フィールド絶縁膜２の上にコントロールゲート５を形成する。例文帳に追加

A control gate 5 is formed on a field insulating film 2. - 特許庁

受光領域３上及びフィールド絶縁膜５上には層間絶縁膜６が形成される。例文帳に追加

An interlayer insulating film 6 is formed on a light-receiving region 3 and a field insulating film 5. - 特許庁

フィールド絶縁膜の形成工程を含む半導体装置装置の製造方法に関し、素子の劣化を防止するフィールド絶縁膜の形成を可能にし、また、フィールド酸化膜の平坦化を可能にすること。例文帳に追加

To enable formation of a field insulating film which prevents the deterioration of an element and also enable the flattening of a field oxide film, in the manufacture of a semiconductor device which includes the formation process of the field insulating film. - 特許庁

フィールドドレイン絶縁部１２０は、第１絶縁膜１２６及び高誘電率絶縁膜１２４を有している。例文帳に追加

A field drain insulating part 120 has a first insulating film 126 and a high dielectric-constant insulating film 124. - 特許庁

そのフィールドシールド部は、フィールドシールドゲート電極層２２、ｐ型領域２０およびゲート絶縁膜を含んでいる。例文帳に追加

The field shield section contains a field shield gate electrode layer 22, a p-type area 20, and a gate insulating film. - 特許庁

Ｐ＋型拡散層６の端は、電界が集中するフィールド絶縁膜５の端（ゲート絶縁膜４とフィールド絶縁膜５とが接する部位）と離間されている。例文帳に追加

An end of the p^+-type diffusion layer 6 is spaced from the end (close to a contact between the gate insulating film 4 and the field insulating film 5) of the field insulating film 5 having a concentrated electric field. - 特許庁

フィールド酸化膜5およびMOSトランジスタ6表面には、層間絶縁膜7が形成されている。例文帳に追加

A layer insulation film 7 is formed in a surface of the field oxide film 5 and a surface of the MOS transistor 6. - 特許庁

本発明は、フィールド・プレート電極下の絶縁膜の端部形状を緩やかにしている。例文帳に追加

An edge shape of the insulating film under the field plate electrode is made gentle. - 特許庁

ゲート電極２０及び第１フィールドプレート２２ａ〜２２ｄ，２３を絶縁膜２４が覆っている。例文帳に追加

An insulating film 24 covers the gate electrode 20 and the first field plates 22a-22d, 23. - 特許庁

フィールド・プレート電極下の絶縁膜における電界集中を抑制することを課題とする。例文帳に追加

To suppress electric field concentration in an insulating film under a field plate electrode. - 特許庁

また、リセス部１２の上方における絶縁膜１５上に、フィールドプレート電極１１が形成される。例文帳に追加

A field plate electrode 11 is formed on the insulating film 15 above the recessed part 12. - 特許庁

トレンチ６の内部には、第１絶縁膜７を介してフィールドプレート８が設けられている。例文帳に追加

In each trench 6, a field plate 8 is provided via a first insulating film 7. - 特許庁

フィールド絶縁材料６６はＬＯＣＯＳ酸化膜を有するように形成される。例文帳に追加

The field insulating material 66 is formed so that it has a LOCOS oxide film. - 特許庁

基板１０の表面にウエル領域１２及びフィールド絶縁膜１４を形成する。例文帳に追加

A well area 12 and a field insulating film 14 are formed on the surface of a substrate 10. - 特許庁

フィールド酸化膜１、ヒューズ素子３、層間絶縁膜５、第１メタル配線７及び層間絶縁膜９を順次形成する（Ａ）。例文帳に追加

A field oxide film 1, fuse element 3, layer insulation film 5, first metallic wiring 7 and layer insulation film 9 are sequentially formed (A). - 特許庁

SiC基板１の上にSiCの熱酸化膜３と上部絶縁膜４からなるフィールド絶縁膜５が形成される。例文帳に追加

On an SiC substrate 1, a field insulating film 5 composed of a thermally oxidized SiC film 3 and an upper insulating film 4 is formed. - 特許庁

Ｓｉ基板１２０およびフィールド酸化膜１０１の上部には、絶縁膜１０５およびカバー絶縁膜１０８が設けられている。例文帳に追加

An insulating film 105 and a cover insulating film 108 are provided over the Si substrate 120 and the field oxide film 101. - 特許庁

ゲート絶縁膜７とＮ＋ソース領域１１ｓの間の半導体基板１表面にフィールド絶縁膜１５配置されている。例文帳に追加

A field insulating film 15 is disposed on the surface of a semiconductor substrate 1, between the gate insulating film 7 and an N+ source region 11s. - 特許庁

ゲート絶縁膜４上の全面及びフィールド絶縁膜５の一部上にゲート電極８が配置されている。例文帳に追加

A gate electrode 8 is provided on the full surface of a gate insulating film 4 and on part of the surface of a field insulating film 5. - 特許庁

すなわち、Ｐ＋型拡散層６の端は、フィールド絶縁膜５の端から、ゲート絶縁膜４の方向へ内側に離れて配置されている。例文帳に追加

That is, the end of the p^+-type diffusion layer 6 is disposed to be spaced inward in a direction toward the gate insulating film 4 from the end of the field insulating film 5. - 特許庁

そして、フィールド絶縁膜１３上に７つのフィールドプレート１５が設けられ、そのフィールドプレート１５の間隔がボディ領域８側（ソース領域１１側）ほど小さくされている。例文帳に追加

Then, seven field plates 15 are provided on a field insulating film 13, and intervals of the field plates 15 are made to be narrower when they are closer to the body region 8 (the source region 11). - 特許庁

また高誘電率絶縁膜１２４は、平面視でフィールドドレイン絶縁部１２０の中央部には位置していない。例文帳に追加

The high dielectric-constant insulating film 124 is not located in the center of the field drain insulating part 120 in a plan view. - 特許庁

第１絶縁膜１２６は、平面視で少なくともフィールドドレイン絶縁部１２０の中央部に位置している。例文帳に追加

The first insulating film 126 is located at least in the center of the field drain insulating part 120 in a plan view. - 特許庁

第１絶縁膜ＬＡの厚さをａ、第１フローティングフィールドプレートＦＡと第２フローティングフィールドプレートＦＢとの間における第２絶縁膜ＬＢの厚さ方向の距離をｂとしたとき、ａ＞ｂである。例文帳に追加

When the first insulating film LA has a thickness a, a distance in the thickness direction of the second insulating film LB between the first and second floating field plates FA and FB is b; a relation of a>b is satisfied. - 特許庁

開口部１８を有するフィールド絶縁膜４の上部に設けられた外部ベース６は、開口部１８の内部に入りこみ、フィールド絶縁膜４の側壁を覆い、第２の開口を形成している。例文帳に追加

An outer base 6 provided on a field insulation film 4 having an opening 18 enters the opening 18 to cover the sidewall of the field insulation film 4 thus forming a second opening. - 特許庁

更に、ゲート電極５を覆うようにフィールド絶縁膜７を設け、フィールド絶縁膜７上におけるゲート電極５の直上域を含む領域にソース電極３に接続されたソースＦＰ電極８を設ける。例文帳に追加

Furthermore, a field insulating film 7 is formed covering the gate electrode 5. - 特許庁

フィールドドレイン部は、半導体基板と接触する第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に形成され第１絶縁膜よりも高い誘電率を有する第２絶縁膜と、を備える。例文帳に追加

The field drain portion includes a first insulating film contacting the semiconductor substrate and a second insulating film that is formed on the first insulating film and has a higher dielectric constant than the first insulating film. - 特許庁

少なくとも最内周とその次の外周の前記フィールド絶縁膜上では前記導電性フィールドプレートが外周に向う方向に張り出し、かつ少なくとも最外周とその次の外周の前記フィールド絶縁膜上では前記導電性フィールドプレートが内周に向う方向に張り出している双方向阻止高耐圧プレーナ型半導体装置とする。例文帳に追加

In the bidirectional high breakdown voltage planar semiconductor device, a conductive field plate stretches toward the outer circumference on a field insulation film at least the innermost circumference and a subsequent outer circumference, and the conductive field plate stretches toward the inner circumference on the field insulation film at least the outermost circumference and a subsequent outer circumference. - 特許庁

第1サブ絶縁膜から一方の側の第2サブ絶縁膜、及びこの一方の側の第3サブ絶縁膜に渡って一体的に覆うようにフィールドプレート43が形成されている。例文帳に追加

The field plate 43 is formed so as to integrally cover the insulating films from the first sub-insulating film toward the second sub-insulating film of one side and the third sub-insulating film of the one side. - 特許庁

検出素子１は、半導体基板２にゲート絶縁膜８が設けられ、ゲート絶縁膜８上からフィールド絶縁膜４上に延在してゲート電極１０が設けてある。例文帳に追加

In a detecting element 1, a gate insulating film 8 is provided in a semiconductor substrate 2 and a gate electrode 10 is provided in such a way that the electrode 10 is extendedly provided from the upper part of the film 8 to the upper part of a field insulating film 4. - 特許庁

フィールド絶縁膜１２の上に層間絶縁膜１４を形成した後、接続孔形成工程を流用して絶縁膜１４に溝１４ａ〜１４ｄを互いに離間して形成する。例文帳に追加

After an interlayer insulating film 14 is formed on a field insulating film 12, grooves 14a-14d are mutually separated in the insulating film 14 by utilizing a contact hole forming process. - 特許庁

第１半導体層１１上には絶縁膜１４を介してフィールドプレート抵抗膜２０が形成されている。例文帳に追加

A field plate resistance film 20 is formed on the first semiconductor layer 11 through an insulator film 14. - 特許庁

フィールド酸化膜２１上及び絶縁膜２３上に下層メタル配線層２５ａ，２５ｂ，２５ｃが形成されている。例文帳に追加

Lower layer metal wiring layers 25a, 25b, and 25c are formed on a field oxide film 21 and an insulating film 23. - 特許庁

フィールド酸化膜の目減りを低減することができる、異なる種類のゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of semiconductor device including gate insulating films of different kinds which can reduce reduction in a field oxide film. - 特許庁

バーズビーク４を有するフィールド酸化膜３上にベース配線５及び層間絶縁膜６を被覆する。例文帳に追加

A base wiring 5 and an interlayer insulating film 6 are coated on each of the field oxide films 3 having the bird's beaks 4. - 特許庁

高誘電率絶縁膜１２４は、フィールドドレイン絶縁部１２０の底面の縁のうち少なくともドレイン領域１４２に近接する部分に位置しており、第１絶縁膜１２６よりも誘電率が高い。例文帳に追加

The high dielectric-constant insulating film 124 is located at least at a portion adjacent to a drain region 142 of edges of the bottom of the field drain insulating part 120 and has a higher dielectric constant than the first insulating film 126. - 特許庁

複数の周回フィールドプレートによる間隙上には層間絶縁膜を介して第１及び第２の主電極間への電圧印加時に、抵抗性フィールドプレートとの間で容量を形成する導電性フィールドプレートを設ける。例文帳に追加

A conductive field plate forming a capacitance between the conductive field plate and the resistive field plate is formed on a gap by a plurality of the peripheral field plates when a voltage is applied between the first and second main electrodes through an interlayer insulating film. - 特許庁

このフィールド絶縁膜５を貫通して、ＳｉＣエピタキシャル層４の表面に、アノード電極７をショットキー接合させる。例文帳に追加

An anode electrode 7 is Schottky-joined onto a first surface of the SiC epitaxial layer 4 so as to penetrate the field insulating film 5. - 特許庁

ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層２０上に、フィールド絶縁膜７０を形成し、エピタキシャル層の表面の一部が露出するようにする。例文帳に追加

A field insulating film 70 is formed on an n-type SiC epitaxial layer 20, and a part on the surface of the epitaxial layer 20 is exposed. - 特許庁

第１ゲート電極９のドレイン領域側の端部はフィールド絶縁膜１５上に配置されている。例文帳に追加

An end of the drain region side of the first gate electrode 9 is disposed on the field insulating film 15. - 特許庁

第２絶縁膜１６がトレンチの上部において、フィールドプレート電極１４の上面に接するように形成されている。例文帳に追加

A second insulation film 16 is formed in an upper part of the trench so as to contact a top face of the field plate electrode 14. - 特許庁

ｎ^-層１１０の上方には、第１絶縁膜ＬＡを介して複数の第１フローティングフィールドプレートＦＡが形成される。例文帳に追加

A plurality of first floating field plates FA are formed on the upper part of the n^--layer 110 via a first insulating film LA. - 特許庁

フィールド酸化膜を間に挟んだ両側の不純物拡散領域との間にトランジスタ、すなわち絶縁領域トランジスタ（３２０）を形成させる。例文帳に追加

A transistor, namely, insulating region transistor is formed between impurity diffused regions on both sides with a field oxide film inbetween. - 特許庁

側壁ギャップ７７を構成している一定の間隙は、フィールド絶縁膜５の厚みより小さい値に制御されている。例文帳に追加

The fixed clearance constituting the sidewall gap 77 is controlled to a value, which is smaller than the thickness of the field insulating film 5. - 特許庁