層チャネル容量の英語

不純物チャネル層から下方向への不純物拡散を防止することにより、接合容量や接合リークを抑えたトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a transistor whose bonding capacitance and junction leakage are prevented by preventing a dopant diffusion from a dopant channel layer towards lower directions. - 特許庁

さらに、ゲート電極ＧＴとチャネル層ＣＨＮとの間のゲート絶縁膜容量をＣｇｉ、ゲート電極ＧＴ以外の構造物とチャネル層ＣＨＮとの間の寄生容量の総和をＣｐとしたとき、Ｃｇｉに対するＣｐの割合Ｃｐ／Ｃｇｉが０．７よりも小さくなるように形成する。例文帳に追加

Further, a ratio Cp/Cgi is smaller than 0.7, wherein Cgi is the gate insulating film capacitance between the gate electrode GT and the channel layer CHN, and Cp is the sum of parasitic capacitance between a structure other than the gate electrode GT and the channel layer CHN. - 特許庁

複数の半導体層と、ゲート電極と、エミッタ電極と、コレクタ電極を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、チャネル領域上のゲート絶縁膜を膜厚の異なる膜を少なくとも２種類設けることで、チャネル幅を小さくすると同時に入力容量を低減した構造とする。例文帳に追加

In an insulated gate bipolar transistor comprising a plurality of semiconductor layers, a gate electrode, an emitter electrode, and a collector electrode, channel width is reduced and an input capacity is reduced by providing at least two kinds of gate insulating films with different width on the channel region. - 特許庁

チャネル領域上の層間絶縁膜が周囲よりも膜厚が薄く、その部分で容量電極がゲート電極と対向して容量を形成している半導体装置。例文帳に追加

A film thickness of an interlayer insulation film at a part on a channel region is thicker than that of a surrounding area, and capacitance is created at this part between a capacitance electrode and a gate electrode facing each other. - 特許庁

各画素ＰＸは、陰極、陽極及び有機物層を含んだ有機発光ダイオードＯＬＥＤと、Ｐチャネル型の駆動トランジスタＤＲと、第１容量部Ｃｋと、第２容量部とを有している。例文帳に追加

Each pixel PX has: a cathode, an anode, and an organic light emitting diode OLED including an organic layer; a P channel type drive transistor DR; a first capacitor section Ck; and a second capacitor section. - 特許庁

酸化物半導体層の周縁部を覆う酸化物絶縁層は、チャネル保護層と同一工程で形成されるため、工程数の増加なく、寄生容量を低減できる。例文帳に追加

Since the oxide insulating layer for covering the peripheral portion of the oxide semiconductor layer is formed in the same step as that of the channel protecting layer, the parasitic capacitance can be reduced without increasing the number of steps. - 特許庁

チャネル層を形成する半導体層と同一層から成る遮光領域をチャネル領域近傍に形成することにより、ゲートとソース間及びゲートとドレイン間の容量を増加させることなく、バックライト光によるトランジスタ特性の劣化を防ぐことができ、画質の向上した液晶表示装置が得られる。例文帳に追加

A shielding region comprising the same layer as a semiconductor layer for forming a channel layer is formed near a channel region, thus preventing the deterioration in the transistor characteristics due to the light from the back light without increasing the capacitance between the gate and source, and the gate and drain, and hence obtaining the liquid crystal display having the improved image quality. - 特許庁

不揮発性記憶部では、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタを用いることによって、容量素子に保持された信号は長期間にわたり保持することができる。例文帳に追加

In the nonvolatile memory part, a signal held in the capacitor can be held for a long time by using a transistor whose channel is formed in an oxide semiconductor layer. - 特許庁