引張り領域の英語

流入側非センシング領域Ｌｂ及び流出側非センシング領域Ｌｃには、熱膨張による引張り力または圧縮力を吸収するための曲げ部７２，７４が設けられている。例文帳に追加

Bending sections 72, 74 for absorbing tensile forces or compressive forces caused by thermal expansions are respectively formed in the inflow side non-sensing region Lb and the outflow side non-sensing region Lc. - 特許庁

支持装置（７０）は、コイル引張りばね（３２）の実質的に周方向に延びている領域においてコイル引張りばね（３２）を回転軸線（A）に関し半径方向外側のほうへ、および（または）半径方向内側のほうへ支持する用を成している。例文帳に追加

The support device 70 supports the coil extension spring 32 in a region in which the coil extension spring 32 is substantially extended in the peripheral direction toward the inside and (or) the inside in the radial direction with respect to a rotary axis A. - 特許庁

半導体層４上に、ＮＭＯＳ形成領域７を選択的に露出させる第１開口２８を有する第１マスク２６が形成され、引張り応力膜２３が形成された後、第１マスク２６が、第１マスク２６上に形成された引張り応力膜２３とともに除去される。例文帳に追加

After a first mask 26 having a first opening 28 for exposing an NMOS formation region 7 selectively is formed on a semiconductor layer 4, a tensile stress film 23 is formed thereon, and then the first mask 26 is removed along with the tensile stress film 23 formed on the first mask 26. - 特許庁

伸縮マスト（７）が引張り手段（１，１１）を介して外側で支えられる可動式伸縮クレーン用のテンションシステムにおいて、該引張り手段（１，１１）が、上記伸縮マスト（７）に沿って又はその上にガイドされるとともに、該マスト（７）の圧力の偏りが、該引張り手段のガイド領域でもたらされるように固定される。例文帳に追加

This system is the tensioning system for a movable expandable crane for supporting the expandable mast 7 on the outside via tensioning means 1 and 11, and is constituted so that the tensioning means 1 and 11 are guided along the expandable mast 7 or on the mast, and are fixed so that a deviation of pressure of the mast 7 is brought about in a guide area of the tensioning means. - 特許庁

引張り応力状態の溶接部表面の領域に対し、溶接入熱により昇温した表面領域をノズル１１から冷却材を噴出させて急冷することにより、表面層直下とのあいだに過渡的な温度差を発生させる。例文帳に追加

By rapidly cooling a surface region whose temperature is raised by heat input of welding by jetting a coolant from a nozzle 11 to a region of the surface of a weld zone which is in the state of tensile stress, transient temperature difference is generated between the surface and a layer just under a surface layer. - 特許庁

素子分離部への凹部の形成やエッチング残りなどの問題を生じることなく、ＮＭＯＳ形成領域およびＰＭＯＳ形成領域にそれぞれ引張り応力膜および圧縮応力膜を選択的に形成することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a fabrication process of a semiconductor device which forms a tensile stress film and a compressive stress film, respectively, in an NMOS formation region and a PMOS formation region without causing such a problem as formation of a recess in an isolation portion or etching residue, and to provide a semiconductor device. - 特許庁

フッ素系ガスとＯ_２ガスを混合した第２の混合ガスを用いて、ＰＭＯＳ領域４に形成された引張り窒化膜１５を圧縮窒化膜１３に対して選択的にエッチングする。例文帳に追加

The tensile nitride film 15 formed in the PMOS region 4 is etched selectively for the compressive nitride film 13 by using second mixed gas obtained by mixing the fluorine-based gas and the O_2 gas. - 特許庁

トラス７は、２つの末端部間の領域内に、第１の端部で機械的にトラス７に連結され、第２の端部で締結位置１２に連結される、少なくとも１つの引張り要素１１を有する。例文帳に追加

The truss 7 has at least one tension element 11 connected with the truss 7 mechanically in a first end part and connected with a tightening position 12 in a second end part in a region between two terminal parts. - 特許庁