バクリーの英語

誘電層の堆積が完了された後で、第２のステップが次いで実行され、インシチュウのチャンバクリーニング操作を完了する。例文帳に追加

After completion of the dielectric layer, the second step is performed next, and the chamber cleaning operation of the in-situ is completed. - 特許庁

このため、チャンバクリーニング中に、反応生成物が生成されることを抑制でき、パーティクルの発生を抑制することができる。例文帳に追加

According to the suppression, the production of reaction products during chamber cleaning can be suppressed whereby the generation of particles can be suppressed. - 特許庁

本方法は、膜堆積の後一般に実行されるインシチュウのチャンバクリーニング操作を２つの別個のステップに分解する。例文帳に追加

This method breakes down the chamber cleaning operation of in-situ being performed generally after stacking of a film into two separate steps. - 特許庁

フッ素元素を含有するガスにより、チャンバクリーニングが実施される場合であっても、基板支持部と加熱部の密着性が損なわれることがなく、かつ、容易にメンテナンスを行うことができる基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing apparatus where maintenance can easily be performed without damaging adhesiveness of a substrate supporter and a heater even when a chamber is cleaned with gas containing a fluorine element. - 特許庁

チャンバクリーニングの速度を増加させ、クリーニング頻度を最適化することにより不純物汚染が少なく生産性が高いプラズマCVD装置及び方法を与える。例文帳に追加

To provide a plasma CVD system and method having small impurity contamination and high productivity by increasing a speed of chamber cleaning and optimizing a cleaning frequency. - 特許庁

適用が容易で、標準のクリーニング手順との組合せが可能である、希ガスプラズマ反応を用いて水の残留物を除去する、改善した反応チャンバクリーニング処理を提供する。例文帳に追加

To provide an improved reaction chamber cleaning process which is readily applicable, may be combined with standard cleaning procedure, and is able to remove water residues by making use of noble-gas plasma reactions. - 特許庁

静電チャック３２上に堆積される均一に固着した誘電体層７６は、チャンバクリーニング中のチャック表面を覆うカバーウェーハの必要性を排除し、より信頼できるウェーハの把持を提供する。例文帳に追加

The need of a cover wafer for covering the surface of the chuck during chamber cleaning is eliminated by the dielectric layer 76 which is deposited on and adhered to uniformly on the electrostatic chuck 32, and thereby the more reliable holding of the wafer is provided. - 特許庁

チャンバクリーニングプロセスの第１のステップでは、堆積されている誘電層に少量の弗素を含ませ、等方的に層をエッチングして、層のギャップ充填能を改良する付加的な利益を有する。例文帳に追加

In the first step of the chamber cleaning process, the stacked dielectric layer is let to contain a small quantity of fluorine, and the layer is isotropically etched, thus this process has an additional benefit of reforming the ability of filling the gap of the layer. - 特許庁