パターンの分離の英語

テグパターンは、所定の間隔を置いて複数で形成される素子分離膜パターン１２３と、該素子分離膜パターン１２３の間に形成されたアクティブ領域パターン１２５と、及びアクティブ領域パターン１２５内に形成されたメタル１コンタクトパターン１２７とを含む。例文帳に追加

The TEG pattern includes a plurality of element isolation film patterns 123 with a predetermined space between; an active region pattern 125 formed between these element isolation film patterns 123; and a metal 1 contact pattern 127 formed in the active region pattern 125. - 特許庁

微細パターンの形成方法及び偏光分離素子の製造方法例文帳に追加

FORMING METHOD FOR FINE PATTERN AND MANUFACTURING METHOD FOR POLARIZED LIGHT SEPARATING ELEMENT - 特許庁

半導体装置の素子分離の管理パターンおよびそれを用いた素子分離の管理方法例文帳に追加

MANAGEMENT PATTERN OF ELEMENT ISOLATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANAGEMENT OF ELEMENT ISOLATION USING THE SAME - 特許庁

分離体１ａは、一つの方向に延在する回路パターン層１３の分離部１３ａを有する。例文帳に追加

The separated body 1a has a separated part 13a of the circuit pattern layer 13 extended in one direction. - 特許庁

前記素子分離膜のセルゲートパターン上に接続線が配置される。例文帳に追加

A connection line is arranged on the cell gate pattern of the element isolation film. - 特許庁

位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成する際に、前記パターンデータを実パターンのデータを有する実パターンデータ層および前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層に分離した後、マスクパターンが、互いに隣接するパターンを透過した光の位相が同一となる同位相パターンの間隔の規定を満足するか否かを検証する。例文帳に追加

When data of the mask patterns of a phase shifting mask are drawn up, the pattern data are separated into an actual pattern data layer having data of actual patterns and a phase shifting pattern data layer having data of the phase shifting patterns and the mask patterns are examined to find whether they satisfy the rule of the interval between identical phase patterns in which the phases of light passing through adjacent patterns become identical with each other. - 特許庁

半導体素子は、半導体基板１０に備えられるメインゲート２０及び素子分離構造、前記素子分離構造の上部に備えられる分離パターン４０及び前記分離パターンの両端に備えられるコンタクトプラグ５４を含む。例文帳に追加

A semiconductor device comprises: main gates 20 and a device isolation structure provided in a semiconductor substrate 10; isolation patterns 40 provided above the device isolation structure; and contact plugs 54 provided on both sides of the isolation patterns. - 特許庁

酸化亜鉛薄膜層を、複数の領域に分離する分離パターン作製において、各領域間の分離抵抗を十分高くする。例文帳に追加

To fully increase separation resistance between respective regions in forming a separation pattern for separating a zinc oxide thin-film layer into a plurality of regions. - 特許庁