「単５型」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板４上に２層のＮ型のエピタキシャル層５、６が形成されている。例文帳に追加

In this semiconductor device, two n-type epitaxial layers 5, 6 are formed on a p-type single crystal silicon substrate 4. - 特許庁

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板３上に、２層のＮ型のエピタキシャル層４、５が形成されている。例文帳に追加

In this semiconductor device, two n-type epitaxial layers 4, 5 are formed on a p-type single crystal silicon substrate 3. - 特許庁

脱硫器４と改質器６との間のガス流路１１に対し単室型固体電解質型燃料電池５を内蔵させる。例文帳に追加

A single chamber type solid electrolyte fuel cell 5 is incorporated in a gas passage 11 between a desulfurizer 4 and a reformer 6. - 特許庁

樹脂成形品を型に保持した状態でランナ樹脂５をカットできる構造簡単な射出成形金型を提供する。例文帳に追加

To provide a mold for injection molding which can cut a runner resin 5 while holding a resin molding in the mold and is simple in structure. - 特許庁

単セル構成の光透過型太陽電池５と昇圧型電源変換回路６とを構成要素とする携帯端末を構成する。例文帳に追加

The mobile terminal is configured to include components of an optical transparent solar battery 5 of a single cell configuration and a booster type power supply conversion circuit 6. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶基板１上のＮ型エピタキシャル層２に対するショットキー金属部８と、Ｎ型エピタキシャル層に設けられたｐ型炭化珪素単結晶４に対するオーミック性電極５とを備える。例文帳に追加

The silicon carbide semiconductor device includes: a Schottky metal portion 8 for an N-type epitaxial layer 2 on an SiC single-crystal substrate 1; and the ohmic electrode 5 for a p-type silicon carbide single crystal 4 provided to the N-type epitaxial layer. - 特許庁

また、前記容器収納溜部９は、前記滑り台７の終端から滑り落ちる小型容器５を一単当接させてから落下させる当接部材２１と、所定の高さまで積重ねられた最下位の小型容器５の下に手を挿入して取り出すための挿入開口部３１とを備えるようにする。例文帳に追加

The container storage reservoir part 9 is provided with an abutting member 21 for dropping the small containers 5 slipping down from the termination of the slide 7 after making the containers 5 abut once and an insertion opening part 31 for taking out the lowermost small container 5 of the containers 5 piled up to a prescribed height by inserting the hand under the container 5. - 特許庁

この後、ナット10を緩めることにより、弾性体６が復帰し、貫通孔４から中子型５から離れ、コンクリート成形体３から中子型５を簡単に脱型することが可能となる。例文帳に追加

Then, the nut 10 is loosened to reset the material 6, the core mold 5 is separated from the hole 4, and the core mold 5 can be simply removed from the product 3. - 特許庁

密閉型金属製単電池ケース２および単電池ケース２から突出した電極端子５，７を備えた複数の単電池１を互いに隣接させて配列し、互いに隣接する二つの単電池１の電極端子５，７同士を電気的に接続するバスバー１６を有する組電池である。例文帳に追加

The battery pack includes bus bars 16 in which a plurality of unit cells 1 each equipped with a sealed-type metal unit cell case 2 and electrode terminals 5, 7 protruded from the unit cell case 2 are arrayed adjacent to each other, and the electrode terminals 5, 7 of two adjoining unit cells 1 are electrically connected with each other. - 特許庁

圧電単結晶基板５と、この圧電単結晶基板５上に設けられた第１導電型半導体層３と、この第１導電型半導体層３の圧電単結晶基板５に対向する面に所定の方向に所定の周期で配列して設けられた複数の線状の第２導電型半導体領域４ａ、４ｃとを具備することを特徴とする弾性波素子。例文帳に追加

The elastic wave element is provided with a piezoelectric single crystal substrate 5, a first conductivity type semiconductor layer 3 provided on the piezoelectric single crystal substrate 5 and a plurality of linear second conductivity type semiconductor regions 4a and 4c arrayed in a prescribed cycle in a prescribed direction on the surface facing the piezoelectric single crystal substrate 5 of the first conductivity type semiconductor layer 3. - 特許庁

第１の開口はＮ型のエピタキシャル層５の表面から成長した単結晶層とＰ型の多結晶シリコン層１１の底面の一部から成長した多結晶層で埋められ、上記単結晶層は少なくともＰ型の単結晶シリコン層を含む。例文帳に追加

The first opening is filled with a single crystal layer which has grown from the surface of an N-type epitaxial layer 5 and a poly-crystal layer which has grown from part of the bottom of the P-type poly-crystal silicon layer 11, and the single crystal layer includes at least the P-type single crystal silicon layer. - 特許庁

上型４及び下型５の上型ホルダ１及び下型ホルダ３に対する交換作業も簡単に行え、多品種少量生産のプレス成形に容易に対処できる。例文帳に追加

The exchange work of the upper die 4 and the lower die 5 to the upper die holder 1 and the lower die holder 3 can be executed simply and press molding for the production in a multiple kind and the pressing die can easily cope with the large-item small-scale production. - 特許庁

前記Ｎ型単結晶シリコン層(4) の上に実質的に真性の微結晶シリコン薄膜層(5) と、同微結晶シリコン薄膜層(5) の上にＰ型微結晶シリコンカーバイド層(6) とをプラズマＣＶＤ法により成膜し、最表面に透明導電膜(7) を形成する。例文帳に追加

An essentially intrinsic microcrystal silicon thin-film layer 5 and a P-type microcrystal silicon carbide layer 6 are formed on the N-type single-crystal silicon layer 4 and the microcrystal silicon thin-film layer 5, respectively by the plasma CVD method, and a transparent conductive film 7 is formed on the uppermost surface. - 特許庁

マルチ圧子１０は、３つの単位圧子１１〜１３が一体配列され、各単位圧子１１〜１３が、押圧機構２により各々単独に長軸方向に上下移動して、金型５に圧痕を形成する。例文帳に追加

The multi-penetrator 10 is constituted by integrally arranging three unit penetrators 11-13 and the respective unit penetrators 11-13 are moved up and down independently in the long axis direction thereof by the pressure mechanism 2 to form impressions to the mold 5. - 特許庁

平板型単セル２は、平板型固体電解質層５と、この電解質層５の表裏面に設けた空気極６および燃料極７とによって形成されている。例文帳に追加

The flat plate type unit cell 2 is formed of a flat solid electrolyte layer 5 and an air electrode 6 and a fuel electrode 7 installed on the front and rear face of this electrolyte layer 5. - 特許庁

それゆえ、単に、発電機２の出力を過電圧保護装置５に消費させる方法に比べ、過電圧保護装置５に消費させる電力を低減することができ、その結果、過電圧保護装置５を小型化することができる。例文帳に追加

Accordingly, as compared to a method wherein the output of the power generator 2 is made to be merely consumed by an overvoltage protection device 5, power made to be consumed by the overvoltage protection device 5 can be reduced, and, as a result, the overvoltage protection device 5 can be miniaturized. - 特許庁

気体容積率５％に達するまで単相タービンで膨張させ、次いで、ターボ型二相タービン内で膨張させる。例文帳に追加

It is expanded in a single phase turbine until a gas volume ratio of 5% is reached, and then it is expanded in a turbo type two-phase turbine. - 特許庁

電解質層３を上部電極層４と下部電極層５で挟持した固体電解質型燃料電池用の単セルである。例文帳に追加

The single cell for the solid electrolyte type fuel cells has an electrolyte layer 3, sandwiched with an upper electrode layer 4 and a lower electrode layer 5. - 特許庁

Ｐ型単結晶シリコン基板１に、ＰＭＯＳトランジスタ５及びＮＭＯＳトランジスタ８が形成されている。例文帳に追加

A PMOS transistor 5 and an NMOS transistor 8 are formed on a p-type single-crystal silicon substrate 1. - 特許庁

これにより、小型且つ簡単な構成で放電管ランプ５からの出射光を効率よく光インテグレータ７に入射させることができる。例文帳に追加

The emission light from the discharge tube lamp 5 is thereby made to efficiently get incident into the optical integrator 7, by the compact and simple constitution. - 特許庁

スロットバー５は簡単な型により溶融金属の流し込みにより形成され、製造コストが各段に低減する。例文帳に追加

The slot bar 5 is made by the pouring of molten metal by an simple mold, and the manufacture cost is exceptionally reduced. - 特許庁

ワークＷを下型５に対して正確に位置決めすることが簡単にして、高精度なプレス加工を短時間に行う。例文帳に追加

To perform highly accurate press working in a short time by simplifying the accurate positioning of a work W to the lower die 5. - 特許庁

平滑性を有する物体は、樹脂流路が断面Ｕ字型のダイ５あるいは表面が平滑なシリコン単結晶平板またはガラス板である。例文帳に追加

The object with smoothness is a die 5 with a resin flow path having a U-section or a silicon single crystalline plate or a sheet glass, both having a smooth surface. - 特許庁

抵抗５、ｎ型ＭＩＳＦＥＴ（単にＦＥＴと略す）１、２を電源ＶＤＤとグラウンドの間に直列に接続する。例文帳に追加

A resistance 5 and n type MISFET (simply, abbreviated to FET) 1 and 2 are serially connected between a power source VDD and a ground. - 特許庁

単体の成型体であるトレー４の平板部の裏側には、周壁部５とレールリブ６が形成されている。例文帳に追加

A circumferential wall part 5 and a rail rib 6 are formed on the rear side of a flat plate part of the tray 4 as molding of a single piece structure. - 特許庁

その発光層４上に単層または複数層からなるｎ型の半導体層５−７を積層する。例文帳に追加

N-type semiconductor layers 5 to 7, each of which is composed of one or more layers, are laminated on the light emitting layer 4. - 特許庁

試料分析装置用導入装置１００の小型化及び低コスト化、並びに搬送機構５の動作の簡単化及び簡略化を実現する。例文帳に追加

To realize reduction in size and a cost of an introduction system 100 used for a sample analyzing apparatus, and simplification and reduction of operations for a conveyance mechanism 5. - 特許庁

正極１００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成された側ｉ型非晶質シリコン膜５、ｐ型非晶質シリコン膜７、裏面電極９および集電極１１を含む。例文帳に追加

The positive electrode 100 includes, orderly on the reverse surface of the n-type single crystal silicon substrate 1, a side i-type amorphous silicon film 5, a p-type amorphous silicon film 7, a reverse surface electrode 9 and a collector electrode 11. - 特許庁

ラミネート型電池１を単電池とした組電池は、ラミネート型電池１の正極体３０の接続部材６と他のラミネート型電池１の負極側端子５とが溶接等にて接合される。例文帳に追加

In this battery pack using the laminated battery 1 as a unit cell, the connection member 6 of the electrode 30 of the laminated battery 1 is jointed to the terminal 5 of another laminated battery 1 by welding or the like. - 特許庁

単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。例文帳に追加

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2. - 特許庁

これにより、各壁面パネル４,５を成形する型枠の構造を簡略化できるとともに、型枠に主鉄筋とスターラップ鉄筋を組み込んでも型枠の解体が容易であり、各壁面パネル４,５の成形時に簡単に主鉄筋とスターラップ鉄筋を植設できる。例文帳に追加

Thus, structures of the molds for molding the respective panels 4 and 5 can be simplified; the mold can be easily disassembled even if a main reinforcement and a stirrup reinforcement are built in the mold; and the main reinforcement and the stirrup reinforcement can be easily implanted in the molding of the respective panels 4 and 5. - 特許庁

これによれば、この際、エジェクタ３をボックス型膨張弁５に簡単に脱着できる構成とすることで、簡単な構成で可変エジェクタおよびエジェクタサイクルを構成することができる。例文帳に追加

The variable ejector and the ejector cycle are thereby constituted by the simple constitution, by constituting therein the ejector 3 to be easily attached detachably to the box type expansion valve 5. - 特許庁

平板型の固体電解質１を挟むように燃料極３と空気極５の各電極を形成して単セル７を形成し、この単セル７の外周側に接合材２３を用いてフレーム９を接合する。例文帳に追加

A unit cell 7 is formed by installing a fuel electrode 3 and an air electrode 5 so as to interpose a flat solid electrolyte between them, and a frame 9 is joined to the outer circumferential side of the unit cell 7 with a joining material 23. - 特許庁

携帯型送信機１００の単一波信号生成回路２は、制御部１で生成された送信データと、第１発振器５で生成された第１基準信号とに基づいて、ＦＳＫ変調された単一波信号を生成する。例文帳に追加

A single wave signal generating circuit 2 of a portable transmitter 100 generates an FSK-modulated single wave signal on the basis of transmission data generated by a control section 1 and a first reference signal generated by a first oscillator 5. - 特許庁

積層型圧電素子は、内部電極５、圧電体層３および内部電極５の表面に形成された金属被覆層１１からなる単位積層体を備えている。例文帳に追加

The stacked piezoelectric element includes a unit stack comprising an internal electrode 5, a piezoelectric layer 3 and a metal covering layer 11 formed on the surface of the internal electrode 5. - 特許庁

キャリッジ５を介してマスト３をリーチレグ２Ｌ・２Ｒに支持したリーチ型フォークリフトにおいて、キャリッジ５のサイドローラ２４を簡単かつ確実にシム調整できるようにする。例文帳に追加

To provide a reach type fork lift structured so that a mast 3 is supported on reach legs 2L and 2R through a carriage 5, capable of making shim adjustment of side rollers 24 of the carriage 5 simply and certainly. - 特許庁

高温流体通路層１，低温流体通路層３，高温流体通路層５，低温流体通路層７を順次積層し、この４層１，３，５，７を最小単位として、この最小単位を複数積層して積層型熱交換器とする。例文帳に追加

The laminated type heat exchanger is formed by sequentially laminating a high temperature fluid passage layer 1, a low temperature fluid passage layer 3, a high temperature fluid passage layer 5, and a low temperature fluid passage layer 7, regarding the four layers 1, 3, 5, and 7 as a minimum unit, and laminating a plurality of the minimum units. - 特許庁

これにより、型締め時に下型はインロー部５の作用で上型の位置に合わされるので、どんな温度状態であっても上型の熱膨脹量に追従して下型の位置を決めることができ、上型と下型の熱膨脹差による位置ズレに起因する金型のカジリによる破損とディスク単板のピット形状の偏芯を防止することができる。例文帳に追加

Since the lower mold is positioned at the upper mold by action of a faucet joint 5, the lower mold can be positioned under any temperature condition by accompanying thermal expansion of the upper mold to prevent damage due to seizure of molds caused by a positional shift coming from difference of thermal expansion of upper and lower molds and to prevent eccentricity of a pit-shape of a disc mono-plate. - 特許庁

半導体装置２０は、絶縁基板２上に、ＳｉＯ_2膜３、多結晶Ｓｉからなる非単結晶Ｓｉ薄膜５’を含むＭＯＳ型の非単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１ａ、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａを備えたＭＯＳ型の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａ、金属配線２２を備えている。例文帳に追加

The semiconductor device 20 comprises an SiO_2 film 3; a MOS non-single crystal Si thin film transistor 1a, containing a non-single crystal Si thin film 5' of polycrystalline Si; a MOS single-crystal Si thin-film transistor 16a provided with a single-crystal Si thin-film 14a; and a metal wiring 22 on an insulation substrate 2. - 特許庁

テキスト・ツウ・スピーチ変換ソフト４により、一つの単語や熟語を多数回連発して電子発音させる繰り返し発音型の電子音声データを、学習対象のすべでの単語や熟語について作成し、英単語学習教材５とする。例文帳に追加

A repeated-pronunciation type electronic voice data for electronically pronouncing one word and phrase many times successively are generated for all the words and phrases to be studied by a text-to-speech conversion soft 4, as an English word study material 5. - 特許庁

このタービン入力段４，５，６は、単段又は多段のフランシス型タービンとすることができ、タービン出力段１６は、カプラン型タービンとすることができる。例文帳に追加

These turbine input stages 4, 5 and 6 can be formed as a single-stage or multistage Francis turbine, and the turbine output stage 16 can be formed as a Kaplan turbine. - 特許庁

また、そうするために、成形品キャビティを形成する金型ブロック２，３と、その成形品外周部を形成する金型ブロック（冷却ブロック）５，６とは、それぞれ単独に温度調整できる構造とする。例文帳に追加

For that purpose, mold blocks 2 and 3 forming a molded product cavity and mold blocks 5 and 6 (cooling blocks) forming its molded product outer peripheral section are of the structure of adjusting the temperature individually and respectively. - 特許庁

ｎ型半導体ダイヤモンド１は、ダイヤモンド｛１１０｝単結晶基板である基板３上に形成されており、第１のノンドープダイヤモンド層７及びｎ型ダイヤモンド層５を備えている。例文帳に追加

The n-type semiconductor diamond 1 is formed on a substrate 3 which is a diamond {110} single crystal substrate, and provided with a first non-doped diamond layer 7 and an n-type diamond layer 5. - 特許庁

ｐ型の単結晶シリコンン基板１の上面にＡｌ_2Ｏ_3のボトム障壁層４、ＡｌリッチのＡｌ_2+xＯ_3の電荷蓄積層５、Ａｌ_2Ｏ_3のトップ障壁層６、ｎ型ポリシリコンゲート７を順次堆積して形成する。例文帳に追加

An Al_2O_3 bottom barrier layer 4, an Al rich Al_2+xO_3 charge storage layer 5, and an Al_2O_3 top barrier layer 6, an n-type polysilicon gate 7 are deposited in succession on an upper surface of a p-type single crystal silicon substrate 1. - 特許庁

これにより、偏光ビームスプリッタ５を反射型液晶パネル８の個数分設ける必要がなくなるため、光学部品構成を単純化して装置を小型化し部品コストを安くすることができる。例文帳に追加

Thus, since the need providing the polarizing beam splitters 5 by the number of pieces of the reflection type liquid crystal panels 8 is eliminated, optical parts constitution is simplified, and the device is miniaturized, and the parts cost is reduced. - 特許庁