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パルス反応器の英語
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英訳・英語 pulse reactor
「パルス反応器」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
パルス電圧を発生させるための高電圧パルス発生装置5と、このパルス電圧を反応容器2に導入されたプラズマ生成用ガスに印加して反応容器2内にプラズマを点灯させるための点灯用電極6とを設ける。例文帳に追加
It is provided with high voltage generating unit 5 for generating pulse voltage and an energizing electrode 6 for energizing plasma within the reacting vessel 2 by applying the pulse voltage to the gas for generating plasma introduced into the reacting vessel 2. - 特許庁
レーザ光発生装置の出力パルスエネルギーを高めることなく反応容器の容積に占める反応領域の割合を大きくすることができるレーザ光照射反応装置を提供する。例文帳に追加
To provide a laser beam irradiation reaction device capable of enlarging the rate of reaction region in the volume of a reaction vessel without raising the output pulse energy of a laser beam generator. - 特許庁
レーザー発信器から出射されるパルス幅が10^−9秒以下の超短パルスレーザービームから多光子反応に寄与しない部分を減衰させることを特徴とする超短パルスレーザー加工用光学系。例文帳に追加
An optical system for ultrashort pulse laser processing attenuates a part not contributing to multi-photon reactions, of an ultrashort pulse laser beam which is emitted from a laser transmitter and has a pulse width of ≤10^-9 sec. - 特許庁
この方法は、f’)半導体基板を反応器内に供給するステップと、g’)第1の前駆体ガスをパルス状で反応器内に供給するステップと、h’)第2の前駆体ガスをパルス状で反応器内に供給するステップと、i’)不活性雰囲気を反応器内に供給するステップと、j’)ステップ(g)からステップ(i)までを繰り返すステップとを含んでいる。例文帳に追加
This method comprises steps of (a) supplying a semiconductor substrate into a reactor; (b) supplying a first precursor gas into the reactor in a pulse state; (c) supplying a second precursor gas into the reactor in a pulse state; (d) supplying an inert atmosphere into the reactor; and (e) repeating the steps of (b) to (d). - 特許庁
反応容器7内にプラズマ生成用ガス8を供給すると共に反応容器7内に交流又はパルス状の電圧を印加することにより大気圧近傍の圧力下で反応容器7内に放電を生じさせてプラズマ13を生成する。例文帳に追加
Plasma 13 is generated in such a way that electric discharge is generated in the reaction vessel 7 under a pressure in the vicinity of atmospheric pressure by feeding gas 8 for generating the plasma into the reaction vessel 7 and by applying an alternating current or pulse-like voltage to the reaction vessel 7. - 特許庁
絶縁材料で形成される反応容器7と、反応容器7内に交流又はパルス状の電圧を印加するための電極9、10とを具備して構成される。例文帳に追加
This plasma cleaning apparatus comprises a reaction vessel 7 made of an insulation material and electrodes 9, 10 for applying an alternating current or pulse-like voltage to the reaction vessel 7. - 特許庁
全ての反応容器101に共通の高周波電源104は、パルス変調した高周波電力を、高周波マッチングボックス103を介して、反応容器101に供給する。例文帳に追加
A high-frequency power generator 104 which is common to all reactor vessels 101 supplies pulse-modulated high-frequency power to the reactor vessels 101 via high-frequency a matching box 103. - 特許庁
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「パルス反応器」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
希ガスと反応性ガスをプラズマ生成用ガスとして反応容器1に導入すると共に電極3、4間に交流又はパルス状の電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で反応容器1内にグロー放電を発生させる。例文帳に追加
As a gas for plasma generation, a rare gas and a reactive gas are introduced into the reaction container 1 and at the same time a.c. or pulsed voltage is applied to electrodes 3, 4 to generate glow electric discharge in the reaction container 1 under approximately the atmospheric pressure. - 特許庁
PCR反応液を収納すう微小容量の液溜め部と、この液溜め部に収納する反応液に対して、直接、熱的接触する局所加熱用ヒーターが付設されたPCR反応容器を用い、付設されるヒーターにパルス波形電流を供給し、PCR反応の温度サイクルを実施し、高速なPCR増幅反応を実施可能とする方法。例文帳に追加
A high-speed PCR amplification reaction is carried out by using a PCR vessel composed of a liquid reservoir having a small volume to store a PCR liquid and a local heater to heat the reaction liquid in the liquid reservoir by the direct thermal contact with the liquid, and supplying a pulse current to the heater to perform the temperature cycle of the PCR. - 特許庁
空気取込口1、乾燥器2、ポンプ3、放電反応容器4、パルスパワー電源5、NO_2 除去装置6、NO計測器7および純粋NO取出口8とを備え、放電反応容器4内の電極同士に所定の電圧を印加することでコロナ放電を生じさせる。例文帳に追加
The device is provided with an air uptake port 1; a dryer 2; a pump 3; a discharge reaction vessel 4; a pulse power source 5; an NO_2 removing apparatus 6; an NO measuring instrument 7; and a pure NO takeoff port 8, and, by applying prescribed voltage between electrodes in the discharge reaction vessel 4, corona discharge is caused. - 特許庁
燃料フロー制御器16および空気フロー制御器22のためのパルス噴射器を利用する燃料改質のための反応器フロー制御装置10を提供する。例文帳に追加
The reactor flow control apparatus 10 for fuel reforming is configured that utilizes pulsed injectors for a fuel flow controller 16 and an air flow controller 22. - 特許庁
金属反応容器内に基板を設置し、炭化水素ガスと水素との混合気体を反応容器内に導入し、前記基板と前記金属反応容器の間に所定周波数の高周波電力を供給して前記基板の周囲に放電プラズマを発生させ、前記基板に負のバイアス電圧又は/及びパルス電圧を繰り返し重畳して前記基板上にカーボンナノチューブを被着形成する。例文帳に追加
A substrate is disposed in a metal reaction chamber, the mixture gas of a hydrocarbon gas and hydrogen is introduced into the reaction chamber, high frequency electric power at a specified frequency is supplied between the substrate and the metal reaction chamber to generate discharge plasma around the substrate, and a negative bias voltage and/or pulse voltage is repeatedly superposed on the substrate to deposit carbon nanotubes on the substrate. - 特許庁
これにより、ラジカル発生器3の電極間にストリーマコロナ放電させて間欠的にラジカルを生成し、パルスの休止時間で生成ラジカルによる酸化反応行わせ、排気ガスの脱臭効率を上げる。例文帳に追加
As a result, streamer corona discharge is carried out between the electrodes of the radical generator 3 to intermittently generate the radical, an oxidation reaction by virtue of the generated radical is carried out at a time of the pulse suspension, and the efficiency in deodorizing exhaust gas is enhanced. - 特許庁
活性層であるInを含む窒化物半導体1を反応容器10内に収容し、窒化物半導体をその結晶品質が低下しない温度に保持しながら、成長させるp型窒化物半導体2の前駆体とp型ドーパントを反応容器内に供給し、同時に窒化物半導体1の表面にパルスレーザ3を照射する。例文帳に追加
A nitride semiconductor 1 containing In that is an active layer is stored in a reaction vessel 10, the nitride semiconductor is held at temperature for preventing the crystal quality from deteriorating, the precursor and p-type dopant of the grown p-type nitride semiconductor 2 are supplied into the reaction vessel, and pulse laser beams 3 are applied to the surface of the nitride semiconductor 1. - 特許庁
位相比較器50内にパルス幅変更部70を設け、外部からセレクト信号SL1,SL2によりセレクタ73,76を切り替えることにより、アップ信号UP又はダウン信号DNのパルス幅を変更させ、チャージポンプ回路80の充電時間を調整することにより、PLL回路の反応特性を高める(不感帯を減少させる)。例文帳に追加
A pulse width changing unit 70 is provided in a phase comparator 50, selectors 73 and 76 are switched from one to another by selection signals SL1 and SL2 sent from outside to change the pulses of UP signals UP or down signals DN in width, and the charging time of a charge pump circuit 80 is adjusted to improve the PLL circuit in response characteristics (reduce an insensible zone). - 特許庁
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