半しきい値処理の英語

前記ぼかし処理の対象を判断するためのしきい値を段階的に複数設定し、前期複数のしきい値と各画素の奥行き値を比較してぼかし処理の対象となる複数の画素集合を特定し、特定された複数の画素集合に対してそれぞれ半透明描画処理を行う。例文帳に追加

A plurality of thresholds for judging the target of blur processing are set step by step, a plurality of groups of pixels to become the target of blur processing are specified by comparing a plurality of thresholds with the depth values of respective pixels, and semi-transparent plotting processing is applied to each of a plurality of specified pixel groups. - 特許庁

前記ぼかし処理の対象を判断するためのしきい値を段階的に複数設定し、前期複数のしきい値と各画素の奥行き値を比較してぼかし処理の対象となる複数の画素集合を特定し、特定された複数の画素集合に対してそれぞれ半透明描画処理を行う。例文帳に追加

A plurality of thresholds for deciding the object of the burring processing are set stepwise, a plurality of pixel groups to be an object of the blurring processing are specified by comparing the plurality of thresholds with the depth value of each pixel, and the plurality of specified pixel sets are respectively subjected to translucent plotting processing. - 特許庁

熱処理による脱水化または脱水素化処理及び酸素ドープ処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

The transistor having an oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, and oxygen doping treatment, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability. - 特許庁

半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。例文帳に追加

A process wherein an impurity diffusion layer 4 to be used to control threshold voltage is performed by implanting ions, and a process wherein a high temperature heat treatment is performed for a short period to recover the crystal defect generated by the ion implantation, are performed continuously without performing heat treatment in this manufacturing method of a semiconductor device. - 特許庁

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

The transistor having a gate insulating film treated by oxide doping treatment and the oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability. - 特許庁

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

The transistor having an oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, and treated by oxygen doping treatment in steps for manufacturing the same, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability. - 特許庁

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

The transistor including the oxide semiconductor film on which the dehydration or dehydrogenation process by heat treatment has been performed and on which the oxygen doping process has been performed in the manufacturing process, has a smaller amount of change in the threshold voltage of the transistor before and after the bias-thermal stress test (BT test), and therefore the transistor has high reliability. - 特許庁