半変晶質の英語

光入射側から順に、非晶質シリコン系半導体からなる一導電型層と、微結晶シリコン相を含むバッファ層と、実質的に真性の非晶質シリコン系半導体からなる光電変換層と、非単結晶シリコン系半導体からなる逆導電型層とが、配置されてなる非晶質シリコン系光電変換装置によって、解決する。例文帳に追加

An amorphous silicon-based photoelectric conversion device comprises a conductivity type layer formed of an amorphous silicon-based semiconductor, a buffer layer containing a microcrystalline silicon phase, a photoelectric conversion layer formed of a substantially intrinsic amorphous silicon-based semiconductor and a reverse conduction type layer formed of a non-single-crystal silicon-based semiconductor which are arranged from a light incident side in this order. - 特許庁

ＺｎＯ系化合物半導体結晶の加工変質層による欠陥と、結晶固有の欠陥の双方を正確に検出する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for precisely detecting both of defects due to a machining degradation layer and defects characteristic to a crystal of a ZnO-based compound semiconductor crystal. - 特許庁

非晶質型光電変換ユニット１１のｐ型半導体層１１１とｉ型の非晶質光電変換層１１２とｎ型半導体層１１３とは、各々別々の堆積室１ｐ、１ｉ、１ｎ内で成膜される。例文帳に追加

A p-type semiconductor layer 111 of an amorphous type photoelectric conversion unit 11, an i-type amorphous photoelectric conversion layer 112, and an n-type semiconductor layer 113 are formed in each of separate deposition chambers 1p, 1i, and 1n. - 特許庁

結晶質型光電変換ユニット１２のｐ型半導体層１２１とｉ型の結晶質光電変換層１２２とｎ型半導体層１２３とは、各々同一の堆積室２ｐｉｎ内で引き続き成膜される。例文帳に追加

A p-type semiconductor layer 121, an i-type crystalline photoelectric conversion layer 122, and an n-type semiconductor layer 123 of a crystalline type photoelectric conversion unit 12 are successively formed in each same deposition chamber 2pin. - 特許庁

非晶質シリコン系薄膜光電変換装置に含まれるｐ型半導体層、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層およびｎ型半導体層の少なくとも１層が以下の条件で成膜される。例文帳に追加

On a substrate 1, a transparent conductive film 2 is formed, on which p-type semiconductor 11, i-type amorphous photoelectric conversion layer 112, and n-type semiconductor layer 113 are sequentially formed for an amorphous photoelectric conversion unit 11. - 特許庁

電極１１にパルス電圧を印加すると、可動イオンが固体電解質層１６と非晶質半導体層１３との間で移動し、非晶質半導体層１３の一部の伝導型が変化する。例文帳に追加

When a pulse voltage is applied to the electrode 11, a movable ion moves between the solid electrolyte layer 16 and the amorphous semiconductor layer 13, and the conduction type of a part of the amorphous semiconductor layer 13 is changed. - 特許庁

高い歩留まりで製造可能な、結晶質半導体を光電変換層に用いた光電変換装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a optoelectric transducer on device which is manufactured with its high yield and equipped with an optoelectric transducer layer formed of crystalline semiconductor. - 特許庁

高品質の多機能性基板層は高温及び水素雰囲気で下部のシード物質層の変形と分解とを防止することができ、良質の単結晶窒化物系半導体基板を成長するために六方晶構造である単結晶または多結晶構造を有する。例文帳に追加

A high-quality multifunctional substrate layer can prevent the deformation and decomposition of the lower seed substance layer at high temperature and in a hydrogen atmosphere, and has a single crystal that is a hexagonal structure or a polycrystalline structure to grow the good-quality single-crystal nitride-based semiconductor substrate. - 特許庁