クロム明ばんの英語

本発明によるフォトマスク１００は、ガラス基板１１０と、ガラス基板１１０上の一面に遮光膜として形成されたクロム層１２０と、クロム層１２０の一面に反射膜として形成されたシリコーンコーティング層１３０を含んで形成される。例文帳に追加

A photomask 100 of the present invention includes a glass substrate 110, a chromium layer 120 formed as a light-blocking film on one surface of the glass substrate 110, and a silicone-coating layer 130 formed as a reflection film on one surface of the chromium layer 120. - 特許庁

本発明は、改変されたサブユニットＩを有するチトクロムｃ酸化酵素であって、該改変されたサブユニットＩが、脊椎動物のチトクロムｃ酸化酵素のサブユニットＩのアミノ酸配列のＮ末端から５１番目又はそれに相当する位置のアスパラギン酸残基が改変されたものであることを特徴とするチトクロムｃ酸化酵素である。例文帳に追加

The cytochrome c oxidase having the modified subunit I contains the modified subunit I in which the aspartic acid residue at the 51st position from the N-terminus of the amino acid sequence of the subunit I of the cytochrome c oxidase of a vertebrate or at the corresponding position is modified. - 特許庁

本発明の非クロム系塗装金属板は、Ｚｎ若しくはＡｌ又はＺｎ−Ａｌ系のめっき鋼板表面に、非クロム系化成処理剤を乾燥皮膜量で２５〜２００ｍｇ／ｍ^2塗布して化成皮膜を形成し、その上に非クロム系防錆顔料を１０〜６０ｗｔ％含む下塗り塗膜、上塗り塗膜を順次形成してなる。例文帳に追加

The surface of a Zn or Al or Zn-Al plated steel sheet is deposited with a nonchromic chemically treating agent by 25 to 200 mg/m2 by the amount of a dry film to form a chemical film, and the surface is successively deposited with an under coating film and a finish coating film containing a nonchromic rust preventive pigment by 10 to 60 wt.%. - 特許庁

石英製の透明な基板Ｑ及び、例えばクロム又は酸化クロムからなるパターン形成された吸収体層ＡＢを備えるマスクにおいて、吸収体層ＡＢの厚さｔを投影ビームＰＢの波長λよりも大きく、吸収体層の幅ｂの３倍又は４倍以下とする。例文帳に追加

The mask has a quartz-made transparent substrate Q and an absorber layer AB where a pattern is formed of, for example, chromium or chromium oxide, wherein the thickness (t) of the absorber layer AB is larger than the wavelength λ of a projection beam PB and three to four times as large as the width (b) of the absorber layer. - 特許庁

フォトマスクは、透明なマスク基板３４にクロム（Ｃｒ）層３５を成膜し、その一部を除去してアルミ（Ａｌ）層を成膜することによりマーク要素ｒｍ１〜ｒｍ６を形成し、更にその上に二酸化クロム（ＣｒＯ_２）層３６を成膜することにより形成されている。例文帳に追加

A chromium (Cr) layer 35 is formed on a transparent mask substrate 34, mark elements rm1-rm6 are formed by removing part of the Cr layer 35 and forming an aluminum (Al) layer, and a chromium dioxide (CrO2) layer 36 is further formed on the mark elements to obtain the objective photomask. - 特許庁

Ｓｉ基板およびＳｉＧｅ基板用のクロムを含まないエッチング液、そのエッチング液を使用して欠陥を明らかにする方法、およびそのエッチング液を使用してＳｉ基板およびＳｉＧｅ基板を処理するプロセス例文帳に追加

ETCHANT NOT CONTAINING CHROMIUM FOR Si SUBSTRATE AND SiGe SUBSTRATE, METHOD FOR REVEALING DEFECT BY USING THIS ETCHANT, AND PROCESS OF PROCESSING Si SUBSTRATE AND SiGe SUBSTRATE BY USING THIS ETCHANT - 特許庁

Ｓｉ基板およびＳｉＧｅ基板用のクロムを含まないエッチング液、このエッチング液を使用して欠陥を明らかにする方法、およびこのエッチング液を使用してＳｉ基板およびＳｉＧｅ基板を処理するプロセスを提供する。例文帳に追加

To provide an etchant not containing chromium for a Si substrate and SiGe substrate, a method for revealing a defect by using this etchant, and a process for processing the Si substrate and the SiGe substrate by using this etchant. - 特許庁

フォトマスクは石英からなる透明基板１とクロムからなる遮光膜２で構成され、透明基板１には一律の深さＤを有する凹部４が形成されている。例文帳に追加

The photomask is composed of a transparent substrate 1 which is made of quartz and a light shield film 2 which is made of chromium and a recessed part 4 with uniform depth D is formed on the transparent substrate 1. - 特許庁