「コレクタ変調」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

個々のアンプをコレクタ変調によって振幅変調するので、Ｃ級増幅器を使用でき、従来の電力効率１〜１０％が本発明においては１０〜３０％と向上する。例文帳に追加

Since each amplifier performs amplitude modulation by collector modulation, a class C amplifier can be used and power efficiency can be enhanced to 10-30% from conventional efficiency of 1-10%. - 特許庁

一方、変調信号が回路１３及び１２を介して電流引き込み型の電流駆動回路７に供給され、変調信号に応じた電流Ｉ_２がトランジスタ７３のコレクタから取り出される。例文帳に追加

Meanwhile, a modulated signal is supplied through circuits 13 and 12 to a current draw type current driving circuit 7, and a current I_2 based on the modulated signal is taken out from a collector of a transistor 73. - 特許庁

インダクタ３４がトランジスタのコレクタに接続され、インダクタで変調電流ｉｍを発生し、左右変調器内で左右糸巻ひずみを補正する。例文帳に追加

An inductor 34 is connected to the collector of the transistor and a modulated current im is generated by the inductor while left-and-right pincushion distortions are corrected in left-and-right modulators. - 特許庁

伝導度変調作用を有するコレクタ領域、エミッタ領域、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に存在するチャネル領域上に形成したゲート電極からなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ１において、前記ゲート電極・前記コレクタ領域間に設けた絶縁ゲート型制御電極Ｇ２を有することを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。例文帳に追加

This insulated gate bipolar transistor 1 is provided with a collector area having a conductivity modulation function, an emitter area, and a gate electrode that is formed on a channel area between the collector area and emitter area, and it is also provided with an insulated gate control electrode G2 formed between the gate electrode and collector area. - 特許庁

伝導度変調作用を有するコレクタ領域、エミッタ領域、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に存在するチャネル領域上に形成したゲート電極からなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、前記ゲート電極・前記コレクタ領域間に設けた制御電極を有することを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。例文帳に追加

An insulated gate bipolar transistor is composed of a collector region, having a conductivity modulation action, an emitter region, and a gate electrode formed on a channel region residing between the collector region and the emitter region, and this insulated gate bipolar transistor is equipped with a control electrode provided between the gate electrode and the collector region. - 特許庁

エミッタ電極−コレクタ電極間において、オフ電流が小さく、かつ、低電圧で大電流変調が可能であるオン／オフ比に優れたトランジスタ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a transistor element with a superior on/off ratio that can perform large-current modulation with a small off current and a low voltage between an emitter electrode and a collector electrode. - 特許庁

トランジスタ６２は、垂直周波数を有するパラボラ信号Ｖｉｎと負帰還信号Ｖｅｓに応答して、トランジスタのコレクタで垂直周波数を有するパラボリック変調電圧を発生する。例文帳に追加

A transistor 62 responds to a parabolic signal Vin having a vertical frequency and a negative feedback signal Ves, and generates a parabolic modulation voltage having the vertical frequency by the collector of the transistor. - 特許庁

絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、Ｐ＋型コレクタ層からＮ−型ベース層に注入される正孔が、Ｐ型ベース層に流出するのを防止して伝導度変調効果を高めることが課題となる。例文帳に追加

To enhance the conductivity modulation effect of an insulated gate bipolar transistor by preventing holes injected from a P+ type collector layer into an N- type base layer from flowing out to a P type base layer. - 特許庁

エミッタ電極となる第１の電極７と金属プラグ１０，２３よりなるコレクタ電極を制御電極８に対して同じ側で、かつコレクタ電極の方が制御電極８から遠くなるように設けることによって、第６の半導体領域１２から注入された伝導度変調に必要なキャリアの大部分を第３の半導体領域６の直下を通らずにエミッタ電極に到達させる。例文帳に追加

A first electrode 7 to be an emitter electrode and the metal plugs 10 and 23 to be a collector electrode are provided on the same side as the control electrode 8 with the collector electrode positioned remoter from the control electrode 8, so that most of the carriers injected into the sixth semiconductor region 12 for conductivity modulation are able to reach the emitter electrode without passing through a location just under the third semiconductor 6. - 特許庁

ベース電極１６とエミッタ電極１７との間に高周波電源１８を接続すると共にコレクタ１１とゲート電極１３との間に直流電源１９を接続することにより高周波で変調された電子ビームが高出力かつ高効率で陰極チップ１１ａから放射される。例文帳に追加

A high-frequency power source 18 is connected between a base electrode 16 and an emitter electrode 17, and a direct current power source 19 is connected between the collector 11 and the gate electrode 13, so that the electron beam of high output modulated by the high frequency is emitted efficiently from the cathode chip 11a. - 特許庁

ベース電極１６とエミッタ電極１７との間に高周波電源１８を接続すると共にコレクタ１１とゲート電極１３との間に直流電源１９を接続することにより高周波で変調された電子ビームが高出力かつ高効率で陰極チップ１１ａから放射される。例文帳に追加

An electron beam modulated by a high frequency is emitted from the cathode chip 11a with a high output and high efficiency, by connecting a high frequency power supply 18 between a base electrode 16 and an emitter electrode 17 and connecting a dc power supply 19 between the collector 11 and the gate electrode 13. - 特許庁

トランジスタＱ１のコレクタとエミッタとの間に流れる直流電流Ｉ１が低周波信号で変調されているため、クロック発振回路２ではノードＷ４に低周波信号で変調された電圧、つまり、低周波発振回路３の発振信号に応じて変化する直流電圧が発生する。例文帳に追加

Since a DC current I1 flowing between a collector and an emitter of a transistor Q1 is modulated by a low frequency signal, a voltage modulated by the low frequency signal, that is, a DC voltage varied with an oscillation signal from a low frequency oscillation circuit 3 is generated at a node W4 of a clock oscillation circuit 2. - 特許庁

その際用いるＡＳＫ変調器１２Ａは、自己バイアスソース接地又はエミッタ接地増幅器と同様の回路構成とし、トランジスタのゲート又はベースには局部発振器４４Ａからの搬送波を、ドレイン又はコレクタには低域通過フィルタ１０により帯域制限された変調信号を、それぞれ印加する。例文帳に追加

An ASK modulator 12A used in this case adopts a similar circuit configuration to a self-bias common source or common emitter amplifier, a carrier from a local oscillator 44A is fed to a gate or a base of a transistor(TR) and a modulation signal whose frequency band is limited by a low pass filter 10 is respectively applied to a drain or a collector of the TR. - 特許庁

本発明は、差動対を構成する、一方のトランジスタのコレクタ端子と他方のトランジスタのベース端子との間、および、他方のトランジスタのコレクタ端子と一方のトランジスタのベース端子との間にそれぞれ正帰還をかける構成の差動形の高周波発振回路において、発振性能を損うことなく、高調波成分どうしの相互変調歪み成分を低減できるようにすることを最も主要な特徴とする。例文帳に追加

To provide a high-frequency oscillation circuit of a differential form with a configuration, where positive feedback is respectively applied between a collector terminal of one transistor(TR) and a base terminal of the other TR and between the collector terminal of the other TR and a base terminal of the one TR in the differential pair TR configuration, that can reduce intermodulation distorting components between harmonics, without losing oscillation performance. - 特許庁

トランジスタ１０５のベースにデータ信号を入力し、その信号レベルを調整してこのトランジスタのエミッタ・コレクタ間インピーダンスの変化により、アンテナ１０７からインピーダンス変換回路１０６を見たインピーダンスが変化して不整合となり、アンテナ１０７からデータ信号に対応した位相変調された第２の高周波信号が反射されるようにした。例文帳に追加

A data signal is inputted to a base of the transistor 105, its signal level is adjusted so that impedance watching the impedance conversion circuit 106 from the antenna 107 is changed for mismatching and a phase-modulated second high frequency signal corresponding to the data signal is reflected from the antenna 107. - 特許庁