an effective monitoring method of ion implantation energy capable of efficiently evaluating the implantation energy if an acceleration energy is accurately adjusted with respect to a set value, and also provide an ion implantation apparatus. - 特許庁

本発明はＳＩＭＯＸ基板の酸素イオン注入量の測定に関し、通常ファラデーカップを用いるイオン注入量のモニター方法は、照射されるイオン全てが電荷を有していることが前提であり、イオン照射工程中の異常（例えば真空度の低下，異常放電等）により、電荷を有しない電気的に中性な元素の状態で照射された場合はファラデーカップ法では測定できない。例文帳に追加

To solve problems in the conventional measurement method of an oxygen ion amount implanted to a SIMOX (separation by implanted oxygen) substrate that the desired thickness of a BOX (buried oxide film) layer and of an active layer in a final SIMOX product cannot be obtained because the amount of monitored element or over is implanted into the semiconductor substrate. - 特許庁

使用ガス漏洩の有無をモニターする使用ガスのガス種に対応した複数種類のガス検知器３００と、複数種類の使用ガスを使用するイオン注入装置１００から出力された使用中の使用ガスのガス種を示す出力信号１０２と、出力信号１０２によりモニターするガス検知器３００を切り替えるモニター切替ユニット２００とを有する。例文帳に追加

This gas detection system has a plurality of types of gas detectors 300 corresponding to types of gases of used gases monitoring the presence or absence of a leakage of used gas, an output signal 102 indicating type of used gas during use outputted from an ion implantation device 100 using a plurality of types of gases, and a monitor switching unit 200 switching monitoring gas detectors 300 by the output signal 102. - 特許庁

嫌気性汚泥のｐＨ、アルカリ度、アンモニウムイオン濃度の少なくとも１つをモニターすることにより、アンモニア除去剤を注入制御することが好ましい。例文帳に追加

It is preferable to control the injection of the ammonia removing agent by monitoring at least one of the pH, alkalinity, and ammonium ion concentration of the anaerobic sludge. - 特許庁

イオン注入工程同士の重ね合わせ精度を、モニター素子を用いて重ね合わせ以外の工程変動や寄生抵抗成分の影響を最小に抑えつつ直接的に高精度かつ高再現性で評価する。例文帳に追加

To evaluate the overlay accuracy of ion implantation processes directly with high precision and high reproducibility while minimizing the impact of process variation other than overlay or the impact of parasitic resistance component using a monitor element. - 特許庁

第１活性領域１３と第２活性領域１５との相対位置を異ならせた複数の単位モニター素子からの、第１活性領域１３に対する電気特性測定結果に基づいて、複数のイオン注入工程の基準位置同士のずれ量を求めるようにした。例文帳に追加

Displacement of the reference positions is determined for the plurality of ion implantation processes based on the measurement of the electric characteristics for the first active region 13 from a plurality of unit monitor elements of the first and second active regions 13 and 15, each having a differentiated relative position. - 特許庁