「半しきい値処理」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

The transistor having an oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, and treated by oxygen doping treatment in steps for manufacturing the same, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability. - 特許庁

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

The transistor including the oxide semiconductor film on which the dehydration or dehydrogenation process by heat treatment has been performed and on which the oxygen doping process has been performed in the manufacturing process, has a smaller amount of change in the threshold voltage of the transistor before and after the bias-thermal stress test (BT test), and therefore the transistor has high reliability. - 特許庁

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

A transistor having a gate insulation film on which the oxygen dope processing is performed, and an oxide semiconductor film on which dehydration by heat treatment or dehydrogenation treatment is performed can reduce an amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test (BT test), and can be highly reliable. - 特許庁

移動距離を曲率半径で除した比率が所定値より大きい場合、第３の節点を曲線上へ移動して、第１、第２、第３の節点を結ぶ有限要素にメッシュ分割し、上述した処理を繰り返す。例文帳に追加

When a ratio obtained by dividing the movement distance by the curvature radius is more than a prescribed value, the third node is moved onto the curve, the mesh division is performed into a finite element connecting the first, second and third nodes, and the above processing is repeated. - 特許庁

高温短時間熱処理するＲＴＰ装置において、ウエハ表面のガスの流れを均一にして、これを用いて製造した半導体装置のシート抵抗値、トランジスタのしきい値、Ｋ値等、諸特性の面内ばらつきをおさえること。例文帳に追加

To make the flow of gas over the surface of a wafer uniform in a RTP unit used for performing a heat treatment at high temperature in a short time, and to reduce variations in characteristics of a semiconductor device manufactured by using the RTP unit in the surface of the semiconductor device such as sheet resistance, threshold of a transistor, K value and the like. - 特許庁

製造容易で、しかも素子の高集積化を可能とする多信号入力しきい値処理用半導体装置であるνＭＯＳトランジスタを提供すること。例文帳に追加

To provide a multi-signal input threshold value processing semiconductor device, i.e., a νMOS transistor, in which high integration of elements can be realized while facilitating fabrication. - 特許庁

設計装置は、機能に応じた内部回路３２を備えた半導体装置の設計処理において、内部回路３２が接続された電源パッド４４ａ，４４ｂ間の寄生容量値を算出し、この寄生容量値とライブラリに格納されている容量しきい値とを比較する。例文帳に追加

A design apparatus calculates a parasitic capacity between power supply pads 44a, 44b to which an inner circuit 32 is connected in the design processing of the semiconductor device provided with the inner circuit 32 corresponding to a function and compares the parasitic capacity value with a capacity threshold stored in a library. - 特許庁

熱処理装置を使用する半導体装置の製造工程において、しきい値温度を超えない範囲での温度のハンチングが生じる状態を異常として検知できる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for detecting a state that the hunting because of temperature is generated in a range where a threshold temperature is not exceeded as abnormality in a process for manufacturing a semiconductor device using a heat treatment device. - 特許庁

動作電源の電圧レベルがしきい値以下になったことを検出する電圧検知手段１０１と、その電圧検知信号Ｓ１０１に基づいてリセット可能な中央演算処理装置１０４を備えた半導体装置である。例文帳に追加

This semiconductor device is provided with a voltage detecting means 101 for detecting that the voltage level of an operating power source is less than a threshold value and a central arithmetic processor 104 which can be reset based on a voltage detection signal S101. - 特許庁

また、サブエミッタ層４５の形成前にベース層４３の脱水素アニール処理を実施することにより、電流増幅率βの値が大きいヘテロ接合バイポーラ半導体素子を得ることができるようにした。例文帳に追加

In addition, a base layer 43 is treated by dehydrogenation annealing before the sub-emitter layer 45 is formed, thereby resulting in the bipolar semiconductor element with a hetero joint having a large value of current amplification factor β. - 特許庁

水蒸気アニールによる半導体薄膜の処理を行う場合であっても導電型によらずにしきい値電圧を確保できる薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a thin film transistor and a thin film transistor, capable of ensuring threshold voltage irrespective of its conductivity type, even when processing a semiconductor thin film by water vapor annealing. - 特許庁

ヘッド、温度、半径位置によるばらつきに対応し、且つ書込み開始直後の書込電流による熱膨張に起因した特性劣化を改善した最適なヒータ制御値を校正処理により設定する制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a control device for setting the optimal heater control value, which is corresponding to fluctuation caused by head, temperature and a radial position and is improved in characteristic deterioration caused by thermal expansion due to a writing current just after starting the writing, by a correction processing. - 特許庁

被処理体、例えば半導体ウェハ８上に供給された現像液とリンス液（一般に純度の高い純水）の該ウェハ８上における温度を現像液の種類に応じた最適値に制御できるようにする。例文帳に追加

To control the temperature of a developer liquid and rinse liquid (normally, water of high purity) supplied on a body to be processed, for example, a semiconductor wafer to an optimum value according to the kind of developer liquid. - 特許庁

ユーザアプリケーション１１は電圧監視部１２から電池２４の電圧情報を受取り、電圧値Ｖ_Bがしきい値Ｖ_THを下回る場合に、半導体メモリ２２とバックアップディスク２３の双方にデータを格納するとともに、電池の交換を促す警告を発するよう処理する。例文帳に追加

A user application 11 receives the voltage information on the battery 24 from a voltage monitor part 12, and stores data both in the semiconductor memory 22 and on the backup disk 23 and generates an alarm prompting the replacement of the battery if the voltage value VB is lower than a threshold value VTH. - 特許庁

本発明は、多品種の半導体デバイス製造ラインにおける各工程毎の検査データおよびその際の製造装置の製造条件の実績値を用いて、半導体デバイス製造の検査工程における規格外れ要因を、製造装置起因とプロセス起因に分離する診断処理を行う。例文帳に追加

It is diagnosed in an inspection process that an off-specification product is caused by a manufacturing device or a process, and the above diagnosis is made by the use of inspection data on each process in the manufacturing lines of various kinds of semiconductor devices and the actual values of the manufacturing conditions under which the manufacturing device operates in the processes. - 特許庁

電子機器１は、データ書込み処理において既に書込まれたデータに対する上書きが禁止されている不揮発性半導体メモリ１６を有し、実データおよび当該実データに対応した管理データを記憶する第１記憶部５３と、データ書込み処理において任意の値へのデータ上書きが可能な第２記憶部５４と、第１記憶部５３に対するデータアクセスを制御する制御部５２とを有する。例文帳に追加

The electronic apparatus 1 includes: a first storage unit 53 which has a nonvolatile semiconductor memory 16 inhibiting overwriting on already written data during data writing processing and stores actual data and management data corresponding to the actual data; a second storage unit 54 where it is possible to overwrite data to a certain value during the data writing processing; and a control unit 52 which controls data access to the first storage unit 53. - 特許庁

フラッシュメモリのような不揮発性半導体記憶装置において、書込みまたは消去動作中に電源遮断が発生した場合には、実行中の動作を中断してしきい値電圧を逆方向へ変化させる書戻し処理を行なうように構成した。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor storage device such as a flash memory is constructed in such a manner that when a power cut-off has occurred during writing or erasing operation, a rewriting operation is executed to change a threshold voltage in the reverse direction by interrupting ongoing operation. - 特許庁

しきい値電圧調整のためのイオン注入工程や半導体ウェハ表面に付着した異物を除去するための純水リンス処理を省略することなく、ゲート酸化膜の絶縁破壊耐圧の歩溜りの低下やゲート酸化膜の信頼性の低下といった不具合を改善する。例文帳に追加

To improve failure such as degradation in yield of electrostatic discharge resistance of a gate oxide film and degradation in reliability of it, with no emission of an ion implantation process for adjusting a threshold voltage or a pure water rinsing process for removing foreign substance sticking on a semiconductor wafer surface. - 特許庁

本発明に係るＺソート処理回路２４は、半透明ポリゴンのデプス平均値と最小保持デプス値とを比較する浮動小数点比較器１３０と、浮動小数点比較器１３０の入力段に接続された複数のＡＮＤゲート１１０−１〜１１０−２３、１２０−１〜１２０−２３と、精度制御用小数部マスク値１４０とを含む。例文帳に追加

The Z-sorting processing circuit 24 includes a floating decimal point comparison device 130 which compares an average depth value of a semitransparent polygon with a minimum pooling depth value; a plurality of AND gates 110-1 to 110-23 and 120-1 to 120-23, which are connected to the input stage of the floating decimal point comparison device 130; and a decimal part mask value 140 for controlling precision. - 特許庁

γ線検出信号処理装置４１は、γ線の吸収により半導体検出器１ａ、１ｂ・・・１ｎから出力される信号の立ち上がり時間に基づいて、時刻補正値Δτ及び半導体検出素子２ａ、２ｂ・・・２ｎ内部でのγ線の吸収位置Ｎ′を出力する補正データ生成装置１６を備える。例文帳に追加

A γ-ray detection signal processor 41 includes a correction data generator 16 for outputting a time correction value Δτ and an absorption position N' of a γ-ray inside semiconductor detection elements 2a-2n, on the basis of a rising time of a signal output from semiconductor detectors 1a-1n by absorption of the γ-ray. - 特許庁

更に第二の高速熱処理をパネル全面に行い、先のエネルギービームで多結晶化した領域ＰＳＩでは結晶粒内の欠陥を低減させ、高いオン電流、低いしきい値、低ばらつき、急峻な立ち上がり特性を持つ高性能回路用ＴＦＴ用の高品質多結晶半導体薄膜を得る。例文帳に追加

Further, second high-speed heat treatment is applied to an entire panel, defects in the crystal grains are reduced in a region PSI made polycrystalline by the former energy beam to obtain a high quality polycrystalline semiconductor film for use in a high performance circuit TFT with a high on-current, a low threshold value, little variation, and steep rising characteristics. - 特許庁

Ａｌ系配線のバリアメタルとして用いられるＴｉ等による多結晶シリコン中の水素の吸収や、熱処理の際の多結晶シリコンからの水素の拡散に起因する多結晶シリコン抵抗素子の抵抗値の変動が抑制された高精度の多結晶シリコン抵抗素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device equipped with a high-accuracy polycrystalline silicon resistor which is restrained from varying in resistance due to the fact that hydrogen is diffused from polycrystalline silicon in a thermal treatment or hydrogen contained in polycrystalline silicon is absorbed by Ti or the like which is used as a barrier metal of an Al wiring and a method of manufacturing the same. - 特許庁