寄生関係の英語

過渡的な電流に関係する寄生インダクタンスを小さくし、安定した大電流動作が可能なパワーモジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a power module which operates with a stable high current with a reduced parasitic inductance concerning transient currents. - 特許庁

電源用端子Ｐ１１，接地用端子Ｐ２１間の寄生容量Ｃ１の容量値ＣＶＤＤ１と電源用端子Ｐ１２，接地用端子Ｐ２２間の寄生容量Ｃ２の容量値ＣＶＤＤ２との関係は、ＣＶＤＤ１＜＜ＣＶＤＤ２の関係となるように設定される。例文帳に追加

A capacitance value CVDD1 of a parasitic capacitance C1 between the power supply terminal P11 and a ground terminal P21 and a capacitance value CVDD2 of a parasitic capacitance C2 between the power supply terminal P12 and the ground terminal P22 are set to satisfy the relationship of CVDD1 <<CVDD2. - 特許庁

平面表示装置において、透過電極と走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＡと、透過電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、画素電極１５ｂ、１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＢと、画素電極１５ｂ、１７ｂに対する全寄生容量ＣｌｏａｄＢとを、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定する。例文帳に追加

In the flat panel display device, parasitic capacitance CgA between a transparent electrode and a scanning line Gn, all parasitic capacitances CloadA to the transparent electrode, parasitic capacitance CgB between pixel electrodes 15b, 17b and the scanning line Gn and all parasitic capacitances CloadB to the pixel electrodes 15b, 17b are set so that a relational expression of Cga/CloadA=CgB/CloadB is established. - 特許庁

寄生ダイオードＤＭ１ｄ、ＤＭ２ｄは互いに逆向きに接続されているので、入力端子３の電圧Ｖa1と出力端子４の電圧Ｖb1の大小関係にかかわらず、寄生ダイオードＤＭ１ｄ、ＤＭ２ｄを介して電流が流れることはない。例文帳に追加

Parasitic diodes DM1d and DM2d are connected in inverse directions so that currents can be prevented from running through the parasitic diodes DM1d and DM2d regardless of the level of a voltage Va1 of an input terminal 3 and a voltage Vb1 of an output terminal 4. - 特許庁

メモリセル情報生成部２は、メモリセルの物理端子座標、物理端子名および論理端子名とレイアウトデータを取得して、これらに基づいて、メモリセルの配線に寄生する寄生素子の特定と、物理端子名を含みメモリセルの内部の素子および寄生素子についての物性および接続関係を表わしたメモリセル情報の生成とを行なう。例文帳に追加

A memory cell information generation part 2 acquires physical terminal coordinates, physical terminal names, logical terminal names and layout data of memory cells, and correspondingly identifies parasitic elements parasitizing the wiring of the memory cells and generates memory cell information including the physical terminal names and representing physical properties of and connection relationships between internal and parasitic elements of the memory cells. - 特許庁

電流ブロックに起因する寄生キャパシタンスの低減と電流ブロックに起因する光吸収の低減との間のトレードオフの関係を緩和可能な構造を有する垂直共振型面発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a vertical resonance type surface light emitting element having a structure for easing a relation of tradeoff between a decrease in parasitic capacitance resulting from current block and a decrease in optical absorption resulting from current block. - 特許庁

この場合、スルーレートΔｔ＝ＣＲ（ここで、Ｃ＝ＬＳＩ内部寄生容量＋液晶パネル負荷容量）の関係が成り立つため、負荷の大きさに適した抵抗値の設定が容易となる。例文帳に追加

In this case, a relation of slew rate Δt=CR holds (here, C=internal parasitic capacitance of LSI+load capacitance of a liquid crystal panel), therefore, it becomes easy to set a resistor value suitable for a load amount. - 特許庁