ヘリコンの英語

この後パターン６４−１及び６３−１に従ってヘリコン波ドライエッチングを行って吐出ノズル６２を穿設する。例文帳に追加

Subsequently, helicon wave dry etching is performed according to the patterns 63-1 and 64-1 to make an ejection nozzle 62. - 特許庁

処理室２の上方にはベルジャー８が設けられ、その外周部分には、ヘリコンコイル９と磁場コイル１１がそれぞれ配設されている。例文帳に追加

A bell jar 8 is provided above the processing chamber 2, and a helicon coil 9 and a magnetic field coil 11 are provided in its outer periphery. - 特許庁

ヘリコン波励起プラズマによりターゲットをスパッタし、プラズマの到達しない基板上へエピタキシャル成長を行う。例文帳に追加

A target is sputtered with helicon wave excited plasma, and an epitaxial growth is carried out on a substrate that plasma does not reach. - 特許庁

基板４６の裏面に連通防止用のフィルムを貼ってからヘリコン波エッチング装置のウエハ固定用ステージ６２に載置する。例文帳に追加

After a sticking a film for the communication prevention to the rear surface of a substrate, it is placed on a water fixing stage 62 of a helicon wave etching device. - 特許庁

処理容器１４内に配置されている被処理物Wにヘリコン波を導入することによりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、ヘリコン波が発生する真空容器１１a、１１ｂの内部を磁場の方向２０と平行な壁面により複数に分割するプラズマ処理装置。例文帳に追加

In this plasma treatment device, performing plasma treatment by introducing helicon waves into a workpiece W arranged inside a treatment vessel 14, the inside of each of vacuum vessels 11a and 11b for generating the helicon wave is divided into a plurality of sections by means of a wall face parallel to a magnetic field direction 20. - 特許庁

特定エッチングガスを使用してヘリコンプラズマ乾式エッチング工程を通じてエッチング工程条件を最適化し、エッチング選択性を向上させた酸化物薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an oxide thin film transistor element, wherein an etching process condition is optimized by using specific etching gas through a helicon plasma dry etching process and etching selectivity is improved. - 特許庁

本発明は、基板に対してヘリコン波プラズマを斜めから照射して洗浄箇所を効率的に洗浄できるようにした基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To provide a substrate cleaning apparatus for efficiently cleaning a cleaned place by obliquely irradiating a substrate with Helicon wave plasma. - 特許庁

ヘリコン波プラズマエッチング装置１では、ウェハ５０にプラズマエッチング処理を施すための処理室２が設けられ、その処理室２内にステージ部３が配設されている。例文帳に追加

A helicon-wave plasma etching apparatus 1 is provided with a processing chamber 2 to etch a wafer 50 by plasma, wherein a stage 3 is provided. - 特許庁