量子トンネル効果の英語

トンネル効果という,量子力学系における粒子の現象例文帳に追加

in quantum mechanics, a particle phenomenon called tunneling effect発音を聞く  - EDR日英対訳辞書

ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴのショットキー障壁ポテンシャルの、量子力学的トンネル効果によるトンネル状態密度を計算する。例文帳に追加

Tunneling state density by the quantum-mechanical tunneling effect through a Schottky barrier potential of the Schottky source/drain MOSFET is calculated. - 特許庁

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。例文帳に追加

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a tunnel SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, a quantum dot which includes Ge nucleus within Si shell formed on the tunnel SiO_2 layer, a control SiO_2 layer formed on the quantum dot and tunnel SiO_2 layer, and a gate electrode layer formed on the control SiO_2 layer. - 特許庁

また、同じサイズの量子ドット６Ｓ，６Ｍ，６Ｌを厚さ方向に配列することで、キャリアの移動方向に同一のエネルギ準位を並べ、エネルギを失うことなくトンネル効果によってキャリアを移動させて、電流を取り出す。例文帳に追加

Further, equal energy levels are arranged in a moving direction of carriers by arraying quantum dots 6S, 6M and 6L of the same size in a thickness direction, and carriers are moved through tunnel effect without losing energy, thereby extracting a current. - 特許庁

多重量子井戸層全体を，順方向ないし逆方向にバイアスしたとき，量子ドットに接する一方の量子井戸層のエネルギー準位から，量子ドット内エネルギー準位を経由して，他方の隣接量子井戸のエネルギー準位へ，トンネル効果でキャリヤ（通常は正孔）を高速に移動させることが可能となる。例文帳に追加

As a result, when biased of the whole multiple quantum well layer is carried out forward or backward, high speed translocation of carriers (usually holes) is enabled by tunnel effect, from energy level of one quantum well layer which is adjacent to the quantum dot to energy level of adjacency quantum well of the other side through energy level in the quantum dot. - 特許庁

ショットキー障壁を量子力学的にトンネルする効果を、古典的・半古典的な輸送方程式に基づくデバイスシミュレータに取り入れ、ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴの電気的特性を高速で正確に解析可能なデバイスシミュレーション装置、方法、プログラムの提供。例文帳に追加

To provide a device simulation apparatus, a device simulation method and a program that accurately analyze electric characteristics of a Schottky source/drain MOSFET at a high speed by employing the effect of quantum-mechanical tunneling through a Schottky barrier for a device simulator based on a classical and a semiclassical transport equation. - 特許庁

少なくとも１個の金属超微粒子があれば、金属内電子の波動関数が二酸化チタン微粒子内部に深く浸透し、広範囲に生起される光励起電子を量子トンネル効果により金属外に誘導できるから、多数の金属超微粒子を担持したのと同様の高光触媒活性を有する。例文帳に追加

If at least one metal ultrafine particle is present, the wave function of the electrons in the metal intrudes deep in the titanium dioxide fine particle and induces photo-excited electrons produced in a wide range to the outside of the metal by the quantum tunnel effect. - 特許庁