コンタクト露光装置の英語

マスクとワークの位置合せを行っているときに、シール部材が、マスクステージに接しないようにしたコンタクト露光装置及びコンタクト露光方法を提供する。例文帳に追加

To provide a contact aligner and a contact aligning method such that when a mask and a work area positioned, a seal member does not come into contact with a mask stage. - 特許庁

コンタクト露光装置またはプロキシミティ露光装置において、大型のマスクの歪みや自重などによる撓みを防ぎ、マスクに対するワークの平行出しを正確に行えるようにすること。例文帳に追加

To prevent A distortion or a deflection due to dead weight of a large- sized mask and to accurately perform the parallelization of a work with reference to the mask in a contact aligner or a proximity aligner. - 特許庁

光近接効果によるパターンの変形や配線間のコンタクト不良を防止しうる半導体装置の製造方法、並びにこれに用いる露光用マスクを提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can prevent the deformation of a pattern or contact failure due to optical proximity effect, and to provide a mask for exposure used for the same. - 特許庁

電子回路装置設計方法、電子ビーム露光データ作成方法、及び、電子ビーム露光方法に関し、特に多く使用されるセルのコンタクト層と第１メタル配線層のブロック作成数の合計を、ブロックマスクに搭載できる最大の個数以内に抑えて、ショット数を圧縮する。例文帳に追加

To provide a method of designing an electronic circuit apparatus, a method of forming electron beam exposure data, and a method of exposing electronic beam, which control a total of the number of block preparation of a contact layer and a first metal wiring layer, in an especially frequently used cell within the maximum number to be mounted on a block mask to shrink the shot number. - 特許庁

ＴＣＰハンドリング装置１において、キャリアテープにおける露光単位マーク５４を取得する第２カメラ６ｂと、ＴＣＰの外部端子およびコンタクト部の接続端子が正しく接続するように、位置ずれ補正を行うプッシャステージ４とを設ける。例文帳に追加

A TCP handling apparatus 1 is provided with a second camera 6b that acquires an exposure unit mark 54 on a carrier tape and a pusher stage 4 which so compensates for any positional deviation that an external terminal of TCP and a connection terminal in a contact part can be correctly connected. - 特許庁

フォトリソグラフィ法の露光解像限界未満のラインアンドスペースパターンとなる被加工膜のパターンの上層に、その被加工膜のパターンと接続するコンタクトを容易に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can easily form a contact connected to a pattern of a processing film on an upper layer of the pattern of the processing film serving as a line-and-space pattern less than an exposure resolution limit of the photolithography method. - 特許庁