コレクタ変調の英語

インダクタ３４がトランジスタのコレクタに接続され、インダクタで変調電流ｉｍを発生し、左右変調器内で左右糸巻ひずみを補正する。例文帳に追加

An inductor 34 is connected to the collector of the transistor and a modulated current im is generated by the inductor while left-and-right pincushion distortions are corrected in left-and-right modulators. - 特許庁

伝導度変調作用を有するコレクタ領域、エミッタ領域、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に存在するチャネル領域上に形成したゲート電極からなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ１において、前記ゲート電極・前記コレクタ領域間に設けた絶縁ゲート型制御電極Ｇ２を有することを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。例文帳に追加

This insulated gate bipolar transistor 1 is provided with a collector area having a conductivity modulation function, an emitter area, and a gate electrode that is formed on a channel area between the collector area and emitter area, and it is also provided with an insulated gate control electrode G2 formed between the gate electrode and collector area. - 特許庁

伝導度変調作用を有するコレクタ領域、エミッタ領域、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に存在するチャネル領域上に形成したゲート電極からなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、前記ゲート電極・前記コレクタ領域間に設けた制御電極を有することを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。例文帳に追加

An insulated gate bipolar transistor is composed of a collector region, having a conductivity modulation action, an emitter region, and a gate electrode formed on a channel region residing between the collector region and the emitter region, and this insulated gate bipolar transistor is equipped with a control electrode provided between the gate electrode and the collector region. - 特許庁

エミッタ電極−コレクタ電極間において、オフ電流が小さく、かつ、低電圧で大電流変調が可能であるオン／オフ比に優れたトランジスタ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a transistor element with a superior on/off ratio that can perform large-current modulation with a small off current and a low voltage between an emitter electrode and a collector electrode. - 特許庁

トランジスタ６２は、垂直周波数を有するパラボラ信号Ｖｉｎと負帰還信号Ｖｅｓに応答して、トランジスタのコレクタで垂直周波数を有するパラボリック変調電圧を発生する。例文帳に追加

A transistor 62 responds to a parabolic signal Vin having a vertical frequency and a negative feedback signal Ves, and generates a parabolic modulation voltage having the vertical frequency by the collector of the transistor. - 特許庁

絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、Ｐ＋型コレクタ層からＮ−型ベース層に注入される正孔が、Ｐ型ベース層に流出するのを防止して伝導度変調効果を高めることが課題となる。例文帳に追加

To enhance the conductivity modulation effect of an insulated gate bipolar transistor by preventing holes injected from a P+ type collector layer into an N- type base layer from flowing out to a P type base layer. - 特許庁

エミッタ電極となる第１の電極７と金属プラグ１０，２３よりなるコレクタ電極を制御電極８に対して同じ側で、かつコレクタ電極の方が制御電極８から遠くなるように設けることによって、第６の半導体領域１２から注入された伝導度変調に必要なキャリアの大部分を第３の半導体領域６の直下を通らずにエミッタ電極に到達させる。例文帳に追加

A first electrode 7 to be an emitter electrode and the metal plugs 10 and 23 to be a collector electrode are provided on the same side as the control electrode 8 with the collector electrode positioned remoter from the control electrode 8, so that most of the carriers injected into the sixth semiconductor region 12 for conductivity modulation are able to reach the emitter electrode without passing through a location just under the third semiconductor 6. - 特許庁

ベース電極１６とエミッタ電極１７との間に高周波電源１８を接続すると共にコレクタ１１とゲート電極１３との間に直流電源１９を接続することにより高周波で変調された電子ビームが高出力かつ高効率で陰極チップ１１ａから放射される。例文帳に追加

A high-frequency power source 18 is connected between a base electrode 16 and an emitter electrode 17, and a direct current power source 19 is connected between the collector 11 and the gate electrode 13, so that the electron beam of high output modulated by the high frequency is emitted efficiently from the cathode chip 11a. - 特許庁