プラズマ半空間の英語

この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。例文帳に追加

An inductively coupled plasma processing apparatus is configured such that inductively coupled plasma is generated so as to have a doughnut shape under a dielectric window 52 close to an RF antenna 54 and the doughnut-shaped plasma is dispersed in a large processing space so as to level the plasma density near a susceptor 12 (namely, on a semiconductor wafer W). - 特許庁

この誘導結合型プラズマエッチング装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。例文帳に追加

The inductive coupling type plasma etching apparatus is configured to generate inductive coupling plasma like a donut under a dielectric window 52 in proximity to an RF antenna 54, and distribute the donut-like plasma in a wide processing space to equalize the density of the plasma in the vicinity of a susceptor 12 (i.e. on a semiconductor wafer W). - 特許庁

高周波電力によりプラズマを発生させて半導体ウエハに対してエッチングなどの処理を行う装置において、異なる導電性部材間の電気的抵抗を低減させ、プラズマ空間に面する導電性部材の電位の均一化を図り、良好な処理を行うことができるようにする。例文帳に追加

To conduct a satisfactory processing in a device for processing an etching or the like to a semiconductor wafer by generating plasma with a high frequency power by decreasing an electrical resistance between various conductive members and by uiforming a potential of the conductive members facing the plasma ambience. - 特許庁

動作中は、半導体ウェハ２８の上にある材料層６６は、半導体ウェハ２８全体の各位置６４でプラズマ特性を局所的に空間制御することにより、均一にエッチングまたは付着される。例文帳に追加

During operation, a material layer 66 on a semiconductor wafer 28 is uniformly etched or attached by locally space-controlling plasma characteristics at each location 64 of the entire semiconductor wafer 28. - 特許庁

結晶領域を含む半導体層は、半導体材料ガスに対して希釈ガスの流量比を１倍以上１０倍未満、好ましくは１倍以上６倍以下として反応空間に導入してプラズマを生成し、成膜する。例文帳に追加

The semiconductor layer including the crystalline region generates plasma and forms a film by introducing dilution gas, of which a flow rate ratio to a semiconductor material gas is 1-10 times, more preferably 1-6 times, to a reaction space. - 特許庁

動作中は、半導体ウェハ２８の上にある材料層６６は、半導体ウェハ２８全体の各位置６４でプラズマ特性を局所的に空間制御することにより、均一にエッチングまたは付着される。例文帳に追加

In operation, a material layer 66 overlying a semiconductor wafer 28 is either uniformly etched or deposited by localized spatial control of the plasma characteristics at each location 64 across whole of the semiconductor wafer 28. - 特許庁

プラズマトーチユニットＴにおいて、コイルは複数の導体棒３を接続したもので、石英管４の内部に配置されており、石英管４の内側の半円柱部分が筒状チャンバ内部の空間７に露出する。例文帳に追加

In a plasma torch unit T, a coil is made by connecting a plurality of conductor rods 3 disposed in quartz tubes 4, and the inner half cylindrical portions of the quartz tubes 4 are exposed in a space 7 in a tubular chamber. - 特許庁