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最高被占の英語
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英訳・英語 highest occupied
「最高被占」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
又、必要に応じて、前記正孔ブロッキング層の最高被占有分子軌道（ＨＯＭＯ）は前記ドナー部の最高被占有分子軌道よりも少なくとも０．３ｅＶ大きい。例文帳に追加
The highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole blocking layer is at least 0.3 eV higher than that of the donor portion. - 特許庁
また、本発明において、有機溶媒は最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）が−１０ｅＶ以下であるのが好ましい。例文帳に追加
Further, it is preferable that the highest occupied molecular orbit (HOMO) of the organic solvent is -10 eV or below. - 特許庁
ホールブロック材料とは異なる材料として、最高被占分子軌道準位と最低空分子軌道準位とのエネルギーギャップの値が、発光層の最高被占分子軌道準位と最低空分子軌道準位とのエネルギーギャップの値よりも大きい材料を用いる。例文帳に追加
For the material different from the hole-blocking material, a material having a value of an energy gap between the highest occupied molecular orbit level and the lowest unoccupied molecular orbit level larger than that of the luminescent layer is used. - 特許庁
広い範囲のエレクトロニクス用途での有用性、低い毒性、環境安定性及び高いポジティブ最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）を有するチエノチオフェン化合物を提供する。例文帳に追加
To provide a thienothiophene compound having wide applicability in electronic use, low toxicity, good environmental stability and high positive highest occupied molecular orbit (HOMO). - 特許庁
電解質支持塩の最高被占分子軌道法によるイオン化ポテンシャルＩｐ／ｅＶを上記範囲に限定することにより、放電特性の向上を図ることができる。例文帳に追加
The discharge characteristic can be improved by limiting the ionization potential Ip/eV by the highest occupied molecular orbital method of the electrolyte supporting salt within the range. - 特許庁
固体高分子電解質６に、リチウム（Ｌｉ）のフッ素化合物でなる電解質支持塩が含まれ、電解質支持塩の最高被占分子軌道法によるイオン化ポテンシャルＩｐ／ｅＶが６以上９以下とした。例文帳に追加
Electrolyte supporting salt consisting of fluorine compound of lithium(Li) is contained in a solid polyelectrolyte 6, and ionization potential Ip/eV by the highest occupied molecular orbital method of the electrolyte supporting salt is made to be not less than 6 and not more than 9. - 特許庁
（ａ）キノキサリン骨格とオリゴチオフェン骨格とを含み、（ｂ）バンドギャップ（Ｅｇ）が１．８ｅＶ以下であり、（ｃ）最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）準位が−４．８ｅＶ以下であるキノキサリン化合物。例文帳に追加
There is provided a quinoxaline compound satisfying requirements that (a) it contains a quinoxaline skeleton and an oligothiophene skeleton, (b) it has a band gap (Eg) of ≤1.8 eV and (c) the level of highest occupied molecular orbital (HOMO) is ≤-4.8 eV. - 特許庁
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「最高被占」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
金属酸化物半導体表面に、色素分子とＨＯＭＯ（最高被占軌道）のエネルギーレベルが−７．５ｅＶ以上である分子とが結合した超分子を担持してなることを特徴とする光半導体電極、および光電変換装置である。例文帳に追加
The photosemiconductor electrode and the photoelectric transfer device is has a super-molecule produced by combining a color matter molecular and a molecular, having an energy level of not less than -7.5 eV on the highest occupied moving orbit on the surface of a metal oxide semiconductor. - 特許庁
ホール注入バッファ層における互いに隣接する層部分のうち、陰極側の層部分に含有されたポルフィリン系化合物が、陽極側の層部分に含有されたポルフィリン系化合物よりも高い最高被占軌道のエネルギー準位を有するものであることが好ましい。例文帳に追加
The hole injection buffer layer is formed by laminated two or more layer parts including respectively different kinds of porphyrin compounds. - 特許庁
イオン化ポテンシャルは、密度汎関数法及び基底関数を用いて構造最適化を行うことによって得られた構造のうち、最低エネルギーを有する構造（最安定構造）の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）エネルギーからクープマンの定理により求めた値を示す。例文帳に追加
The ionization potential is a value obtained according to the Koopmans' theorem from the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy of a structure having the lowest energy (the most stable structure) among structures obtained by structural optimization using the density functional theory and a basis function. - 特許庁
感光体１は、気体の吸着により表面準位を生成する半導体材料と増感色素とを含み、増感色素の最低空軌道のエネルギー準位が、前記半導体材料の伝導帯以上で、かつ前記増感色素の最高被占軌道のエネルギー準位が、前記半導体材料の表面準位以下に構成される。例文帳に追加
The photoreceptor 1 comprises a semiconductor material for generating a surface level by adsorption of gas and a sensitizing pigment, and the sensitizing pigment is constituted so that the energy level of the lowest empty orbit is the conductive band of the semiconductor material or more, and the energy level of the highest occupied orbit is the surface level of the semiconductor material or more. - 特許庁
カチオン性ポリマー（Ａ）と、ブロック化剤（ｂ）によりブロックされたイソシアネート基を有するブロックイソシアネート（Ｂ）を含有するカチオン電着塗料組成物であって、ブロック化剤（ｂ）の第一原理分子軌道計算による最高被占軌道のエネルギー（Ｅ_HOMO）が、−０．２３４０〜−０．２０５０ｅＶであるカチオン電着塗料組成物。例文帳に追加
The cationic electrodeposition coating composition comprises a cationic polymer (A) and a blocked isocyanate (B) having an isocyanate group blocked with a blocking agent (b), wherein the highest occupied molecular orbital energy (E_HOMO) by first principle molecular orbital calculation of the blocking agent (b) is from -0.2340 to -0.2050 eV. - 特許庁
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