メッキ空孔の英語

絶縁層に形成された高アスペクト比の溝やビア孔に電気銅メッキを行うとき、メッキ層中でのボイド（空孔）発生が抑制された配線層やビアの形成を可能とする。例文帳に追加

To form a wiring layer or a via in which the generation of voids in a plating layer is suppressed when copper electroplating is performed to a trench or a via hole with a high aspect ratio formed at an insulating layer. - 特許庁

銅膜層５は、まず貫通孔３壁面に無電解メッキ銅層５ａを形成した後、空洞３０を残して電解メッキ銅層５ｂを形成することにより充填する。例文帳に追加

The copper film layer 5 is filled by forming an electroless plated copper layer 5a on the wall of the through-hole 3 and then by forming an electrolytic plated copper layer 5b, leaving the cavity 30. - 特許庁

これにより、中空骨格のニッケル金属とニッケルメッキされた帯状金属板とが一体化したニッケル多孔体１０が得られる。例文帳に追加

Thus, a nickel porous body 10, having hollow skelton nickel metal and nickel-plated band-shaped metal plate, is formed integrally with each other. - 特許庁

メッキ処理の前に、筒部の中空部から第１のシュー受け面６の実質的な中央部に貫通する細孔９を形成する。例文帳に追加

Before the plating treatment, a pore 9 passing from the hollow part of the cylindrical part is formed through the substantially central part of the first shoe receiving face 6. - 特許庁

部分メッキ装置１において、不溶性陽極１１は、壁部に外部と中空部を連通する多数の気孔を有する中空体構造であり、隔膜１２により密着して被包されており、さらに隔膜１２の外周に密着してメッキ液保持体１３が周設されている。例文帳に追加

In the partial plating equipment 1, an insoluble anode 11 has a hollow structure having many pores allowing the outside and the hollow part to communicate with each other at the wall part, and is adhesively covered with a diaphragm 12, and further, a plating liquid holding body 13 is adhesively provided around the outer circumference of the diaphragm 12. - 特許庁

肉抜きをしても剛性を確保した上で軽量化を図ることができると共に、メッキを施す場合でも、肉抜き孔内にメッキ液が入ることがない中空鍛造部材及びその製造方法を提供することを課題としている。例文帳に追加

To provide a hollow-forging member and a producing method thereof by which even in the case of performing the hollow-forging, the weight reduction can be obtained under state of securing the toughness and in the case of applying the plating, plating solution is not invaded into the lightening hole. - 特許庁

このような構成の半導体チップのＮｉメッキ層２０と半田６ｂとを接合した半導体装置において、Ａｌ電極１９のうち、コンタクトホール１８の上側に位置する部位に、空孔２５を設けた構造とする。例文帳に追加

In the semiconductor device having a constitution where the Ni plating layer 20 of the semiconductor chip is bonded to solder 6b, a void 25 is provided in the Al electrode 19 at a position on th upper side of the contact hole 18. - 特許庁