エッチング機構の英語

半導体ウエハをほぼ垂直に保持して周方向に回転駆動する保持駆動機構１と、エッチング液が収容されるとともに保持駆動機構によって回転駆動される上記半導体ウエハの周縁部が上記エッチング液に浸漬してエッチングされるエッチング槽２１とを具備する。例文帳に追加

The etching apparatus comprises a holding and driving mechanism 1 to drive a semiconductor wafer to rotate in the circumferential direction by vertically holding the wafer, and an etching vessel 21 to contain etchant and etch the circumferential edge of the semiconductor wafer to be driven to rotate with the holding and driving mechanism by soaking the wafer into the etchant. - 特許庁

例えばエッチング室１にて所定のエッチングプロセスを施されたウェハは、一旦オリエンタ室ＡまたはＢ、あるいは搬送バッファ室５に搬送され、膜厚測定機構によりエッチング深さが測定される。例文帳に追加

For example, a wafer, which is subjected to a prescribed etching process in an etching chamber 1, is temporarily transferred to the orienter chamber A or B, or to the transportation buffer chamber 5 and the etched depth is measured by the film thickness measurement mechanism. - 特許庁

次に、Ｓｉ機構層のエッチングされた活動部品の近くの絶縁層の一部が取り除かれ、エッチングされた活動部品の近くのＳｉハンドル層が、エッチングされる。例文帳に追加

Next, a part of an insulating layer near the active component in which the Si mechanism layer is etched is removed and the Si handle layer near the active component is etched. - 特許庁

上記管理方法に基づいたエッチング液の管理機構１０を具備するガラス基板再生装置。例文帳に追加

The glass substrate-regenerating device includes a management mechanism 10 of the etching liquid based on the management method. - 特許庁

その後、図示しない駆動機構から駆動力によって処理室３を回転させると、エッチング液が処理室３と一体になった状態で回転し、この回転するエッチング液によって、処理室３内の半導体ウエハＷの表面がエッチング処理されていく。例文帳に追加

After that, when the treatment chamber 3 is rotated by drive force from a drive mechanism that is not shown here, the etching liquid is rotated integrally with the treatment chamber 3, and the surface of the semiconductor wafer W in the treatment chamber 3 is etched. - 特許庁

ガスの圧力パルスの消滅又は最小化は、交互エッチング／デポジション室でシリコン基板にエッチングした高アスペクト比機構を有する壁の平滑性を高めることに役立つ。例文帳に追加

The elimination or minimization of a pressure pulse of the gas increases the smoothness of the walls with high aspect ratio features etched in a silicon substrate in the alternating etching/deposition chamber. - 特許庁

制御機構１４は、支持台１２上の半導体基板１１の取り替えを伴う各エッチング処理毎に、薬液タンク１４内の新たなエッチング液を該薬液タンクから半導体基板１１に供給すべく動作する。例文帳に追加

The control mechanism 14 works to supply the fresh etchant 13 contained in the tank 14 to the substrate 11 at every etching treatment which accompanies the renewal of the substrate 11 held on the base 12. - 特許庁

ダイアフラムを形成するエッチング工程において、エッチング溶液の攪拌機構（スターラ）８と循環機構（ポンプ）７を有するエッチング装置を用い、また、温水による洗浄を実施することにより、ダイヤフラム部の厚みのばらつきを小さくし、センサ感度特性のばらつきの小さい静電容量型圧力センサを得る。例文帳に追加

In an etching process for forming a diaphragm, an etching device having an etching solution stirring mechanism (stirrer) 8 and a circulating mechanism (pump) 7 is used, and cleaning of the diaphragm using warm water is executed, whereby dispersion in the thicknesses of the diaphragm is lessened and an electrostatic capacity type pressure sensor, which has little dispersion in its sensor sensitivity characteristics, is obtained. - 特許庁