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英訳・英語 N size (battery)


JMdictでの「単5型」の英訳

単5型

読み方たんごがた

とも書く

文法情報名詞形容詞相当語句/ノ形容詞
対訳 N size (battery)

「単5型」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 173



例文

文生成部は、任意語選択部3によって抽出された語を、それぞれ定語間に挿入して定文を生成する。例文帳に追加

A fixed form sentence creation part 5 inserts each of the words extracted by the arbitrary word selection part 3 between the fixed form words respectively and generates a fixed form sentence. - 特許庁

一体焼成圧電アクチュエータは、複数の体圧電アクチュエータ1から構成される。例文帳に追加

An integration burning type piezoelectric actuator 5 is composed of a plurality of unitary piezoelectric actuators 1. - 特許庁

上記レンズ枠1,は、半円環状外形であることから、成形時の抜きが簡である。例文帳に追加

Since the lens frames 1 and 5 have semi- annular external shape, mold removal at the time of molding is facilitated. - 特許庁

Li_xTi_1-yM1_yNb_2-zM2_zO_7±δ(0≦x≦5、0≦y≦1、0≦z≦2、0≦δ≦0.3)で表される斜晶複合酸化物を含む電池用活物質が提供される。例文帳に追加

There is provided an active material for a battery, containing monoclinic composite oxide represented by Li_xTi_1-yM1_yNb_2-zM2_zO_7±δ (0≤x≤5, 0≤y≤1, 0≤z≤2 and 0≤δ≤0.3). - 特許庁

本発明の半導体装置では、P結晶シリコン基板4上にNのエピタキシャル層が形成されている。例文帳に追加

In this semiconductor device, an n-type epitaxial layer 5 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 4. - 特許庁

本発明の半導体装置では、P結晶シリコン基板4上に2層のNのエピタキシャル層、6が形成されている。例文帳に追加

In this semiconductor device, two n-type epitaxial layers 5, 6 are formed on a p-type single crystal silicon substrate 4. - 特許庁

例文

本発明の半導体装置では、P結晶シリコン基板3上に、2層のNのエピタキシャル層4、が形成されている。例文帳に追加

In this semiconductor device, two n-type epitaxial layers 4, 5 are formed on a p-type single crystal silicon substrate 3. - 特許庁

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「単5型」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 173



例文

脱硫器4と改質器6との間のガス流路11に対し固体電解質燃料電池を内蔵させる。例文帳に追加

A single chamber type solid electrolyte fuel cell 5 is incorporated in a gas passage 11 between a desulfurizer 4 and a reformer 6. - 特許庁

樹脂成形品をに保持した状態でランナ樹脂をカットできる構造簡な射出成形金を提供する。例文帳に追加

To provide a mold for injection molding which can cut a runner resin 5 while holding a resin molding in the mold and is simple in structure. - 特許庁

セル構成の光透過太陽電池と昇圧電源変換回路6とを構成要素とする携帯端末を構成する。例文帳に追加

The mobile terminal is configured to include components of an optical transparent solar battery 5 of a single cell configuration and a booster type power supply conversion circuit 6. - 特許庁

SiC結晶基板1上のNエピタキシャル層2に対するショットキー金属部8と、Nエピタキシャル層に設けられたp炭化珪素結晶4に対するオーミック性電極とを備える。例文帳に追加

The silicon carbide semiconductor device includes: a Schottky metal portion 8 for an N-type epitaxial layer 2 on an SiC single-crystal substrate 1; and the ohmic electrode 5 for a p-type silicon carbide single crystal 4 provided to the N-type epitaxial layer. - 特許庁

また、前記容器収納溜部9は、前記滑り台7の終端から滑り落ちる小容器を一当接させてから落下させる当接部材21と、所定の高さまで積重ねられた最下位の小容器の下に手を挿入して取り出すための挿入開口部31とを備えるようにする。例文帳に追加

The container storage reservoir part 9 is provided with an abutting member 21 for dropping the small containers 5 slipping down from the termination of the slide 7 after making the containers 5 abut once and an insertion opening part 31 for taking out the lowermost small container 5 of the containers 5 piled up to a prescribed height by inserting the hand under the container 5. - 特許庁

この後、ナット10を緩めることにより、弾性体6が復帰し、貫通孔4から中子から離れ、コンクリート成形体3から中子を簡に脱することが可能となる。例文帳に追加

Then, the nut 10 is loosened to reset the material 6, the core mold 5 is separated from the hole 4, and the core mold 5 can be simply removed from the product 3. - 特許庁

密閉金属製電池ケース2および電池ケース2から突出した電極端子,7を備えた複数の電池1を互いに隣接させて配列し、互いに隣接する二つの電池1の電極端子,7同士を電気的に接続するバスバー16を有する組電池である。例文帳に追加

The battery pack includes bus bars 16 in which a plurality of unit cells 1 each equipped with a sealed-type metal unit cell case 2 and electrode terminals 5, 7 protruded from the unit cell case 2 are arrayed adjacent to each other, and the electrode terminals 5, 7 of two adjoining unit cells 1 are electrically connected with each other. - 特許庁

例文

圧電結晶基板と、この圧電結晶基板上に設けられた第1導電半導体層3と、この第1導電半導体層3の圧電結晶基板に対向する面に所定の方向に所定の周期で配列して設けられた複数の線状の第2導電半導体領域4a、4cとを具備することを特徴とする弾性波素子。例文帳に追加

The elastic wave element is provided with a piezoelectric single crystal substrate 5, a first conductivity type semiconductor layer 3 provided on the piezoelectric single crystal substrate 5 and a plurality of linear second conductivity type semiconductor regions 4a and 4c arrayed in a prescribed cycle in a prescribed direction on the surface facing the piezoelectric single crystal substrate 5 of the first conductivity type semiconductor layer 3. - 特許庁

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1
N size 英和対訳


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