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単5型の英語
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英訳・英語 N size (battery)
「単5型」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 173件
定型文生成部5は、任意語選択部3によって抽出された単語を、それぞれ定型語間に挿入して定型文を生成する。例文帳に追加
A fixed form sentence creation part 5 inserts each of the words extracted by the arbitrary word selection part 3 between the fixed form words respectively and generates a fixed form sentence. - 特許庁
一体焼成型圧電アクチュエータ5は、複数の単体圧電アクチュエータ1から構成される。例文帳に追加
An integration burning type piezoelectric actuator 5 is composed of a plurality of unitary piezoelectric actuators 1. - 特許庁
上記レンズ枠1,5は、半円環状外形であることから、成形時の型抜きが簡単である。例文帳に追加
Since the lens frames 1 and 5 have semi- annular external shape, mold removal at the time of molding is facilitated. - 特許庁
Li_xTi_1-yM1_yNb_2-zM2_zO_7±δ(0≦x≦5、0≦y≦1、0≦z≦2、0≦δ≦0.3)で表される単斜晶型複合酸化物を含む電池用活物質が提供される。例文帳に追加
There is provided an active material for a battery, containing monoclinic composite oxide represented by Li_xTi_1-yM1_yNb_2-zM2_zO_7±δ (0≤x≤5, 0≤y≤1, 0≤z≤2 and 0≤δ≤0.3). - 特許庁
本発明の半導体装置では、P型の単結晶シリコン基板4上にN型のエピタキシャル層5が形成されている。例文帳に追加
In this semiconductor device, an n-type epitaxial layer 5 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 4. - 特許庁
本発明の半導体装置では、P型の単結晶シリコン基板4上に2層のN型のエピタキシャル層5、6が形成されている。例文帳に追加
In this semiconductor device, two n-type epitaxial layers 5, 6 are formed on a p-type single crystal silicon substrate 4. - 特許庁
本発明の半導体装置では、P型の単結晶シリコン基板3上に、2層のN型のエピタキシャル層4、5が形成されている。例文帳に追加
In this semiconductor device, two n-type epitaxial layers 4, 5 are formed on a p-type single crystal silicon substrate 3. - 特許庁
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「単5型」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 173件
脱硫器4と改質器6との間のガス流路11に対し単室型固体電解質型燃料電池5を内蔵させる。例文帳に追加
A single chamber type solid electrolyte fuel cell 5 is incorporated in a gas passage 11 between a desulfurizer 4 and a reformer 6. - 特許庁
樹脂成形品を型に保持した状態でランナ樹脂5をカットできる構造簡単な射出成形金型を提供する。例文帳に追加
To provide a mold for injection molding which can cut a runner resin 5 while holding a resin molding in the mold and is simple in structure. - 特許庁
単セル構成の光透過型太陽電池5と昇圧型電源変換回路6とを構成要素とする携帯端末を構成する。例文帳に追加
The mobile terminal is configured to include components of an optical transparent solar battery 5 of a single cell configuration and a booster type power supply conversion circuit 6. - 特許庁
SiC単結晶基板1上のN型エピタキシャル層2に対するショットキー金属部8と、N型エピタキシャル層に設けられたp型炭化珪素単結晶4に対するオーミック性電極5とを備える。例文帳に追加
The silicon carbide semiconductor device includes: a Schottky metal portion 8 for an N-type epitaxial layer 2 on an SiC single-crystal substrate 1; and the ohmic electrode 5 for a p-type silicon carbide single crystal 4 provided to the N-type epitaxial layer. - 特許庁
また、前記容器収納溜部9は、前記滑り台7の終端から滑り落ちる小型容器5を一単当接させてから落下させる当接部材21と、所定の高さまで積重ねられた最下位の小型容器5の下に手を挿入して取り出すための挿入開口部31とを備えるようにする。例文帳に追加
The container storage reservoir part 9 is provided with an abutting member 21 for dropping the small containers 5 slipping down from the termination of the slide 7 after making the containers 5 abut once and an insertion opening part 31 for taking out the lowermost small container 5 of the containers 5 piled up to a prescribed height by inserting the hand under the container 5. - 特許庁
この後、ナット10を緩めることにより、弾性体6が復帰し、貫通孔4から中子型5から離れ、コンクリート成形体3から中子型5を簡単に脱型することが可能となる。例文帳に追加
Then, the nut 10 is loosened to reset the material 6, the core mold 5 is separated from the hole 4, and the core mold 5 can be simply removed from the product 3. - 特許庁
密閉型金属製単電池ケース2および単電池ケース2から突出した電極端子5,7を備えた複数の単電池1を互いに隣接させて配列し、互いに隣接する二つの単電池1の電極端子5,7同士を電気的に接続するバスバー16を有する組電池である。例文帳に追加
The battery pack includes bus bars 16 in which a plurality of unit cells 1 each equipped with a sealed-type metal unit cell case 2 and electrode terminals 5, 7 protruded from the unit cell case 2 are arrayed adjacent to each other, and the electrode terminals 5, 7 of two adjoining unit cells 1 are electrically connected with each other. - 特許庁
圧電単結晶基板5と、この圧電単結晶基板5上に設けられた第1導電型半導体層3と、この第1導電型半導体層3の圧電単結晶基板5に対向する面に所定の方向に所定の周期で配列して設けられた複数の線状の第2導電型半導体領域4a、4cとを具備することを特徴とする弾性波素子。例文帳に追加
The elastic wave element is provided with a piezoelectric single crystal substrate 5, a first conductivity type semiconductor layer 3 provided on the piezoelectric single crystal substrate 5 and a plurality of linear second conductivity type semiconductor regions 4a and 4c arrayed in a prescribed cycle in a prescribed direction on the surface facing the piezoelectric single crystal substrate 5 of the first conductivity type semiconductor layer 3. - 特許庁
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