単６型の英語

脱硫器４と改質器６との間のガス流路１１に対し単室型固体電解質型燃料電池５を内蔵させる。例文帳に追加

A single chamber type solid electrolyte fuel cell 5 is incorporated in a gas passage 11 between a desulfurizer 4 and a reformer 6. - 特許庁

単セル構成の光透過型太陽電池５と昇圧型電源変換回路６とを構成要素とする携帯端末を構成する。例文帳に追加

The mobile terminal is configured to include components of an optical transparent solar battery 5 of a single cell configuration and a booster type power supply conversion circuit 6. - 特許庁

用いるターミナル連結体６は単一種類のものだけだから、その品質管理や保管のために要するコスト、ターミナル連結体６の成型用金型の設備や管理に要するコストを低く抑えることができる。例文帳に追加

Since only the terminal connecting body 6 of a single type is used, the cost required for quality control and storage and the cost required for the facility and management of the molding die of the terminal connecting body 6 can be suppressed low. - 特許庁

その結果、簡単な製法と品質管理手法を用いてプレス成型することで、成型性の優れたフィン材が得られ、最終的にフィン材の間隔を小さくして積層した熱交換効率の高い熱交換器が得られる。例文帳に追加

As a result, since the pressing is performed by using a simple manufacturing method and quality control method, the fin material 6 having excellent molding performance can be obtained, and finally, the heat exchanger with high heat exchange efficiency can be obtained by laminating the fin materials 6 while reducing their intervals. - 特許庁

バーナ３が燃焼するとその燃焼熱により燃焼プレート６、すなわち単室型燃料電池７の電解質が加熱され、単室型燃料電池７が電池作動温度（例えば、４５０℃）まで昇温されて発電を開始する。例文帳に追加

When a burner 3 carries out combustion, a combustion plate 6, namely, an electrolyte of a single chamber type fuel cell 7 is heated by its combustion heat, and the single chamber type fuel cell 7 is heated to a cell operating temperature (for example, 450°C) to start power generation. - 特許庁

平板型単セル２とセパレータ３，４とが交互に積層され、複数の平板型単セル２の各空気極６と各燃料極７とのそれぞれに酸化剤ガスと燃料ガスが分配されることにより発電が行われる。例文帳に追加

The flat unit cell 2 and the separators 3, 4 are alternately laminated, and as an oxide gas and a fuel gas are distributed respectively to each air electrode 6 and each fuel electrode 7 of the plurality of flat unit cells, power is generated. - 特許庁

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板６上にエピタキシャル層７が形成されている。例文帳に追加

In a semiconductor device, an epitaxial layer 7 is formed on a P type single-crystal silicon substrate 6. - 特許庁

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板６上に２層のエピタキシャル層７、８が形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor device, two epitaxial layers 7, 8 are formed on a p-type single-crystal silicon substrate 6. - 特許庁